製造技術開発＜SiC基板・単結晶成長＞ レゾナック
| 職種 | 製造技術開発＜SiC基板・単結晶成長＞ |
|---|---|
| 社名 | レゾナック |
| 業務内容 |
■SiC単結晶基板の「単結晶成長工程」に関わる製造技術開発の担当者として、以下業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・SiC結晶成長技術開発：結晶成長の設計、成長条件の検討、新規導入設備の立ち上げ ・原材料の検討：部材の設計、原材料の選定、部材・原材料の調達 ※担当業務については着任後にこれまでのご経験・ご志向を鑑み、相談のうえで決定します。 ※入社後は周囲のサポートをもらいながら業務をキャッチアップいただき、徐々に担当範囲を広げていくようなイメージです。 【やりがい・魅力点】 ・省エネルギー社会に求められる高効率パワーデバイスに使用されるSiC製品に関わることで、社会問題の解決の一部に直接貢献できる魅力的な事業です。 ・同社が注力する半導体材料であるSiCは、高効率パワーデバイスの需要拡大に伴う高い市場成長率が見込まれており、大幅な成長局面における業務経験ができます。 |
| 求める経験 | ＜必須要件＞ 下記いずれかの経験をお持ちの方 ・結晶成長もしくは半導体に関するプロセス設計・開発や技術開発の経験 ・半導体ドライプロセス経験をお持ちの方 L結晶成長工程では、SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸着させ、薄膜を形成しながらインゴットを生成していくため。 ＜歓迎要件＞ ・学会での発表経験もしくは特許出願経験 ・単結晶成長の知識や経験 ・半導体に関わる知識や経験 ・加熱装置に関する知識や経験 ・科学論文の読解能力（英語含む) |
| 勤務地 |
千葉県/市原市/八幡海岸通5-1
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| 年収 | 500-900万円 |
| 勤務時間 | 08:30 - 17:15（コアタイム：00:00 - 00:00） |
| 休日・休暇 | 年間123日／（内訳）完全週休2日制 、祝日、年末年始、その他一斉年休行使日5日有年次有給休暇、サポート休暇、特別休暇、産前産後休業、配偶者出産休暇、結婚休暇、忌慰休暇、公用休暇、罹災休暇、転勤休暇、リフレッシュ休暇、介護休暇、子の看護休暇、不妊治療休暇、母性健康管理休暇、アディショナル休暇、公傷休 |
| 福利厚生 |
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金 通勤手当、住宅手当、資格手当、家族手当、営業手当、地域手当、 寮・社宅、財形貯蓄、資格取得、社員持株、保養所 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 【筆記試験】有（適性検査） 【面接回数】2回 【選考フロー】 一次面接⇒ 最終面接 |
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