powered by  

素子 に該当する転職・求人一覧

勤務地 東京都千代田区霞が関3-2-5 霞が関ビルディング25階 東京メトロ銀座線「虎ノ門」駅徒歩2分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所
年収 年収:440万~750万程度 月給制:月額200000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回
業務内容 【職務概要】 ご本人の希望、適性によってモデルベース開発を用いた電気駆動システムおよびインバータ回路基板・インバータ主回路開発に関わる以下の業務を担当いただきます。 (※主回路:高電圧素子であるパワーモジュールやそれを駆動するゲートドラ...
求める経験 【必須】 ・自動車業界に限らず、インバータ回路基板開発に関わるご経験をお持ちの方 ・電気工学系(電磁設計/電気回路設計/パワーエレクトロニクス/制御など)の高専・大学卒以上もしくは同等の基礎知識をお持ちの方 ※入社後に自動車製品やイン...
勤務地 愛知県
年収 年収:500万~1200万程度 月給制:月額208000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回
業務内容 【職務概要】 同社にて、電動車向けパワーモジュールの企画・開発・設計をお任せします。 【職務詳細】 ・顧客(車両メーカ&社内システム部署)への製品提案&技術折衝 ・市場/システム/電力変換技術の動向や競合の製品&技術調査&分析 ...
求める経験 【必須】 ・インバータ/コンバータなど電力変換機器に内蔵される半導体モジュールまたは半導体デバイスに関する経験または知識 【尚可】 ※電力変換機器用パワーモジュール関連の下記いずれかの経験者 ・パワーモジュール開発&設計 ・モ...
勤務地 愛知県 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所
年収 年収:400万~800万程度 月給制:月額220000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回
業務内容 【職務概要】 電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOS&Si-IGBT)に関する業務をお任せいたします。 【職務詳細】 ・製品企画 ・戦略立案 ・仕様検討 ・技術動向調査 など 【募集背景】...
求める経験 【必須】 ・戦略立案、マーケティングに関する経験 ※パワー半導体の経験有無は問いません 【尚可】 ・パワー半導体に関する知識を有すること  ・半導体素子の設計やプロセスインテグレーション、ウエハ加工技術の開発経験(目安:3年以上)...
勤務地 愛知県
年収 年収:400万~1200万程度 月給制:月額208000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回
業務内容 【職務概要】 電動車用インバータシステム向けパワーモジュールの企画/開発/設計業務をおまかせします。 【職務詳細】 ・顧客(車両メーカ&社内システム部署)への製品提案&技術折衝 ・市場/システム/電力変換技術の動向や競合の製品&...
求める経験 【必須】 ・インバータ/コンバータなど電力変換機器に内蔵される半導体モジュールまたは半導体デバイスに関する経験または知識を有すること 【尚可】 ■電力変換機器用パワーモジュール関連の下記いずれかの経験者 ・パワーモジュール開発&...
勤務地 愛知県
年収 年収:400万~1200万程度 月給制:月額208000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回
業務内容 【職務概要】 電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOS&Si-IGBT)の企画/開発/設計業務をおまかせします。 【職務詳細】 ・車載用パワー半導体素子の製品企画/仕様検討、技術動向調査 ・プ...
求める経験 【必須】 ・半導体素子の設計やプロセスインテグレーション、ウエハ加工技術の開発経験または知識を有すること ※パワー半導体の経験有無は問いません 【尚可】 ・パワー半導体に関する知識を有すること  ・半導体素子の設計やプロセス...
勤務地 愛知県
年収 年収:400万~1200万程度 月給制:月額208000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回
業務内容 【職務概要】 車載半導体(ASIC)のプロセス開発業務をおまかせします。 【職務詳細】 ・BiCDMOSのプロセス要素開発、インテグレーション ・低Ron DMOSプロセス要素開発、インテグレーション 高品質設計等の高い設...
求める経験 【必須】 ・半導体物理の基礎知識 ・半導体プロセス開発に携わっていた方 【尚可】 ・車載半導体経験 ・Foundry活用経験 ・英語力(TOEIC600点以上) ※将来的に、業務上の都合による転勤や駐在等の可能性があ...
勤務地 岩手県 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所
年収 年収:400万~1200万程度 月給制:月額228000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回
業務内容 【職務概要】 同社において、下記業務をご担当いただきます。 【職務詳細】 車載半導体(ASIC)のプロセス開発業務 ・BiCDMOSのプロセス要素開発、インテグレーション ・低Ron DMOSプロセス要素開発、インテグレーショ...
求める経験 【必須】 ・半導体物理の基礎知識 ・半導体のプロセス開発に携わっていた方 【尚可】 ・車載半導体経験 ・Foundry活用経験 ・英語力(TOEIC600点以上)
勤務地 神奈川県伊勢原市鈴川45 小田急小田原線「伊勢原」駅より車で9分 徒歩20分 駅からの送迎バス有 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所
年収 年収:400万~700万程度 月給制:月額333000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年1回 昇給:年1回(4月)
業務内容 【職務概要】 自社工場に導入するFA機器やロボットシステム、生産設備自動化の企画、設計を担当していただきます。 自動化導入工程における要求仕様を調査し、仕様書の作成、社内又は協力会社にて設備を設計製作し、製造部門に導入することがミッショ...
求める経験 【必須】下記いずれかに該当される方  ・メカエンジニア(3DCAD:CATIAV5、SolidWorks経験者) ・電気エンジニア(駆動系、検出系、制御系の配電/配線等) ・制御システムエンジニア(PLC、PC、マイコンプログラミン...
勤務地 広島県安芸郡府中町新地3-1 JR山陽本線「向洋」駅より徒歩10分 勤務地変更の範囲:勤務地からの変更はなし
年収 年収:440万~750万程度 月給制:月額250000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回
業務内容 【職務概要】 ご本人の希望、適性によってモデルベース開発を用いた電気駆動システムおよびインバータ回路基板・インバータ主回路開発に関わる以下の業務を担当いただきます。 (※主回路:高電圧素子であるパワーモジュールやそれを駆動するゲートドラ...
求める経験 【必須】 ・自動車業界に限らず、インバータ回路基板開発に関わるご経験をお持ちの方 ・電気工学系(電磁設計/電気回路設計/パワーエレクトロニクス/制御など)の高専・大学卒以上もしくは同等の基礎知識をお持ちの方 ※入社後に自動車製品やイン...

【山形】可視光半導体レーザーの研究開発

スタンレー電気株式会社 閲覧済み
勤務地 山形県鶴岡市大宝寺字日本国271-6 JR羽越本線「鶴岡」駅より車で6分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所
年収 年収:450万~800万程度 月給制:月額230000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:業績による 昇給:年1回(成果による)
業務内容 【配属部門の概要)】 GaN系材料を用いた各種可視光レーザー研究・開発を行っています。MOCVDを用いた結晶成長~素子化プロセス~実装・評価にわたる一連の研究・開発を行っています。 【担当する業務(概要)】 レーザー開発におけるMOC...
求める経験 【必須】 ・半導体結晶成長または素子化プロセスの知識・経験 ・実務経験2年以上 以下いずれか必須 ・光学評価(PL,EL)、電気的評価(I-V、Hall、C-V)、結晶評価(XRD、SIMS、TEM)の知識・経験 ・光デバイスシミ...