【名古屋／リーダー候補】AlN基板を用いたパワー半導体向けIII族窒化物半導体薄膜の研究 旭化成株式会社
| 職種 | 【名古屋／リーダー候補】AlN基板を用いたパワー半導体向けIII族窒化物半導体薄膜の研究 |
|---|---|
| 社名 | 旭化成株式会社 |
| 業務内容 |
パワー半導体の研究開発をお任せします。 【具体的には】 ・AlN基板上のエピタキシャル成長技術の開発 ・エピ成長した薄膜の解析 ・Simulation等によるエピ構造やデバイス構造の工夫や改善提案 ・富士の開発メンバーへの情報共有化、生産技術適用に向けた検討 ＜仕事の魅力・やりがい＞ ・名古屋大学の世界トップクラスの研究者に囲まれた環境で自身の能力を研鑽できます。 ・旭化成グループ内の事業部組織と連携することで、自身の研究成果を社会実装へと導く道のりを当事者として経験できます。 ＜キャリアパスイメージ＞ ▼1～3年後 AlN基板を用いたパワー半導体の研究成果について対外発表を行い、この分野における第一人者としてご活躍いただきたいと考えています。 また、旭化成グループ内の研究開発テーマの方向性についてアイデアの創出や提案を行い、業務を推進いただけることを期待しています。 ▼3～5年後 研究だけにとどまらず、その成果を社会実装するためのロードマップを提示し、旭化成グループにおけるパワー半導体研究開発を引っ張っていくリーダーとしてのご活躍を期待し... |
| 求める経験 | 【必須】 ■MOCVDまたはMBEを用いた化合物半導体薄膜成長技術の経験（目安：3年以上） 【歓迎】 ■窒化物半導体薄膜成長または化合物半導体デバイスプロセスの経験 ■現場作業安全に関連する資格（危険物取扱者、特化則、有機則など） |
| 勤務地 |
愛知県
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| 年収 |
※条件は経験・能力に応じて個別に提示いたします。 ※2022年度賞与実績5.56ヶ月 |
| 勤務時間 | 08:30～17:15 |
| 休日・休暇 | 週休2日制、祝日、年末年始、年次有給休暇、特別休暇（忌引や結婚等）、家族看護休暇など |
| 福利厚生 | 雇用保険、労災保険、健康保険、厚生年金保険休日出勤手当、勤務地手当、通勤手当、家族手当 寮・社宅（借り上げ社宅・寮含む）、持ち家支援、各種財産形成支援、自己啓発支援、海外留学、育児短時間勤務など |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 面接3回、書類選考→一次WEB面接→二次、最終対面面接 ※選考を通して、WEB・対面へのへ切り替えが生じる場合もございます。 |
この求人情報は、「株式会社メイテックネクスト」が取り扱っています
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