プロセス開発エンジニア＜エピタキシャル成長装置＞ ニューフレアテクノロジー
| 職種 | プロセス開発エンジニア＜エピタキシャル成長装置＞ |
|---|---|
| 社名 | ニューフレアテクノロジー |
| 業務内容 |
■同社におけるエピタキシャル半導体製造装置開発の中で、プロセス開発（成膜）を担当いただきます。 【具体的には】 ■同社社内の装置を利用し、顧客先メーカーに対して実際にウェハを用いたプロセス開発を担当いただきます。 ・シリコン、GaN、SiC膜の成膜方法（レシピ）の開発と測定機による評価 ・装置の開発、客先でのデモンストレーション、メンテナンス、トラブル対応 ・プロセスに関する客先でのプロセス仕様打合せ、装置立上、客先でのプロセス支援 ※海外顧客の場合海外出張いただき、顧客先でレシピの調整を行います。 ※海外出張：有 年に2?3回、出張期間は1カ月?3カ月 ※業務で使用するツール：測定機操作（SEM、欠陥検査、膜厚、XRD等） 【エピタキシャル成長装置】 自動車やパワーエレクトロニクス分野に欠かせないパワーデバイス（化合物半導体材料）の成膜を担う装置になります。 同社製品はガリウムナイトライドの成膜技術に強みを持ち、均一に精度を保つことができ生産性が高いのが特徴です。 【アピールポイント】 ・電気自動車で使用される充電器や、通信技術の5G、6Gなどの基地局は、エピタキシャル装... |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下いずれも当てはまる方 ■国内外への長期出張が可能な方 ■半導体前工程のプロセスエンジニアとしてのご経験をお持ちの方 ※業務未経験でも、学生時代に半導体の研究に従事されていた方も歓迎です。 【歓迎要件】 ■半導体の製造等において何らかの成膜経験 ■半導体製造装置（CVD装置）を使用した成膜経験 ■半導体製造装置（CVD装置）で使用されるガスや、真空装置の取り扱い経験 ■英語でのコミュニケーションが可能な方 |
| 勤務地 |
神奈川県/横浜市磯子区/新杉田町8番1
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| 年収 |
420-1100万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合がございます。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 |
| 勤務時間 | 08:45 - 17:30（コアタイム：00:00 - 00:00） |
| 休日・休暇 | 年間128日／（内訳）完全週休2日制（土・日）、祝日、夏期休暇、年末年始、有給休暇（初年度入社1?19日（入社月による）、最大24日、繰り越し含め最大48日）、慶弔休暇、特別休暇、リフレッシュ休暇：勤続10年・20年・30年に取得、育児・介護休業制度、配偶者出産休暇制度 |
| 福利厚生 |
健康保険（東芝健康保険組合）、雇用保険、労災保険、厚生年金 通勤手当、住宅手当、資格手当、時間外手当、福利厚生支援制度：教育・健康・懇親 etc.に対し年間最大35万円の補助あり |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 【筆記試験】有（一次選考後に適性検査を受験いただきます） 【面接回数】2回 【選考フロー】一次選考（人事担当、部門担当）→最終選考（役員） |
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