ダイオード|フォト に該当する転職・求人一覧
該当件数：233件 1ページ目
| 勤務地 | 神奈川県内 ※お客様先により異なる ※プロジェクト先により異なる 勤務地変更の範囲：取引先(案件先)の勤務地により異なる |
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| 年収 | 年収:400万～600万程度 月給制：月額220000円 給与:230,000円～ ／月 賞与:有 昇給:有 |
| 業務内容 | 【職務概要】 半導体関連装置の保守・メンテナンスをお任せします。 対象となるマスクブランクスとは低膨張ガラス基板の表面に膜を積層したフォトマスクの原板で、半導体製造プロセスで重要な役割を担います。最先端の技術に関わるポジションとなります... |
| 求める経験 | 【必須】 ・何らかの技術系経験をお持ちの方 ※整備士・製造オペレーター歓迎 ・海外出張業務にご興味のある方 【尚可】 ・半導体業界での業務経験をお持ちの方 ・外国籍特に台湾、中国ご出身の方も歓迎 |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上交通費全額支給社宅・家賃補助制度資格取得支援制度U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 福岡県小郡市小郡2409番地1 JR鹿児島本線「基山」駅より車で10分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:480万～520万程度 月給制：月額193000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（7月、12月） 昇給:年1回（4月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 単結晶圧電成膜技術とMEMS加工技術を用いて 高性能な圧電MEMSの開発におけるプロセス開発技術を担う部署です。 部署の人数は現状7名、20～30代が中心の組織です。 【職務詳細】 同部署ではMEMSプロセスにお... |
| 求める経験 | 【必須】 修士卒（機械系、電気・電子系） 学生時代にMEMSまたは半導体前工程プロセスについての研究を行っていた方 【尚可】 フォトリソグラフィ、エッチング、保護膜成膜いずれかの知見をお持ちの方 MEMSまたは半導体前工程プロ... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 埼玉県朝霞市幸町3丁目14番1号（朝霞事業所） 東武東上線「朝霞」駅からバスで10分 ※朝霞駅から事業所間直通バス有 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:500万～1100万程度 月給制：月額260000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:2回（6月・12月） 昇給:年1回（4月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社では、半導体エンジニアを募集しております。 【職務詳細】 採用ポジションが多数あるため、半導体エンジニアのご経験者を広く募集しています。ご経験に合ったポジションを提案致しますので、同社に興味をお持ちの方はぜひご応... |
| 求める経験 | 【必須】 ※下記いずれか必須 ■ICパッケージ開発業務の実務経験 ■半導体組み立て工程設計の実務経験 ■パワー半導体デバイスの開発・評価・生産技術いずれかの経験 ■半導体製造装置の知見 ■パワーモジュールの知見 等 |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上育児支援制度あり介護支援制度ありフレックス勤務U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 福岡県小郡市小郡2409番地1 JR鹿児島本線「基山」駅より車で10分 勤務地変更の範囲：勤務地からの変更はなし |
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| 年収 | 年収:700万～850万程度 月給制：月額437500円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（7月、12月） 昇給:年1回（4月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社で単結晶圧電成膜技術とMEMS加工技術を用いた、高性能な圧電MEMSの開発におけるプロセス開発技術の責任者としてマネジメントを行っていただきます。 【職務詳細】 下記業務を行っていただきます。 ・開発技術マ... |
| 求める経験 | 【必須】 ・MEMS研究開発のご経験または半導体前工程での専門知識を有する方 ・マネジメント経験 【尚可】 ・日常会話レベルの英語力（TOEICテストスコア600点目安） |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上英語を使う仕事社宅・家賃補助制度U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 宮城県多賀城市桜木3-4-1 JR仙石線「多賀城」駅から車で6分 ※部分リモートあり 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:650万～1500万程度 月給制：月額464300円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:2回 昇給:1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社のフォトニクス／化合物デバイス設計エンジニアとして光通信へ向けたフォトニクスデバイスの製品化実現を加速するための業務を行っていただきます。 【職務詳細】 ■化合物半導体による高速受光器の開発 FDTDやBPMを... |
| 求める経験 | 【必須】下記のいずれかを有し、海外のジャーナル論文などから知見を獲得し業務に反映できる事が必須となります。 ・半導体物性・波動光学の知見 ・半導体デバイス・光導波路の設計／評価経験 ・光導波路や半導体デバイスのシミュレーション経験 ... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 東京都新宿区四谷4-4-1 四谷国際ビル３階 丸ノ内線「四谷三丁目」駅より徒歩5分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:410万～670万程度 月給制：月額237000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6月、12月） 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 フォトマスクリペア装置に関して、お客様の業務に貢献できる技術サービスを提供いたします。 具体的には以下の業務となります。 【顧客先業務】 ・安定稼動を目的とした予防保全 ・不具合発生時の修理対応 ・新規納入時の... |
