トランジスタ|超高周波用デバイス に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 |
神奈川県
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| 年収 |
500万円～900万円
※経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。※昇給年1回（4月）、賞与年2回（6月、12月）
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| 業務内容 |
当社は、世界シェアの高い製品を多数保有し、グローバルに約400社、28万人を擁するグローバルカンパニーです。
その1つの化合物GaN増幅器のさらなる高効率化・高線形化に向けた、研究開発に取り組んでいます。
・具体的にお任せする業務
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| 求める経験 |
＜必須要件＞
・高周波回路技術開発の経験
・デジタル歪補償技術開発の経験
・業務での海外渡航可能な英語力（TOEIC 550点以上）
＜歓迎要件＞
・AI技術開発の経験
・化合物半導体デバイスの知識
・モデリングの経験
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| 勤務地 |
神奈川県
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| 年収 |
500万円～1000万円
※経験・能力・前職を考慮の上、優遇。
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| 業務内容 |
仕事概要
3D NANDの製品・技術開発を担当頂きます。
主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセル、およびそれを駆動する周辺回路やトランジスタを電気的に測定・解析し、プロセス開発、製品の性能・信頼性向上のための技術開発を行...
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| 求める経験 |
【必須】
■数年以上の半導体デバイス/不良解析/テストいずれかの経験
■英語での会話ができることがのぞましい
■歓迎条件：
メモリプロセス/デバイス（フラッシュ、EEPROM、DRAM、SRAM）に関する深い知識と経験
C、C... |
三菱電機エンジニアリング株式会社 鎌倉事業所
閲覧済み
| 勤務地 |
神奈川県
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| 年収 |
450万円～930万円
■昇給：年1回、賞与：年2回（6月、12月）
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| 業務内容 |
【業務概要】
三菱電機(株)情報技術総合研究所の業務に参画し、高周波増幅デバイス等の評価業務を行います。
・トランジスタチップ及び増幅器チップの測定治具へのダイボンディング（はんだ付け、接着）
・増幅デバイスの小信号測定、大信号測定及...
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| 求める経験 |
■必要条件
高周波分野（例：エスパラメーター）を用いる評価や設計のご経験（1年以上） |
| 勤務地 |
神奈川県
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| 年収 |
300万円～750万円
※給与額は経験・スキル等を充分考慮の上、決定します
※上記給与は時間外手当を含まない金額です
※上記年収は、入社時の想定金額です
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| 業務内容 |
CMOSセンサーの開発業務
※これまでのご経験やご希望に応じて担当業務を決定いたします。
研究開発：次世代イメージセンサ向けの材料・プロセス開発
回路設計：トランジスタレベルの回路設計、レイアウト設計、特性検証、信頼性検証、FPGA...
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| 求める経験 |
[必須要件※以下いずれかのご経験]
■理工系学部卒の方（機械・電気・電子・情報・理学・化学・数学・農学・バイオなど） または、
■電気電子の基礎知識をお持ちの方 または、
■オシロスコープ等の計測器の使用経験または知識を有している方
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| 勤務地 |
山形県
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| 年収 |
500万円～1000万円
年収は経験・スキルを考慮の上、決定されます。
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| 業務内容 |
＜業務内容＞
半導体デバイス開発(トランジスタ)
試作品の流動指示・管理
試作品の評価・解析
プロセスフロー制定、デザインルール制定
【職種の変更の範囲】当社業務全般
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| 求める経験 |
【必須（MUST）】
・機械系、電気系メーカーでの製品設計や生産技術の経験
もしくは
・電子機器、電子デバイスの電気的特性評価・解析の経験
【歓迎（WANT）】
・検査プログラム開発経験(C、C++、Visual Basicなど... |
| 勤務地 |
兵庫県
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| 年収 |
320万円～500万円
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| 業務内容 |
国内約50％、世界約40％のシェアを誇る、主推進機関の遠隔制御システムの電気：制御装置部のレイアウト設計をする上での電気回路作図
職務詳細：
（1）単相AC100～440v、およびDC24Vを使用した電気回路作図
（2）（1）のトラ...
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| 求める経験 |
【必須】
■電気系のバックグラウンド
【歓迎】
■回路設計の実務経験がある方 |
| 勤務地 |
富山県
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| 年収 |
400万円～900万円
モデル年収/参考（20残込）：20代450-550万 30代550-700万 40代700万以上
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| 業務内容 |
5G基地局向けRF-GaNデバイスの製品化・量産化に向けた結晶成長技術開発、ウェハプロセス開発、工程設計、量産技術開発、評価
解析等を担当して頂きます。
GaN系デバイスの結晶成長技術開発
・MOCVD法を用いた薄膜成長技術の開...
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| 求める経験 |
【必須】※応募時には顔写真データも必要となります
・結晶成長技術に興味関心のある方
・GaNのプロセス開発に興味のある方
【歓迎】
・化合物半導体材料の知識
・化合物半導体の結晶成長技術経験、ウェハプロセス開発経験
・半... |
| 勤務地 |
東京都/千代田区/神田美土代町9-1 MD神田ビル4F
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| 年収 |
500-800万円
※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合がございます。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。
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| 業務内容 |
■高速データ伝送インターフェースの設計開発をご担当頂きます。
【具体的には】
■高速データ伝送インターフェースの設計開発
■トランジスタレベルのアナログ回路設計（PLL、A／D、D／A、高速IF、電源ICなど）
■フルカスタムレイアウトに...
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| 求める経験 |
【必須要件】
■アナログLSI(SerDes関連製品の開発経験)のご経験をお持ちの方
【歓迎要件】
■MIPI, LVDS, USB3.0, PCI Express, HDMI, DVI, eDP等SerDes関連製品の開発に携わったご経... |
| 勤務地 |
京都府
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| 年収 |
700-1000万円
※前職の給与が同社給与決定の判断材料となります。
※勤務時間は配属先に準じます。
※残業時間は月平均20?30時間ほど（全額支給）
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| 業務内容 |
ハイクラスエンジニアとしてご経験に応じて各社メーカーにて電機・電子設計業務（回路設計/アナログ・デジタル）を担当していただきます。
＜担当業界例＞
自動車関連、ロボット、家電、医療、航空機など
■電子回路設計
・SW入力〈メカ、トランジス...
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| 求める経験 |
【必須要件】※以下のご経験をお持ちの方
■アナログ回路、デジタル回路の設計・開発経験をお持ちの方
【歓迎要件】
■プロジェクトマネジメント経験
■車載系の設計経験
■IC開発（FPGA、ASIC+++デジタル回路設計〉経験 |
| 勤務地 |
京都府
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| 年収 |
300-800万円
※前職の給与が同社給与決定の判断材料となります。
※勤務時間は配属先に準じます。
※残業時間は月平均20?30時間ほど。（全額支給）
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| 業務内容 |
■経験に応じて各社メーカーにて電機・電子設計業務（回路設計/アナログ・デジタル/PLC）を担当していただきます。
＜担当業界例＞
自動車関連、ロボット、家電、医療、航空機など
■電子回路設計
・SW入力〈メカ、トランジスタ〉 ・センサ入力...
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| 求める経験 |
【必須要件】※以下のご経験をお持ちの方
■アナログ回路、デジタル回路の設計・開発経験をお持ちの方
■PLC、ラダー設計経験をお持ちの方
【歓迎要件】
■プロジェクトマネジメント経験
■車載系の設計経験
■IC開発（FPGA、ASIC+++... |
