増幅器 に該当する転職・求人一覧
該当件数：26件 1ページ目
| 勤務地 | 神奈川県鎌倉市上町屋730 富士塚ビル 湘南モノレール「湘南町屋」駅より徒歩7分 勤務地変更の範囲：勤務地からの変更はなし |
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| 年収 | 年収:450万～930万程度 月給制：月額268600円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6月、12月） 昇給:年1回（4月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社は三菱電機のパートナーとして研究開発の設計・解析・評価の専門会社です。今回のポジションでは、三菱電機(株) 情報技術総合研究所の業務に参画し、高周波増幅デバイス等の評価業務をお任せします。 【職務詳細】 ■トラン... |
| 求める経験 | 【必須】 ・高周波分野（例：エスパラメーター）を用いる評価や設計の経験（1年以上） 【補足情報】 ■社内教育システムも充実しており、初級～上級までS／W教育プログラムが整備されています。本人の希望も聞きながら計画的なエンジニア育成... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度資格取得支援制度U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 神奈川県綾瀬市上土棚中3ー11ー23 小田急江ノ島線「長後」駅より車で6分 |
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| 年収 | 年収:800万～1000万程度 月給制：月額250000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 通信インフラシステムに使用される高周波デバイスの新規開発にて プロジェクトマネジメントおよび設計業務をお任せします。 【職務詳細】 ■製品例：パッシブコンポーネント(減衰器、フィルタ、切替器等)、アクティブコンポー... |
| 求める経験 | 【必須】 ・通信機器の回路設計経験(高周波回路／モジュール／システム等) ・製品仕様を基に、設計／解析、試作、評価まで一通り行える方 【尚可】 ・回路シミュレータを用いた回路設計経験(ADS、LTspice等) ・回路CA... |
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正社員
完全週休二日制育児支援制度ありU・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 神奈川県綾瀬市上土棚中3ー11ー23 小田急江ノ島線「長後」駅より車で6分 |
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| 年収 | 年収:450万～600万程度 月給制：月額280000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 高周波回路設計エンジニアとして下記業務をお任せします。 【職務詳細】 ■製品：高周波デバイス ■製品例：パッシブコンポーネント(減衰器、フィルタ、切替器等)、アクティブコンポーネント(増幅器、発振器、周波数変換器等... |
| 求める経験 | 【必須】 ・通信機器の回路設計経験 ・回路シミュレータを用いた回路設計経験(ADS、LTspice等) ・回路CADを用いた回路設計経験(CR8000等) ・製品仕様を基に、設計・解析、試作、評価まで一通り行える方 【尚可】 ・... |
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正社員
転勤無し完全週休二日制年間休日120日以上育児支援制度あり介護支援制度ありU・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 神奈川県 |
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| 年収 | 500万円～800万円 ※上記年収レンジは目安です。前職の給与・スキル・経験・等を考慮の上、当社規定で決定致します。 ※24年度新卒月額例：学部卒250000円／修士卒275000円／博士卒324500円 |
| 業務内容 | ＜レーダ装置等の電力増幅器を含む送信構成品や低雑音増幅器を含む受信構成品等のマイクロ波半導体の回路設計業務＞ 弊社の社会インフラ事業は、長年にわたり、社会の重要なライフラインを支える公共性の高いお客様に対して、製品・ システム・ サービス... |
| 求める経験 | [必須要件]※業界不問／製品不問 ・ 高周波回路設計技術 ・ モノリシックマイクロ波集積回路設計技術 [歓迎要件] □CAD技術、電磁界解析技術、高周波回路測定技術尚可 |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県 |
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| 年収 | 500万円～900万円 ※経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。※昇給年1回（4月）、賞与年2回（6月、12月） |
| 業務内容 | 当社は、世界シェアの高い製品を多数保有し、グローバルに約400社、28万人を擁するグローバルカンパニーです。 その1つの化合物GaN増幅器のさらなる高効率化・ 高線形化に向けた、研究開発に取り組んでいます。 ・ 具体的にお任せする業... |
