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ダイオード に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 兵庫県 揖保郡太子町鵤300 |
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| 年収 | 年収 450 ～ 1000 万円 賞与：年2回（7月・12月） ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級（年収1,000万円）での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は... |
| 業務内容 | 「＜兵庫＞ディスクリート半導体の製品開発エンジニア」のポジションの求人です ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー）に関する、下記業務をお任せいたします。... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験※ ・デバイス設計 ・プロセス技術開発 ・パッケージ技術開発 ・材料開発 ・製品評価テスト 【歓迎要件】 ・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。 ・半導体デバイスに関... |
| 勤務地 | 石川県 能美市岩内町1-1 |
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| 年収 | 年収 450 ～ 1000 万円 賞与：年2回（7月・12月） ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級（年収1,000万円）での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は... |
| 業務内容 | 「＜石川＞ディスクリート半導体の製品開発エンジニア」のポジションの求人です ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー）に関する、下記業務をお任せいたします。... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験※ ・デバイス設計 ・プロセス技術開発 ・パッケージ技術開発 ・材料開発 ・製品評価テスト 【歓迎要件】 ・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。 ・半導体デバイスに関... |
| 勤務地 | 福岡県 豊前市沓川760番地 |
|---|---|
| 年収 | 年収 450 ～ 1000 万円 賞与：年2回（7月・12月） ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級（年収1,000万円）での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は... |
| 業務内容 | 「＜福岡＞ディスクリート半導体の製品開発エンジニア」のポジションの求人です ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー）に関する、下記業務をお任せいたします。... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験※ ・デバイス設計 ・プロセス技術開発 ・パッケージ技術開発 ・材料開発 ・製品評価テスト 【歓迎要件】 ・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。 ・半導体デバイスに関... |
| 勤務地 | 千葉県市原市八幡海岸通6番地 |
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| 年収 | ～ 1000万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | ＜#2023025＞ ■配属予定部署： 研究開発本部フォトニクス研究所産業レーザシステム開発部 ■職務内容： ・ファイバレーザ（半導体レーザ）加工機のシステム設計 ・レーザ加工機の機構設計、構造設計、制御回路設計 ・顧客に刺さる加工ソリ... |
| 求める経験 | ■必須条件：下記のいずれかに該当する理系大学大学院出身者 ・ハードウェアシステム設計開発経験 ・機構設計もしくは構造設計が出来るハードウェア開発経験 ・制御回路設計が出来るハードウェア開発経験 レーザーの経験は必須要件から外し歓... |