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京都府 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 京都府 |
|---|---|
| 年収 | 年収:500万～850万程度 月給制：月額400000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6月・12月、年間平均4ヶ月） 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 GaNパワーデバイスの電源設計をお任せします。 【職務詳細】 ・GaNデバイスを用いた電源回路設計、評価 ・GaNデバイスの海外拡販 【GaNデバイスについて】 GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバ... |
| 求める経験 | 【必須】 下記いずれかのご経験がある方 ・電源回路設計 ・半導体業界でのGaNデバイスの研究開発 ・パワーモジュール設計 |
| 勤務地 | 京都府長岡京市神足木寺町27-4東海道本線「長岡京」駅より徒歩約15分 |
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| 年収 | 年収:450万～750万程度 月給制：月額320000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:有 |
| 業務内容 | 【職務概要】 排ガス処理装置、国内トップクラスのシェアを誇る同社にて、電源の開発をお任せします。 【職務詳細】 ・同社除害装置用の電源開発 ・直流大容量電源 ・高周波電源 【製品】 ・主として半導体製造工場から排気されるガス（... |
| 求める経験 | 【必須】 ・アナログ回路設計の経験がある方 ・無線の電源回路設計の経験がある方 ・電源に関わる業務経験をお持ちの方（開発、設計、修理など）※技術者派遣での業務経験も歓迎です。 ・基本的なPCスキル（Excel、Word、PowerP... |
| 勤務地 | 京都府 |
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| 年収 | 年収:600万～900万程度 月給制：月額300000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6月・12月） 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社の半導体前工程設備エンジニアとして、業務をご担当いただきます。 【職務詳細】 ■半導体前工程ラインの設備技術 入社後は新規ライン立ち上げプロジェクトにて設備の立上げ、量産化、 生産性改善業務をお任せします。入... |
| 求める経験 | 【必須】 ■半導体前工程（ウェハプロセス）の設備経験 ■京都本社と浜松工場どちらでも勤務可能な方 ※京都と浜松工場間でライン移設計画の予定があるため。将来的には京都本社で勤務いただく予定です。 【尚可】 ■ガス、薬液等の知識 ... |
| 勤務地 | 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 500 ～ 900 万円 ※上記に別途、住宅・退職金等福利厚生あり 【賞与】年2回（7月、12月） なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【期待する役割】 同社において機能性表示食品や健康食品等の商品開発を行っていただきます。２～３ブランド/１名で担当。マーケ部門やリサーチ部門、デザイン部門とチームを組み、商品のコンセプト企画段階から入り、処方設計から製剤開発までを担当いた... |
| 求める経験 | ※4/24応募締切 ※応募書類に写真添付をお願いします 【必須要件】 ・健康食品もしくは菓子・飲料などの加工食品の中味開発業務経験者 ・英文の学術論文を理解できる程度の英語力を有する方 【歓迎要件】 ・健康食品の作用メカニズム... |
| 勤務地 | 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
|---|---|
| 年収 | 年収 500 ～ 900 万円 ※上記に別途、住宅・退職金等福利厚生あり 【賞与】年2回（7月、12月） なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | R＆D部門、事業部門との協働の中で、新商品の開発に繋がる新素材、成分の探索をメインに行います。その中で多角的な成分分析（LCやGC等による分析）や素材の有用性の検証を行っていただきます。 ■募集背景 伸長するヘルスケア事業の中で、現... |
| 求める経験 | ※4/24応募締切 ※応募書類に写真添付をお願いします 【必須要件】 ・食品・製薬メーカー、化粧品、消費財、香料メーカー、や研究機関等でのLC、GC、NMR等の機器分析実務経験者 ・英文の学術論文を理解できる程度の英語力を有する方 ... |
| 勤務地 | 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 500 ～ 950 万円 ■賞与：年2回（6月・12月） なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | ■仕事内容 パワーダイオードやMOSFETなどのSiデバイスの拡販、企画、設計、プロセス開発をご担当いただきます。 担当製品は面接を通して決定いたします。 ※ご経歴を拝見し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニア... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・MOSFETの構造・動作特性の理解 ・半導体プロセスの理解 ・基礎的な電気回路の理解 【歓迎要件】 ・使用回路（モーター・DCDCなど）の理解と実回路における MOSFETまたはダイオードの評価技術 ・回... |
| 勤務地 | 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 500 ～ 850 万円 ■賞与：年2回（6月・12月） なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | ■仕事内容 ・SｉCパワーデバイス開発・設計 ・SｉCパワーデバイスプロセス開発/プロセスインテグレーション SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効... |
| 求める経験 | 【必須要件】※下記いずれかのご経験をお持ちの方 ・半導体業界でSｉCの研究開発経験 ・トランジスタ/ダイオード/LSI等のデバイス開発経験 ・半導体プロセス開発経験、プロセスインテグレーション経験 |
| 勤務地 | 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
|---|---|
| 年収 | 年収 450 ～ 800 万円 ■賞与：年2回（6月・12月） なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | ■仕事内容 ・今後伸長が見込める車載通信向けTVSの開発 ・ウェアラブルやヘルスケアでの需要が見込めるフォトダイオードの素子開発 顧客ヒアリングから要件整理～設計・開発～材料の選定検討～製造ラインとの調整～出荷、まで業務の幅は非常... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・ダイオード、トランジスタ、またはフォトダイオードのいずれ かの素子設計・評価経験（3年以上） ・TCAD（プロセスシミュレーション、デバイスシミュレーショ ン）の業務経験（3年以上） 【歓迎要件】 ・車載... |
| 勤務地 | 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 550 ～ 950 万円 ■賞与：年2回（6月・12月） ■経験/年齢/能力等を考慮の上、当社規定により決定します。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【職務内容】 ■GaNデバイス向け新規パッケージ開発、GaNモジュール設計開発 GaN HEMTの特長を活かした商品を実現するため、パッケージ技術者の視点で高放熱のディスクリートパッケージや新規モジュール製品の開発、開発環境の構築、量産... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体パッケージに関わる設計、開発業務経験 3年以上 ※上記に加え下記いずれかの専門性がある方 ■半導体パッケージに関する材料技術 ■製造プロセス技術 ■CAE解析 ■パワーモジュール設計 【歓迎要件】 ■リ... |
| 勤務地 | 京都府京都市右京区西院溝崎町21 |
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| 年収 | 600万円～900万円 ■昇給：毎年4月に改定、賞与：年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値) |
| 業務内容 | オプトデバイスの前工程製造設備エンジニアの募集要項となります。 【職務内容】 ・LED、レーザーダイオード等化合物半導体デバイスのウェハプロセスのフォトリソ工程 ・ドライ工程の設備技術・保全 ・生産性向上、コストダウン、不良低減、設... |
| 求める経験 | 【必須】 化学系の生産技術のご経験をお持ちの方 |