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次世代デバイス開発業務【つくば事業所】  /  京セラ

ジョブNo.08-51000925
職種 次世代デバイス開発業務【つくば事業所】
社名 京セラ
業務内容 パワーデバイス製品の新規ダイオードの開発を担当頂きます。新たなデバイス構造を実現するために必要となる最先端の技術情報をもとに技術連携先等と協働で構想設計から試作評価まで一貫して担当頂きます。ご経験に応じて入社半年後を目安に担当製品を決め専任として担当頂きます。ダイオードは、約10年サイクルで製品の改良が進めれておりますが、素材をシリコンウェハーから変えた次世代半導体(ワイドギャップ半導体、化合物半導体)等の開発も進めております。将来的には、研究開発業務を含め幅広いキャリア形成が可能です。

主に電力変換回路に使用されるパワーデバイスは地球温暖化や震災以降の省エネ化の流れを受け、スイッチングデバイスの低損失化の要求と低コスト化が求められており、その設計難易度が高くなってきています。産機・車載・サーバ向けインバータ素子として魅力あるパワーデバイス半導体の新製品開発で貢献していただきます。
求める経験 【必須要件】
■次世代パワー半導体(IGBT/MOSFET/HEMT/ワイドバンドギャップ半導体等)の研究もしくは開発経験
勤務地
茨城県つくば市
年収 400万円〜1000万円
雇用形態 正社員

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