【名古屋】24-031：化合物半導体ウエハーの開発、事業化／研究開発本部 日本ガイシ株式会社
| 職種 | 【名古屋】24-031：化合物半導体ウエハーの開発、事業化／研究開発本部 |
|---|---|
| 社名 | 日本ガイシ株式会社 |
| 業務内容 |
【業務】カーボンニュートラルやBeyond 5Gに向けてますます需要が伸びていくほか、光デバイスへの適用も可能なワイドバンドギャップ半導体ウエハーを開発しています。半導体分野のお客様のニーズにひとつひとつ着実に応え、満足していただく製品を送り出すために、以下の業務をご担当いただきます。 【詳細】 ■結晶育成及びその特性評価による育成技術改良 ■薄膜結晶成長及びその特性評価による成膜技術改良 ■ウエハー研磨、加工技術改良 ■ウエハーを用いたデバイス作製と評価 ■お客様、各種研究機関との協業 ■開発技術の特許出願、権利化 【魅力・やりがい】 当部門ではSiC、GaN、AlN等のワイドバンドギャップ半導体ウエハーの開発に取り組んでいます。日本ガイシの保有技術を活用した独自の結晶成長プロセスにて作製する画期的なウエハー開発を行っており、また若手でも重要な業務を任されることから、非常にやりがいと責任のある仕事です。また、大学等の研究機関やお客様との情報交換も活発に行っており、最新の情報に触れることができます。開発の進展に伴い事業の立ち上げにも加わっていただき、オールラウン... |
| 求める経験 | 【必須】 ■結晶育成開発の経験、セラミックス加工経験、または半導体薄膜成長とその評価経験、いずれかをお持ちの方 ■英語の学術論文が労せず読める程度の英語力 |
| 勤務地 |
愛知県
|
| 年収 |
450万円～950万円 ※前職の給与を考慮の上、当社規定で決定致します |
| 勤務時間 | 08:30～17:15 |
| 休日・休暇 |
年末年始 夏期休暇 有給休暇 年次有給休暇（初年度12日・最高20日）※入社初年度は入社年月により年度末までの有給休暇を付与する 特別有給休暇、ミニリフレッシュ休暇、リフレッシュ休暇 |
| 福利厚生 | 健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険通勤手当 住宅手当 家族手当 役職手当 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 面接2回、書類選考⇒一次面接（部門＋人事）⇒最終面接（部門責任者＋人事） ※一次面接前に言語、非言語、性格を内容とする適性検査を受検いただきます ※最終面接前に職務適性検査（2種類）を受検いただきます |
この求人情報は、「株式会社メイテックネクスト」が取り扱っています
この情報を保有しているコンサルタントへ紹介を受けるには、マイナビスカウティングに会員登録が必要です。
応募登録いただくにあたり
にご同意いただき、マイナビスカウティングに応募情報を開示することをご了承の上登録ください。