| 求める経験 | ＜必須要件＞ ・ 高周波回路技術開発の経験 ・ デジタル歪補償技術開発の経験 ・ 業務での海外渡航可能な英語力（TOEIC 550点以上） ＜歓迎要件＞ ・ AI技術開発の経験 ・ 化合物半導体デバイスの知識 ・ モデリン... |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県 |
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| 年収 | 500万円～900万円 ※経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。※昇給年1回（4月）、賞与年2回（6月、12月） |
| 業務内容 | 当社は、世界トップシェアの製品を多数保有し、グローバルに約390社、28万人を擁するグローバルカンパニーです。そのグローバルシェア1位の1つである、化合物GaN増幅器のさらなる高性能化、高機能化に向けた、研究開発に取り組んでいます。 ... |
| 求める経験 | ＜必須要件＞ ・ 半導体プロセスの後工程(実装工程)の開発経験 ・ 半導体デバイスの基礎知識 ・ 語学力：海外渡航可能な英語力（TOEIC 550点以上） ＜歓迎要件＞ ・ 半導体後工程プロセスの要素技術開発 ・ 部品実装工... |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 山梨県 |
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| 年収 | 500万円～900万円 ※経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。※昇給年1回（4月）、賞与年2回（6月、12月） |
| 業務内容 | １携帯電話基地局向けGaN－HEMTを用いたデバイス、増幅器設計開発 ２顧客向けドハティ増幅器の設計開発 ３高周波シミュレータADS、 MWOを用いた設計、解析 ４試作品の高周波特性、信頼性評価 ５高周波パッケージ開発、および生産技... |
| 求める経験 | ※必須要件(いずれか) ・ 高周波、高出力増幅器の設計開発経験 ・ 高周波(GHzオーダー)RF測定スキル ・ 高周波シミュレータADS、MWOを使った設計経験、電磁界解析経験 ・ 高周波、高出力トランジスタ用パッケージ開発経験、ま... |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県 |
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| 年収 | 450万円～930万円 ■昇給：年1回、賞与：年2回（6月、12月） |
| 業務内容 | 【業務概要】 三菱電機(株)情報技術総合研究所の業務に参画し、高周波増幅デバイス等の評価業務を行います。 ・ トランジスタチップ及び増幅器チップの測定治具へのダイボンディング（はんだ付け、接着） ・ 増幅デバイスの小信号測定、大信号測... |
| 求める経験 | ・ 必要条件 高周波分野（例：エスパラメーター）を用いる評価や設計のご経験（1年以上） |
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正社員
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| 勤務地 | 東京都 |
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| 年収 | 500万円～600万円 |
| 業務内容 | 光部品製造メーカや研究者に対して、製品検査機器及び研究・ 開発用機器を提供するため、設計製造開発する光学装置の企画、開発、設計等をご担当していただきます。この他にも、営業と同行してお客様に製品説明を行うなど開発全体に携わる業務をお任せします... |
| 求める経験 | 【必須】 ・ 回路設計の実務経験がある ・ 回路図CADソフトが使用出来る(出来ればAltium使用経験がある方が望ましいが、CADソフト名までは問わない) ・ 部品サイズ1005程度の微細なハンダ付け、基板の改造や、オシロ等測定器を... |
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正社員
転勤無し年間休日120日以上
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| 勤務地 | 神奈川県横浜市栄区金井町1番地 |
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| 年収 | 550万円 ～ 800万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当 ■その他手当 |
| 業務内容 | 【業務内容】 高周波デバイス、増幅器開発、高周波パッケージの開発業務と一部生産技術業務をお任せ致します。 【詳細】 ■携帯電話基地局向けGaN－HEMT向け高周波パッケージ開発、および生産技術 ■パッケージ技術開発、試... |
| 求める経験 | 【必須スキル】 以下いずれかのご経験がある方 ■高周波、高出力トランジスタ用パッケージの開発または製造技術経験 ■パッケージ製造装置の選定／導入／立上げ経験 ■CAD等による作図経験 ■機構部品の信頼性試験、解析 |
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正社員
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