研究開発＜パワー半導体デバイス（SiC）＞ 三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
| 職種 | 研究開発＜パワー半導体デバイス（SiC）＞ |
|---|---|
| 社名 | 三菱電機株式会社 先端技術総合研究所 |
| 業務内容 |
■SiCデバイス(MOSFET/Diode)技術に関する研究開発を担っていただきます。評価や解析を中心に担当し、パワーデバイス製作所(伊丹/福岡/熊本)への報告も実施していただきます。 【具体的には】 ・SiC結晶品質向上(基板評価およびエピタキシャル成長技術の開発) ・SiC-MOSFETの信頼性検証 ・パワーモジュールの耐環境信頼性検証 ＜補足＞ ・いずれも単独ではなくチームでの職務となります。同課だけではなく、デバイス構造を担当する課やモジュールを担当する課と連携して職務にあたっていただきます。 ・パワーデバイス製作所(伊丹市/福岡市/熊本県合志市)への報告や折衝も担当していただきます。 ・開発技術の社外発表(国際学会)も担当していただく場合があります。 【業務の魅力】 ・研究や技術開発が主の業務となりますが、パワーデバイス製作所をはじめとした製品を扱う事業所とも深く関わりながら業務を遂行します。 ・数年かけて開発した技術を世界に向けて発表することや、製作所と協力しながら製品化への課題を解決していくことは大きなやりがいを感じることができます。 |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体に関する基礎的な知識(理論、電気特性など)をお持ちの方 【歓迎要件】 ■下記に関する知識、経験をお持ちの方 ・半導体デバイスの信頼性検証技術 ・結晶欠陥評価技術およびエピタキシャル成長技術 ・半導体デバイス設計技術およびプロセス技術 ・パワーエレクトロニクス機器の設計技術 ※日常的には日本語が主になりますが、国際学会での発表や情報収集などで英語を使用します。 必須となるツールや資格は特にありませんが、プログラミングのスキルがあると業務上有利です。 |
| 勤務地 |
兵庫県/尼崎市/塚口本町8-1-1
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| 年収 |
400-1000万円 ※経験・役割等による |
| 勤務時間 | 08:30 - 17:00（コアタイム：11:15 - 14:00） |
| 休日・休暇 | 年間126日／（内訳）週休2日制（土日）、国民の祝日、労働祭、年末年始、会社創立記念日、規定休など |
| 福利厚生 |
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金 時間外手当、扶養手当、外勤手当、通勤費補助など 寮、社宅、家賃補助手当、財形貯蓄、住宅融資、社員持株会、社員互助会、保養所、契約リゾート施設 、スポーツ施設など |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 【筆記試験】有 【面接回数】2?3回 【選考フロー】 一次面接⇒ 最終面接 |
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