| 求める経験 | 【必須】 ・製造装置、精密機器など製品に関するエンジニア実務経験をお持ちの方 ・日本語コミュニケーションの取れる方（N1相当） ・普通自動車運転免許 【尚可】 ・関連装置の使用経験のある方 ・サービスエンジニアの就業経験がある方... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上介護支援制度あり社宅・家賃補助制度資格取得支援制度フレックス勤務U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 大阪府大阪市中央区本町1-7-7 WAKITA堺筋本町ビル8F 大阪市営地下鉄中央線「堺筋本町」駅13号出口より徒歩約1分 大阪市営地下鉄御堂筋線「本町」駅より徒歩約6分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:400万～700万程度 月給制：月額200000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 カーオーディオ、カーナビ等の組込み系のソフトウェア開発をお任せします。 【職務詳細】 要件定義、設計、開発、テストまで一貫した開発を行います。 具体的には以下の開発をお任せします。 ・カメラ ・フォトプリン... |
| 求める経験 | 【必須】 ・C言語での開発経験（C++、C#の経験があれば尚可） 【尚可】 ・組込みソフトウェアの開発経験 ・リアルタイムOS上での開発経験 ・設計書、仕様書等のドキュメント作成能力 ・オートモーティブ系の組込み開発経験（カ... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上英語を使う仕事U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 茨城県日立市（詳細は面接時に確認） 茨城県日立市（詳細は面接時に確認） 勤務地変更の範囲：取引先(案件先)の勤務地により異なる |
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| 年収 | 年収:400万～600万程度 月給制：月額250000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 パワー半導体における設計・製品開発業務を担当いただきます。 【職務詳細】 製品：パワー半導体製品 （IGBT・SiCモジュール／高耐圧ＩＣ／パワーダイオード)のデバイス開発、プロセス開発、回路設計、パッケージ設計、... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体設計経験3年以上 【尚可】 ・IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験 ・デバイス、プロセス設計、回路設計、量産展開経験 ・シミュレーションを用いたデバイス、プロセス設計経験 ・TOE... |
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正社員
完全週休二日制英語を使う仕事交通費全額支給社宅・家賃補助制度資格取得支援制度U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 秦野製作所：神奈川県秦野市曽屋400 技術研究所：神奈川県横浜市青葉区荏田西1-3-1 秦野製作所：小田急線「渋沢」駅より車で12分 技術研究所：田園都市線「市が尾」駅より徒歩15分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:430万～900万程度 月給制：月額240000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回（5月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 可視光VCSELのデバイスプロセス、評価解析、および結晶成長 【職務詳細】 ■秦野・横浜 ・フォトリソグラフィ、各種成膜（スパッタリング、蒸着）、エッチング等 ・デバイス特性評価、各種信頼性評価・故障解析等 ... |
| 求める経験 | 【必須】 半導体デバイス（光デバイス、特にレーザー）の知識・経験を有する方(業務経験3年以上) 【尚可】 ・半導体デバイスプロセスの実務経験 ・結晶成長（MOCVD）の実務経験 |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上介護支援制度あり社宅・家賃補助制度U・Iターン歓迎フレックス勤務
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| 勤務地 | 栃木県 勤務地変更の範囲：会社の定める場所(リモートワークを行う場所を含む) |
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| 年収 | 年収:550万～900万程度 月給制：月額300000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:2回 昇給:1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社にて半導体のプロセスエンジニアを担当していただきます。 【職務詳細】 1.フォトニクス領域における製品化に向けた半導体プロセス開発 光半導体デバイスなど、新しいデバイスを製造するためのプロセス技術開発。具体的に... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体プロセス開発、もしくは半導体プロセスインテグレーションのご経験のある方 【尚可】 ・半導体の前工程（CVD、PVD、スパッタ、RIE、フォトリソグラフィなど）の複数工程をご経験の方 ・プロジェクトをリーディング... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度U・Iターン歓迎フレックス勤務
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