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デバイス設計 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 東京都 墨田区錦糸4-17-1 ヒューリック錦糸町コラボツリー |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1300 万円 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 ストックオプション制度あり。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 「【東京】半導体アプリケーションエンジニア」のポジションの求人です 【お任せするミッション】 当社が提供する空間伝送型ワイヤレス給電ソリューション「AirPlug」の受電機内、受電電源IC開発に関する業務を行って頂きます。 【業務... |
| 求める経験 | 【応募要件】 ・半導体製品の製品開発評価経験5年以上 ・既存製品で使われているデバイスの使用状況を測定し、置き換えデバイス開発品の要求仕様を策定できる知識及び経験 ・機器設計側の要求からIC仕様に落とし込める知識及び経験 ・IC機能... |
| 勤務地 | 神奈川県 秦野市曽屋400秦野製作所 |
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| 年収 | 年収 500 ～ 750 万円 ■賞与：年2回（7月、12月）、年度毎の労使決定額に基づき支給 ■その他：本求人に記載の基本給について、条件に応じて別途手当の支給があります。（こども手当／住宅手当／時間外手当／通勤手当※会社規定に基づく... |
| 業務内容 | 「【秦野／鶴岡】MEMSデバイスの量産設計」のポジションの求人です ■担当する業務（概要）： MEMSデバイスの量産設計を担当していただきます ■担当する業務（詳細）： 開発業務は、MEMSデバイス構造設計、デバイス製造技術、デ... |
| 求める経験 | 【必須要件】以下1つ以上当てはまる方 ・MEMSデバイスの構造設計経験のある方 ・MEMSデバイスまたは半導体デバイスの作製業務経験のある方 ・MEMSデバイスまたは半導体デバイスの評価業務経験のある方 【歓迎要件】 ・CAD... |
| 勤務地 | 神奈川県 秦野市曽屋400 秦野製作所 |
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| 年収 | 年収 450 ～ 800 万円 ■賞与：年2回（7月、12月）、年度毎の労使決定額に基づき支給 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 「【神奈川/秦野】MEMSデバイスの設計・開発・評価」のポジションの求人です 【担当する業務（概要）】 MEMSデバイスの設計・開発・評価業務 【担当する業務（詳細）】 ●デバイスの設計業務 設計という表記ではありますが、開発... |
| 求める経験 | 【必須要件】 以下1つ以上当てはまる方 1.圧電体を使用したデバイスの構造設計業務経験がある 2.MEMSデバイスまたは半導体デバイスの作製業務経験がある 3.MEMSデバイスまたは半導体デバイスの評価業務経験がある 【歓迎要件... |
| 勤務地 | 神奈川県 横浜市青葉区荏田西1－3－3 横浜技術センター |
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| 年収 | 年収 450 ～ 750 万円 ■賞与：年2回（7月、12月）、年度毎の労使決定額に基づき支給 ※年収例（賞与／各種手当／時間外手当含む） （１）20代：450万円～600万円 （２）30代：500万円～750万円 なお、経験・ス... |
| 業務内容 | 「【横浜】車載エクステリア用ＬＥＤの設計・開発」のポジションの求人です 【担当する業務（概要）】 車載エクステリア用LEDの設計・開発をご担当頂きます。 【担当する業務（詳細）】 市場要求や顧客の求める価値を探り、それに合うデバ... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・光半導体デバイスに関する技術的知識、設計開発経験 （技術者としての業務での経験目安5年以上） 【歓迎条件】 ・デバイスパッケージ設計・開発経験 ・光学・回路・熱シミュレーション経験（光学系：Light Too... |
| 勤務地 | 神奈川県 横浜市青葉区荏田西1－3－3 横浜技術センター |
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| 年収 | 年収 450 ～ 800 万円 ■賞与：年2回（7月、12月）、年度毎の労使決定額に基づき支給 ※年収例（賞与／各種手当／時間外手当含む） （１）20代：450万円～600万円 （２）30代：500万円～750万円 （３）40代：... |
| 業務内容 | 「【横浜】光学ユニットの光学設計及び機構設計」のポジションの求人です 【担当する業務（概要）】 レーザーを使った応用製品の開発、光学設計・機構設計及びその評価業務 【担当する業務（詳細）】 ●MEMS応用製品向けの光学設計 ... |
