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化合物半導体基板 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 宮崎県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
|---|---|
| 年収 | 年収 550 ～ 900 万円 ■賞与：年2回（6月・12月） ■経験/年齢/能力等を考慮の上、当社規定により決定します。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【仕事内容】 SiCエピ・SiC基板の研究開発、評価に関する業務をご担当いただきます。 具体的には以下をご担当いただきます。 ■装置立上 8インチSiCエピ装置及びその評価装置の立上、安定稼働 等 ■エピ技術開発 8イ... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体の開発経験 ■駐在に抵抗の無い方 【歓迎要件】 ※下記いずれかのスキルを保有されている方 ■SiC等の化合物半導体エピ成長技術の知識、開発経験 ■SiC等の化合物半導体エピ評価の知識、開発経験 ■SiC... |
| 勤務地 | 宮崎県宮崎市清武町木原727 |
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| 年収 | 400万円～800万円 ■昇給：毎年4月に改定、賞与：年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値) |
| 業務内容 | SiCエピ・SiC基板の研究開発、評価に関する業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・装置立上 8インチSiCエピ装置及びその評価装置の立上、安定稼働 等 ・エピ技術開発 8インチSiCエピ成長技術の研究開発(エピ... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体の開発経験 ・駐在に抵抗の無い方 【歓迎】 ※下記いずれかのスキルを保有されている方 ・SiC等の化合物半導体エピ成長技術の知識、開発経験 ・SiC等の化合物半導体エピ評価の知識、開発経験 ・SiC等の化... |
| 勤務地 | 茨城県古河市鴻巣７５８ |
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| 年収 | 450万円～750万円 |
| 業務内容 | 同社の次世代半導体基板（GaN基板、SiC基板など）の研究開発職として以下の業務をお任せ致します。 ■次世代半導体基板（GaN基板、SiC基板など）の新規基板加工技術開発 ■次世代半導体基板の加工品質評価・分析 ■開発技術の特許出... |
| 求める経験 | 【必須】 ・物理、化学、機械のいずれかに関する知識 ・材料分析、精密加工、材料工学のいずれかに関する知識 【歓迎】 ・次世代半導体基板（GaN基板、SiC基板など）や化合物半導体基板の結晶加工、 結晶評価、結晶成長に関する技術開... |
| 勤務地 | 宮崎県宮崎市清武町木原727 |
|---|---|
| 年収 | 550万円 ～ 900万円 ■通勤手当 ■住宅手当 ■家族手当 |
| 業務内容 | 【仕事内容】 SiCエピ・SiC基板の研究開発、評価に関する業務をご担当いただきます。 具体的には以下をご担当いただきます。 ・装置立上 8インチSiCエピ装置及びその評価装置の立上、安定稼働 等 ・エピ技術開発 8インチSiCエ... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体の開発経験 ・駐在に抵抗の無い方 【歓迎】 ※下記いずれかのスキルを保有されている方 ・SiC等の化合物半導体エピ成長技術の知識、開発経験 ・SiC等の化合物半導体エピ評価の知識、開発経験 ・SiC等の化合物半導体基板の... |
| 勤務地 | 新潟県長岡市深沢町2085-16 |
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| 年収 | 500万円 ～ 750万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | 次世代半導体基板に関する研究開発業務をご担当いただきます。 長岡のオフィスで勤務いただき、将来的に弊社古河(茨城)への転勤の可能性がございます。 【具体的には】 ■次世代半導体基板（GaN基板、SiC基板など）の新規基板加工技術開発 ■次... |
| 求める経験 | 【必須】 ■物理、化学、機械のいずれかに関する知識 ■材料分析、精密加工、材料工学のいずれかに関する知識 【歓迎】 ■次世代半導体基板（GaN基板、SiC基板など）や化合物半導体基板の結晶加工、結晶評価、結晶成長に関する技術開発経験 ■... |