プラズマCVD|CVD に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 神奈川県秦野市曽屋400 |
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| 年収 | 450万円 ～ 800万円 ■通勤手当 ■住宅手当 ■家族手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | RD24_02 【秦野／鶴岡】可視光半導体レーザーの研究開発 【募集の背景】 将来の光源研究の加速化に向け、可視光半導体レーザーの研究開発員の増員募集となります。 結晶成長人員の補充が急務となるため、ご経験がある方をお迎え... |
| 求める経験 | 【求めるスキル】 必須 ・半導体結晶成長または素子化プロセスの知識・経験 ・実務経験2年以上 以下いずれか必須 ・光学評価（PL，EL）、電気的評価（I-V、Hall、C-V）、結晶評価（XRD、SIMS、TEM）の知識... |
| 勤務地 | 神奈川県秦野市曽屋400 |
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| 年収 | 450万円 ～ 800万円 ■通勤手当 ■住宅手当 ■家族手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | EL24_01 【秦野】深紫外LED用素子の設計 【募集の背景】 同社では深紫外LEDの研究・開発・量産を行っています。 LEDの中でも特に技術難易度が高い波長ですが、半導体基板作製、結晶成長、素子化行程、パッケージ化まで... |
| 求める経験 | 【求めるスキル】 半導体の知識があること 【歓迎スキル】 下記のいずれかの知識や経験が一つ以上ある方 ・半導体素子の設計 ・半導体結晶成長 ・半導体プロセス ・半導体の評価 例えば、光学評価（PL，... |
| 勤務地 | 山形県鶴岡市宝田1-11-73 |
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| 年収 | 350万円 ～ 900万円 ■通勤手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | 【当ポジションのミッション】 工場の稼働を止めることなく、安定的な生産を実現することに加え、設備改善を通じて生産性向上、コスト削減に寄与し、同社製品の優位性を高めることをミッションとしております。 【お任せする業務】 半導... |
| 求める経験 | 【必須】 ■設備保全、生産技術などを経験し、機械・電気に関する知見をお持ちの方 ■製造現場に近い位置でエンジニアとして経験を積みたい方 ■高校卒以上 【歓迎】 ・半導体デバイス／装置メーカーでの生産設備の改善・開発... |
| 勤務地 | 熊本県菊池郡菊陽町大字原水4000-1 |
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| 年収 | 400万円 ～ 900万円 ■通勤手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | 【仕事内容】 半導体ウェーハ工程の生産設備（DRY・DIFF・CVD・PVD・WET・工程等）の開発・導入、生産性改善、歩留改善や生産Capa構築（設備導入・立上げ）、コストダウン、品質改善、設備汎用化対応を行う仕事です。 ※業務内... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※以下いづれかの経験をお持ちの方 ■半導体デバイス／装置メーカーでの生産設備の改善・開発、立上げ・保守の経験 ■半導体装置メーカーでのフィールドサポートや生産プロセス技術全般の経験 ■電気・電子・機械系学部学科... |
| 勤務地 | 鹿児島県霧島市国分野口北5-1 |
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| 年収 | 450万円 ～ 900万円 ■通勤手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | 【業務内容】 200mm Wafer製造ラインの技術支援 【担当予定の業務内容】 CVDプロセスの工程エンジニア プロセス改善、異常品対応、開発業務 【職場の雰囲気】 人数的には30程度の組織で、業務に対... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■Waferプロセスエンジニア業務 【求める人物像】 ■エンジニア間の連携が求められるため、一般的なコミュニケーション能力をもつ人材を求めます。Waferプロセスエンジニア業務 |
| 勤務地 | 埼玉県羽生市藤井下組1094 |
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| 年収 | 400万円 ～ 550万円 ■通勤手当 ■残業手当 ■役職手当 ■その他手当 |
| 業務内容 | 【業務内容】 半導体製造装置（プラズマCVD装置、エッチング装置、スパッタリング装置）に搭載されるアルミニウムやステンレス製の高精度部品の工程設計、試作品製作、テストサンプル評価などの業務をお任せします。 ≪具体的には≫ ... |
| 求める経験 | 【必須条件】 ※下記いずれかを満たす方 ■機械図面が読める方（CAD使用経験があれば尚可） ■アルミニウムやステンレスの生産や設計業務に携わった経験のある方（機械加工・熱処理・表面処理などいずれか） 【歓迎条件】 ... |
| 勤務地 | 大阪府 |
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| 年収 | 500万円～900万円 給与事例（残業20ｈ/月想定）：30歳/650万前後 35歳/770万前後 |
| 業務内容 | 新たな成長フェーズに入った半導体市場で微細加工プロセスや三次元積層における材料開発に携わっていただきます。具体的には微細配線や3D-NAND用絶縁膜を形成するための製膜剤（プリカーサー）開発や、そのプリカーサーを用いたCVD/ALDによる薄... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体薄膜工程プロセス用有機・無機材料開発を行ってきた開発経験者の方 ・プロセス設計（成膜評価/信頼性評価 等）の開発経験者の方 ・経験年数：5年程度 |
| 勤務地 | 三重県 |
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| 年収 | 400万円～700万円 ※経験・能力を考慮し、規定により決定致します。 |
| 業務内容 | ASM米国製のエピタキシャル成長装置(基盤結晶を成長させて薄膜を形成する装置)、CVD・ALD、エッチング装置のメンテナンスや調整、トラブル対応等をお任せします。 【当社の強み】全てオーダーメイド・カスタマイズのため顧客に選ばれています... |
| 求める経験 | 【必須】※下記いずれかの経験をお持ちの方 ・半導体装置のフィールドエンジニア経験をお持ちの方 【歓迎】 ・自動車整備、航空整備等の経験をお持ちの方 ・英語に抵抗のない方（入社後に英語トレーニングなど支援が御座います。） ・半導体ま... |
| 勤務地 | 愛知県 |
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| 年収 | 450万円～1000万円 ※前職の給与を考慮の上、当社規定で決定致します ※モデル年収...大学卒 30歳 694万円／月給35万円（扶養家族2名分の家族手当・住宅手当込み、年収額は残業25h/月込み） |
| 業務内容 | 【業務】新しい機能性無機材料開発に関する業務で、当面はダイヤモンドの成膜技術開発に取り組んでいただきます。並行して新しい有望材料・技術の探索も実施します。ダイヤモンド開発については、成膜条件の検討だけでなく成長メカニズム解析などの基礎研究に... |
| 求める経験 | 【必須】 ■無機材料に関する研究、技術開発経験 【歓迎】 ・ダイヤモンドの結晶成長・エピ成膜・デバイス開発に関する業務経験 ・結晶成⾧、気相成膜プロセス（プラズマCVD法、MOCVD 法、HVPE 法等）に関する業務経験 |
| 勤務地 | 神奈川県 |
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| 年収 | 500万円～750万円 経験・年齢・スキル・前給等を考慮の上、当社規定により決定いたします |
| 業務内容 | 【募集の背景】 将来の光源研究の加速化に向け、半導体結晶成長に関わる人員の補充が急務となるため、ご経験がある方をお迎えしたいと考えております。 【配属部門の概要】 GaN系材料を用いた各種可視光レーザー研究・開発を行っています。M... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体結晶成長または素子化プロセスの知識・経験 ・光学評価（PL EL）、電気的評価（I-V、Hall、C-V）、結晶評価（XRD、SIMS、TEM）の知識・経験 ・実務経験2年以上 【歓迎スキル】 ・GaN系材料... |