先行開発 に該当する転職・求人一覧
勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
---|---|
年収 | 年収 600 ~ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
業務内容 | 【業務内容】 ■画像センサ向け組込みソフト/ハードの設計開発 ・画像処理・カメラ制御処理及びアプリの開発・回路設計・マイコン/SoC等への組込み実装 ・画像センサ制御等のソフト組込み・基本ソフト開発のプロジェクトマネジメント ・国... |
求める経験 | 【必須要件】 ■C/C++によるソフトウェア開発経験 ■組込みソフトの設計経験 または ■回路設計経験 |
勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
---|---|
年収 | 年収 600 ~ 1250 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
業務内容 | 【業務内容】 車載通信機の先行開発・量産開発業務 ・次世代通信プラットフォーム向け企画提案活動 ・次世代通信プラットフォーム向けPoC開発 ・車両メーカーとの渉外活動 ・車載通信機向け仕様開発(要求、要件) ・車載通信機向けソ... |
求める経験 | 【必須要件】 ■通信&自動車領域での勤務経験(3年以上程度) ■通信システム設計、及び通信を使ったサービス開発経験あり(3年以上) ■顧客折衝、及びチームけん引経験あり(3年以上) 【歓迎要件】 ※下記のいずれかの知識/経験を... |
勤務地 | 東京都 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
---|---|
年収 | 年収 600 ~ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
業務内容 | 【業務内容】 ソフトウェア開発の効率化に向けたAI活用技術の先行開発 ・ソフトウェア開発で使えるAI技術の社外動向(産学)調査分析 ・AI技術の開発・評価 ・AI技術を搭載したソフトウェア開発ツールの開発・評価(クラウドサービス上... |
求める経験 | 【必須要件】 ※以下いずれかのご経験をお持ちの方。 ■機械学習/AI技術に関する研究またはプロダクト開発の経験3年以上 ■DXソリューション企画またはソフトウェア開発プロジェクトのリーダーの経験3年以上 ■AWSなどクラウドプラット... |
勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
---|---|
年収 | 年収 440 ~ 750 万円 賞与年2回(7月、12月) なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
業務内容 | 【ミッション】 自社の樹脂部品に電子モジュールを付与し、高付加価値商品の開発推進 【主要業務】 照明製品等の電子回路の設計業務推進 ・回路設計、設計計算、FMEA,FTA,DRBFM、社内品質会議推進、量産立ち上げフォロー ... |
求める経験 | 【必須要件】 ・電子回路設計の経験 及び 量産実務経験 【歓迎】 ・電子回路設計の量産実務経験 ・アナログ回路設計 ・電源回路設計 ・車載通信知識(LIN、CXPI、CAN等) ・LED制御回路設計(PWM制御等) ・F... |
勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
---|---|
年収 | 年収 600 ~ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
業務内容 | 【業務内容】 水素活用を実現するECUの製品企画・先行/量産開発 ・市場調査・ベンチマーク ・車両メーカとの仕様・要件開発 ・半導体メーカとの電子部品開発 ・ECU製品企画 ・ECU量産開発 海外拠点・顧客とのコミュ... |
求める経験 | 【必須要件】 ■電子回路設計経験 【歓迎要件】 ※下記のいずれかの知識/経験を有している方 ■電気、材料工学に関する知識 ■ソフトウェア開発に関する知識 ■自動車業界での開発経験 ■半導体業界での開発経験 |
勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
---|---|
年収 | 年収 600 ~ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
業務内容 | 【業務内容】 車載ネットワークシステムを構成する以下の要素技術開発 ※以下の業務のいずれかに携わっていただきます (1)ネットワーク間のデータ中継機器(ゲートウェイ)に関する開発 (Ethernetスイッチ / Etherne... |
求める経験 | 【必須要件】 ※以下いずれかの業務を3年以上経験した方 ■データ通信に関わる製品設計または開発 ■通信機能搭載機器(有線 または 無線)の製品設計または開発 ■組込み系機器の製品設計または開発 ■各種シミュレーション環境構築(ネッ... |
勤務地 | 東京都 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
---|---|
年収 | 年収 600 ~ 1250 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
業務内容 | 【業務内容】 世界トップレベルの安全性と利便性を備えた自動運転システム・車載コネクテッドサービスに対応するSoCの企画・研究を推進中です。 当面は、下記(1)~(4)いずれかの研究に従事しながら、将来的にこの研究領域を牽引して頂き... |
求める経験 | 【必須要件】 ■以下いずれかを3年以上の業務経験を有すること ■ソフトウエア プラットフォーム研究・開発・設計 ■ソフトウェア アーキテクチャ 研究・開発・設計 ■SoC/システムLSI アーキテクチャ 企画・研究・開発・設計 ■... |
勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
---|---|
年収 | 年収 600 ~ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
業務内容 | 【業務内容】 パワーエレクトロニクス回路、及び制御技術の研究開発 ・インバータ、コンバータ回路開発 ・SiC、GaNデバイス駆動回路開発 ・モータ制御、電源制御開発 ・耐EMC回路、解析技術開発 ・ロジック回路RTL設計、FP... |
求める経験 | 【必須要件】 ■電子回路、電気回路に関する知識を有すること(大学卒業レベル) ■パワーエレクトロニクス回路、または制御技術開発経験(3年以上) 【歓迎要件】 ■パワーエレクトロニクス回路、または制御技術開発経験(5年以上) ■... |
勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
---|---|
年収 | 年収 600 ~ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
業務内容 | 【業務内容】 パワーデバイス材料研究、デバイス開発 ・SiCウェハガス成長法の研究開発 ・SiCエピタキシャル成長の研究開発 ・横型GaN-HEMTのデバイス開発 ・縦型GaN-MOSFETのデバイス開発 ・α酸化ガリウム半導... |
求める経験 | 【必須要件】 ■パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること(大学卒業レベル) ■半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験(3年以上)を有すること 【歓迎要件】 ■第... |
勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
---|---|
年収 | 年収 450 ~ 900 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
業務内容 | <企業Vision&Missio> Vision モビリティの可能性を追求し、活力ある社会をつくります Mission 独創的な商品と優れたサービスにより、お客様に新たな体験を提供します 社会の持続可能な発展に貢献します 信... |
求める経験 | <必須要件> ■実務経験 3年以上 ■HMIに関係するシステム設計、コンポーネント開発経験(業種問わず) ■英語力 TOEIC 500点以上(600点未満でも向上意欲のある方) ■計測データの解析経験(エクセル等) ■新しい知識/... |