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powered by   2024/12/18 更新
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北海道 に該当する転職・求人一覧

勤務地 北海道 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 1000 万円 ~ 経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 ■IBM社と連携して2nmプロセス半導体の技術開発を推進しており、2025年から国内工場立ち上げ、試作量産を行っていきます。 ■国内工場において、2nm世代及びBeyond 2nmの先端ロジック開発及び、量産技術業務を担当します。具体的に...
求める経験 【必須要件】 ※以下いずれかのご経験 ■半導体デバイス/装置メーカーでの生産設備の設計・開発、立立上・改善活動の経験 ■半導体デバイスメーカ(半導体ウェーハ工程、テスト工程、組立工程)でのプロセス改善、条件だし、歩留工場、生産性向上、...
勤務地 北海道 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 600 ~ 1200 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 2nm世代、及びBeyond 2nmの先端ロジックデバイスのウェハテスト及びパッケージテストラインを構築します。 (※)ご入社直後は東京勤務か在宅勤務になります <同社とは> 元某社会長の某氏が発起人となり、某社等が出資し、サ...
求める経験 【必須要件】 ■半導体全般、半導体デバイスのテスティング経験 ■半導体デバイス用テスタの操作/テストプログラム/テスト用治工具開発の経験 【歓迎要件】 ・ロジックテスタの操作経験
勤務地 北海道 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 600 ~ 1200 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 ■テスタを用いた不良現象の解明 ■EDAツール、解析装置を使った不良個所の絞り込み ■物理解析にて不良個所の特定 【期待する役割】 2nm世代、およびBeyond 2nmの先端ロジックデバイスの開発、将来的な量産に伴う不良解析業...
求める経験 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験 ■テスタを使った解析経験 ■EMS、OBIRCH等の発光解析経験 ■ナノプロービング解析経験 ■FIB、SEMを使ったDelayering経験 ■その他、半導体の不良解析に携わった方 ...
勤務地 北海道 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 600 ~ 800 万円 ※月給は住宅手当を含む金額となり、経験・能力等を考慮し決定 ■昇給:年1回(ベースアップ込みの過去実績0.5~5%) ■賞与:年2回(過去実績:5.66ヶ月分) ■年収例(月30時間分の残業手当含む)...
業務内容 【期待する役割】 将来的には、北海道の各工業大学や機械・食品メーカーへのパイプ作りもお任せしたいと考えておりますが、まずはエンジニアとして同社商品のPR及び設計を行っていただきます。 【職務内容】 超音波発信器等、プラスチック溶着...
求める経験 【必須要件】 ■3DCADを用いた生産設備や装置の設計のご経験 【歓迎要件】 ■自動車の生産設備(設備駆動系、搬送系およびプレス装置)に携わった経験 ■3DCAD(インベンター)による工場の自動化装置、自動化機械の設計経験
勤務地 北海道 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 600 ~ 1000 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 ■テスタを用いた不良現象の解明 ■EDAツール、解析装置を使った不良個所の絞り込み ■物理解析にて不良個所の特定 【期待する役割】 2nm世代、およびBeyond 2nmの先端ロジックデバイスの開発、将来的な量産に伴う不良解析業...
求める経験 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験 ■テスタを使った解析経験 ■EMS、OBIRCH等の発光解析経験 ■ナノプロービング解析経験 ■FIB、SEMを使ったDelayering経験 ■その他、半導体の不良解析に携わった方 ...
勤務地 北海道 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 600 ~ 1000 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 ■トランジスタ特性向上のための構造およびプロセスの提案と、その実行をプロセス部門と進める。 ■実験水準提案、デバイス特性を測定解析、その結果をプロセス開発にフィードバックして改善を進める。 ■各種デバイスパラメター取得し、設計環境部門協...
求める経験 【必須要件】 ■トランジスタ開発について2年以上の経験を有する方。または、大学で研究経験のある方。 【歓迎要件】 ・プロセス開発の経験 ・TEG設計の経験 ・TEG測定評価・解析の経験 ・デバイスパラパラメータ抽出の経験 ...
勤務地 北海道 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 600 ~ 1000 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 ■2nm世代、及びBeyond 2nmの先端ロジック開発における主にデバイス、論理ブロックの評価解析業務を担っていただきます。 ■DC/ACテスト(電気特性評価)結果、工程メトロロジー検査、欠陥検査、FDC(Fault Detecti...
求める経験 【必須要件】 下記いずれかの経験がある方 ■テスター・プローブを用いた電気特性の測定・評価ができる方、簡単なテストプログラム(パラメトリック、論理ブロック、メモリーいずれかあるいは複数)が書ければ尚可 ■ソフトを使用したデータ分析・解...

CAE解析 / 主任~上級職 @北海道

社名非公開 閲覧済み
勤務地 北海道 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 600 ~ 1100 万円 今年度実績予定6ヶ月 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 【ミッション】 従来、試作と実機テストにより物理的に行っていた車両評価をコンピュータシミュレーションに置き換え、実機の代替評価を行うことでカーボンニュートラルに貢献するためのCAE専任業務を担当していただきます。 【具体的には】 ...
求める経験 【必須要件】 ■製造業でのCAE解析のご経験 ■自動車工学に関する基礎的な知識 【歓迎要件】 ■adamsなどの機構系解析の実務経験 ■自動車業界での開発業務経験 ■何かしらのCAEソフト操作スキル (機構系・流体系・構造...

【北海道/千歳】半導体テスト開発 役職定年無

ミネベアミツミ株式会社 閲覧済み
勤務地 北海道 千歳市泉沢1007-39
年収 年収 500 ~ 1000 万円 ■賞与:年2回(6月、12月) ■能力や経験を考慮の上、最終的に決定します。 予定年収はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。月給は固定手当を含めた表記です。 なお、経験...
業務内容 「【北海道/千歳】半導体テスト開発 ◆役職定年無」のポジションの求人です 東証プライム上場の総合精密部品メーカーにて、半導体検査装置のプログラム開発に携わっていただきます。 【具体的な職務内容】 ■ICテスタを使用した、新規半導体...
求める経験 【必須要件】 ■半導体の電子電気回路の知識 ■半導体の検査/測定及び評価の経験

【北海道/千歳】IGBT開発 役職定年無

ミネベアミツミ株式会社 閲覧済み
勤務地 北海道 千歳市泉沢1007-39
年収 年収 500 ~ 1000 万円 ■賞与:年2回(6月、12月) ■能力や経験を考慮の上、最終的に決定します。 予定年収はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。月給は固定手当を含めた表記です。 なお、経験...
業務内容 「【北海道/千歳】IGBT開発 ◆役職定年無」のポジションの求人です IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)に関して、顧客要求に対応した製品開発と次世代の製品開発を...
求める経験 【必須要件】 ■半導体物性及び電気特性の知識及び経験