【三重】パワー半導体向けのSiCウエハ生産技術開発 社名非公開
職種 | 【三重】パワー半導体向けのSiCウエハ生産技術開発 |
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社名 | 社名非公開 |
業務内容 |
【職務概要】 ・パワー半導体SiCウエハ加工に関わる生産技術開発 ・パワー半導体関連のベンチマーク調査分析 ・SiCに関わる生産技術(スライス加工、研削、CMP)の開発・実験・評価・工程設計 ・SiCに関わる設備の設置・生産準備 ※開発の状況に応じて、将来的には本社(愛知県刈谷市)・先端研究所(愛知県日進市)・大安製作所(三重県いなべ市)への転勤の可能性もございます。 【業務のやりがい・魅力】 ・要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます ・自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます ・システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます ・国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます ・社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます 【業務内容変更の範囲】 同社業務全般 |
求める経験 | 【必須】 ・半導体もしくはセラミック材料、特にSiウエハもしくはSiCウエハ加工(スライス、研削、CMP、検査)に関する生産技術もしくは設備開発の経験をお持ちの方 ・半導体に関わる新製品開発プロジェクト推進のマネジメント経験 【尚可】 ・半導体製造プロセス全般に関する経験・知識 ・半導体ウエハ・素子の検査技術に関する知識 ・語学力(英語):海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル |
勤務地 |
三重県
勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所
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年収 |
年収:400万~900万程度 月給制:月額254000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
勤務時間 |
9:00~18:00(所定労働時間8時間) ※フレックスタイム制あり(コアタイム:10時10分~15時25分) |
休日・休暇 | 【年間休日約120日】完全週休2日制(土・日曜日)、GW・夏季・年末年始各10日程度、有給休暇、特別休暇 |
募集背景 | 事業拡大に伴う人員不足解消のため |
福利厚生 |
各社会保険完備、通勤手当、家族手当、退職金制度、選択型福利厚生制度、住宅資金貸付、財形貯蓄、持株制度、独身寮、社宅、保養所、研修センター、各種文化体育施設 喫煙情報:敷地内禁煙 |
雇用形態 | 正社員 |
選考プロセス | 書類選考→一次面接→最終面接→内定 |
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