| 求める経験 | ■必須要件： １，２いずれかの経験 １ MEMS応用製品向けの光学設計 ・ビーム光学系（レーザー/LED等）の光学設計・評価技術 （光ピックアップ、レーザプリンタ、レーザーレンジファインダ） ・光学レイアウト/光学部品（... |
| 勤務地 | 神奈川県 横浜市青葉区荏田西1－3－3 横浜技術センター |
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| 年収 | 年収 450 ～ 800 万円 ■賞与：年2回（7月、12月）、年度毎の労使決定額に基づき支給 ※年収例（賞与／各種手当／時間外手当含む） （１）20代：450万円～600万円 （２）30代：500万円～750万円 （３）40代：... |
| 業務内容 | 「【横浜】光学ユニット用制御回路開発」のポジションの求人です 【担当する業務（概要）】 ご経験に合わせて以下のいずれかの業務を担当いただきます。 ・MEMSミラー制御用回路設計（D/A変換、A/D変換およびフィードバック信号処理） ... |
| 求める経験 | 【必須要件】 以下いずれか必須 ・デジタル回路設計 RTLの設計・検証・評価の経験（ASIC、FPGA、マイコンの周辺回路など） ・アナログ回路設計 基板回路の設計・検証・評価の経験（電源設計、オペアンプを使った設計など）... |
| 勤務地 | 神奈川県 秦野市曽屋400 |
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| 年収 | 年収 450 ～ 750 万円 ■賞与：年2回（7月、12月）、年度毎の労使決定額に基づき支給 ※年収例（賞与／各種手当／時間外手当含む） （１）20代：450万円～600万円 （２）30代：500万円～750万円 （３）40代：... |
| 業務内容 | 「【秦野】MEMSデバイスの品質保証」のポジションの求人です 【担当する業務（概要）】 MEMSデバイスの評価および品質保証 【担当する業務（詳細）】 〇 MEMSデバイスの評価 ・既存のデバイスの評価方法の効率化と量産に向... |
| 求める経験 | 【必須要件】以下一つ以上当てはまる方 ・圧電体を有したデバイスの経年劣化をテストする業務経験がある ・レーザーを用いた試験・評価を実施した業務経験がある ・車載製品の信頼性試験や認証に関わる業務経験がある 【歓迎要件】 ・圧電... |
| 勤務地 | 山形県 鶴岡市大宝寺字日本国271－6 |
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| 年収 | 年収 450 ～ 800 万円 ■賞与：年2回（7月、12月）、年度毎の労使決定額に基づき支給 ※年収例（賞与／各種手当／時間外手当含む） （１）20代：450万円～600万円 （２）30代：500万円～750万円 （３）40代：... |
| 業務内容 | 「【山形/鶴岡】MEMSデバイスのプロセス技術者」のポジションの求人です 【担当する業務（概要）】 MEMSデバイスのプロセス開発業務 【担当する業務（詳細）】 開発部門にて、MEMSデバイスのプロセス・開発業務を担当していただ... |
| 求める経験 | 【必須要件】以下1つ以上当てはまる方 1.MEMSデバイスまたは半導体デバイスのプロセス開発業務経験 2.MEMSデバイスまたは半導体デバイスの評価業務経験 3.圧電PZT膜の開発業務経験 【歓迎要件】 ・CADを用いたフォト... |
| 勤務地 | 千葉県 市川市東大和田２丁目１５－７ |
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| 年収 | 年収 640 ～ 1000 万円 【昇給】年1回（4月） なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 「【千葉】MEMSタイプガスセンサ開発における設計および評価」のポジションの求人です 技術・知財本部は社内で技術開発の業務を担っており、特に当センターでは新規デバイス開発をミッションに業務を遂行しています。 ※業務例 ・MEMSタ... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■MEMSまたはガスセンサの設計・特性評価に関する知見、経験があること ■英語を用いた実務経験（週1~2回の英語でのWeb meeting、半年に1回程度の海外出張） |
| 勤務地 | 東京都 板橋区蓮沼町75-1 |
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| 年収 | 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 「【東京/プライム上場】光学素子・要素技術開発」のポジションの求人です 薄膜および表面微細構造を用いた光学素子・要素技術開発をご担当いただきます。 【具体的な業務内容】 （１）技術トレンド調査 （２）試作品の設計・開発 （３）... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■薄膜（PVD）に関する知識（真空成膜装置の操作経験および基礎知識、薄膜の評価・分析技術） 【歓迎要件】 ■薄膜技術の開発経験（5年以上） ■表面微細加工（フォトリソグラフィ技術、ナノインプリント技術、メタサーフェ... |