開発?事業化＜化合物半導体ウエハー＞ 日本ガイシ
| 職種 | 開発?事業化＜化合物半導体ウエハー＞ |
|---|---|
| 社名 | 日本ガイシ |
| 業務内容 |
■カーボンニュートラルやBeyond 5Gに向けてますます需要が伸びていくほか、光デバイスへの適用も可能なワイドバンドギャップ半導体ウエハーを開発しています。半導体分野の顧客のニーズにひとつひとつ着実に応え、満足していただく製品を送り出すため、日々開発に取り組んでいます。 【具体的には】 ・結晶育成及びその特性評価による育成技術改良 ・薄膜結晶成長及びその特性評価による成膜技術改良 ・ウエハー研磨、加工技術改良 ・ウエハーを用いたデバイス作製と評価 ・顧客、各種研究機関との協業 ・開発技術の特許出願、権利化 【職務の特色】 同部門ではSiC、GaN、AlN等のワイドバンドギャップ半導体ウエハーの開発に取り組んでいます。同社の保有技術を活用した独自の結晶成長プロセスにて作製する画期的なウエハー開発を行っており、また若手でも重要な業務を担当できることから、非常にやりがいと責任のある仕事です。また、大学等の研究機関や顧客との情報交換も活発に行っており、最新の情報に触れることができます。開発の進展に伴い事業の立ち上げにも加わっていただき、オールラウンダーとして成長できる環境が用意され... |
| 求める経験 | 【必須要件】以下、全てのご経験をお持ちの方 ・材料、機械、電気、化学を専攻 ・ウエハーメーカー、電機メーカー、電子部品メーカーにおける経験 ・結晶育成、セラミックス加工、またはウエハー上薄膜結晶成長、半導体デバイス形成・製造に関するいずれかの知識 ・結晶育成開発の経験、セラミックス加工経験、または半導体薄膜成長とその評価、いずれかの経験（3年以上） ・英語力：英語学術論文が労せず読めるレベル 【歓迎要件】 ・化合物半導体ウエハー又はそのデバイス応用に関する研究開発 ・化合物半導体の結晶育成、単結晶ウエハー加工、またはMOCVD成膜技術、化合物半導体デバイス製造技術のいずれかの知識 ・化合物半導体結晶育成の開発経験、単結晶ウエハー加工経験、または化合物半導体薄膜成長やデバイス作製とその評価、いずれかの経験（5年以上） ・危険物取扱者 ・高圧ガス製造保安責任者 ・英語力：ビジネス英会話が可能 |
| 勤務地 |
愛知県/名古屋市瑞穂区/須田町2-56
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| 年収 |
550-800万円 ※上記は年収は諸手当を含む金額です |
| 勤務時間 | 08:30 - 17:15（コアタイム：00:00 - 00:00） |
| 休日・休暇 | 年間125日／（内訳）週休2日制（土日）、年末年始、有給休暇（次年度12 日、以降勤続年に応じ最大20 日）、慶事休暇、産前産後休暇、育児休暇、介護休暇、リフレッシュ休暇 |
| 福利厚生 |
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金 通勤手当（同社規定により50,000円まで支給）、住宅手当（同社規定により3,200円?20,000円を支給）、家族手当（同社規定により扶養1人目14,500円、2人目以降6,000円 ※人数上限無し）、時間外手当 寮・社宅、退職金、財形貯蓄、資格取得、社員持株 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 【適性検査】有り 【面接回数】3回 【選考フロー】 書類選考→一次面接→二次面接→最終面接 |
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