【筑波】化合物半導体GaN結晶製造および生産技術開発（リーダー候補～リーダー） 三菱ケミカル株式会社
| 職種 | 【筑波】化合物半導体GaN結晶製造および生産技術開発（リーダー候補～リーダー） |
|---|---|
| 社名 | 三菱ケミカル株式会社 |
| 業務内容 |
化合物半導体の製造プロセスの開発を担当いただきます。 具体的には以下業務を担当いただきます。 ・化合物半導体の結晶成長技術の開発、プロセスおよび装置の設計 ・化合物半導体の結晶成長プロセスのモデリング技術開発、最適化 ・化合物半導体の評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発 ・化合物半導体のエピ成長技術の開発、国内外の社外委託先検討及び技術開発 【配属部署の紹介】 高速モバイル通信用高周波デバイスなどに欠かせない窒化ガリウム基板の製造及び技術検討に携わり、デジタル社会基盤の構築に貢献できる仕事です。当社はGaN基板の技術を世界的にリードするプレイヤーのひとつで、学会発表や論文も常に注目を浴びています。基礎的な検討から、量産技術検討まで、単結晶を基板に仕上がるまで、多様な工程、技術を多様な技術背景を持った技術者が協力して作り上げます。 【将来的に従事する可能性のある職務内容】 会社の定める職務 |
| 求める経験 | 【必須】 ■半導体材料などの結晶成長技術の開発経験者 【歓迎】 ・専攻：物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学いずれか ・化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーション経験 ・英語スキル |
| 勤務地 |
茨城県
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| 年収 |
564万円～940万円 ※これまでの経験、スキルなどを基に決定致します。※等級によって別途残業代が支給されます。※残業20H/月込参考年収：628万円～1048万円 |
| 勤務時間 | 08:30～17:15 |
| 休日・休暇 | 土日祝日 年末年始 年次有給休暇 特別休暇(忌引、結婚等) ライフサポート休暇 他 |
| 福利厚生 | 健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険通勤費補助制度 退職給付制度 再雇用制度 独身寮 カフェテリアプラン 他 ※適用条件有 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 面接2回、面接(2回)、適性検査 ※面接回数は変更となる可能性が御座います。 |
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