NAND に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 大阪府 |
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| 年収 | 500万円～900万円 給与事例（残業20ｈ/月想定）：30歳/650万前後 35歳/770万前後 |
| 業務内容 | 新たな成長フェーズに入った半導体市場で微細加工プロセスや三次元積層における材料開発に携わっていただきます。具体的には微細配線や3D-NAND用絶縁膜を形成するための製膜剤（プリカーサー）開発や、そのプリカーサーを用いたCVD/ALDによる薄... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体薄膜工程プロセス用有機・無機材料開発を行ってきた開発経験者の方 ・プロセス設計（成膜評価/信頼性評価 等）の開発経験者の方 ・経験年数：5年程度 |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県 |
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| 年収 | 600万円～1200万円 ※給与詳細は、経験・スキルを考慮の上決定致します。 ■昇給：年1回 ■賞与：年2回※業績賞与あり 記載金額は選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含みます。 |
| 業務内容 | デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発をお任せいたします。 1X、2Xnm世代のNAND設計開発を行っていただきます。 ◆同社の特徴・魅力： ◇安定した雇用…当社の事業戦略から安定した業績を重ねているため、半導体メー... |
| 求める経験 | 【必須】 （1）科学、工学、電気工学系専攻 （2）英語での基本的なコミュニケーションスキル（英語中級） （3）1Xまたは2XnmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験があり、以下に精通していること ・I/O、論理回路、アナログ回... |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 海外 |
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| 年収 | 1000万円～2500万円 ※給与詳細は、経験・スキルを考慮の上決定致します。 ■昇給：年1回 ■賞与：年2回※業績賞与あり ※月給(月額)は固定手当を含みます。 |
| 業務内容 | プロセス統合のプロジェクトマネージャーまたは主担当として、先端NAND開発のプロセスインテグレーションを担当していただきます。 ◆同社の特徴・魅力： ◇安定した雇用…当社の事業戦略から安定した業績を重ねているため、半導体メーカーによ... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体のプロセスインテグレーションの経験 ・ビジネスで英語を使用した経験 【歓迎】 ・薄膜あるいはディフュージョンの分野の専門の知見 ・NANDフラッシュ20nmあるいは1Xnmプロセス開発経験 ・シリコン製造プ... |
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正社員
転勤無し年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 三重県 |
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| 年収 | 500万円～1000万円 ※経験・能力・前職を考慮の上、優遇。 |
| 業務内容 | 仕事概要 3D NANDを構成するCMOSデバイスのデバイス・プロセスの開発を担当頂きます。 具体的には メモリデバイスに要求される電気特性や信頼性を満たすためのCMOSデバイス技術開発、新規材料、デバイス構造、レイアウト等の開... |
| 求める経験 | 【必須】 ■電気電子工学、物理学、材料工学を履修者、 または数年の半導体プロセス/デバイス/回路設計の経験 ■日本語の会話に問題なく、英語での会話ができることがのぞましい。 【尚可】 ■トランジスタ開発（NiSi、HKMG、... |
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正社員
フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県 |
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| 年収 | 500万円～1000万円 ※経験・能力・前職を考慮の上、優遇。 |
| 業務内容 | 仕事概要 3D NANDの製品・技術開発を担当頂きます。 主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセル、およびそれを駆動する周辺回路やトランジスタを電気的に測定・解析し、プロセス開発、製品の性能・信頼性向上のための技術開発を行... |
| 求める経験 | 【必須】 ■数年以上の半導体デバイス/不良解析/テストいずれかの経験 ■英語での会話ができることがのぞましい ■歓迎条件： メモリプロセス/デバイス（フラッシュ、EEPROM、DRAM、SRAM）に関する深い知識と経験 C、C... |
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正社員
フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県 |
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| 年収 | 600万円～1200万円 ※給与詳細は、経験・スキルを考慮の上決定致します。 ■昇給：年1回 ■賞与：年2回※業績賞与あり |
| 業務内容 | 【プログラム格納用メモリ世界トップクラスシェア／海外市場上場のグローバル企業/2000億円の売上／離職率3%／残業月20時間程度】 デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発をお任せいたします。 1X、2Xnm世代のNAND設... |
| 求める経験 | 【必須】 （1）科学、工学、電気工学系専攻 （2）英語での基本的なコミュニケーションスキル （3）1Xまたは2XnmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験があり、以下に精通していること ・I/O、論理回路、アナログ回路とメモリの... |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 群馬県 |
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| 年収 | 550万円～1100万円 ※経験・スキルに応じて個別に提示いたします。■昇給：年1回（6月） ■賞与 ： 年2回（6月、12月） |
| 業務内容 | 高速プロトコルNANDフラッシュ・メモリをシステム・レベルで試験するテスタを開発しており、FPGA論理回路設計を担当していただきます。 [業務内容] ・システム・レベル・テスタ向けFPGA開発 ・メイン業務は論理回路設計（Verilo... |
| 求める経験 | ■FPGA（言語Verilog、System Verilog）設計経験、論理回路設計経験5年以上 ■電子回路の知識 【歓迎】 ■FPGA 高速シリアルトランシーバ 設計経験 ■UFS、UniPro、MIPI M-PHY、PCI... |
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正社員
転勤無し
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| 勤務地 | 千葉県 |
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| 年収 | 520万円～1000万円 ※前職の給与を考慮の上、当社規定で決定します。 |
| 業務内容 | 【ソフトウェア開発経験を生かし、ますます多様化が進む産業用ストレージの評価/開発に携わっていただける方を募集いたします】 ～東証プライム上場の電子部品メーカー/世界初『フェライトコア』を製品化し現在、「自動車」「ICT」「産業機器・エネル... |
| 求める経験 | [必須要件]※業界不問／製品不問 ■C言語によるプログラミング経験 ■Linuxのご経験 ※製品評価経験や、電子回路の知識のある方歓迎いたします ＜求める人物像＞ 主体性のある方 |
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正社員
年間休日120日以上
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| 勤務地 | 千葉県 |
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| 年収 | 520万円～1000万円 ※前職の給与を考慮の上、当社規定で決定します。 |
| 業務内容 | 【C言語によるファームウェア開発経験を活かし『ますます多様化が進む産業用ストレージ』の自社開発/ファームウェア開発に携わりませんか。 ※良好な就業環境の下、裁量がある業務に携わりたい方はご応募ください。】 ～東証プライム上場の電子部品メ... |
| 求める経験 | [必須要件]※業界不問／製品不問 ■C言語によるファームウェア開発経験をお持ちの方 ※RTOSを使用した開発経験、もしくはSSDのファームウェア開発経験をお持ちの方はご応募ください。 |
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正社員
年間休日120日以上
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| 勤務地 | 神奈川県 |
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| 年収 | 600万円～1300万円 ※経験・能力・前職を考慮の上、優遇。 |
| 業務内容 | 仕事概要 ● NAND型フラッシュメモリLSIの回路設計 - セルアレイに付随するセンスアンプおよびワード線ドライバを含むコア回路設計 - 高速データパスおよびインターフェイス回路設計 - コマンドデコーダおよびコマンドに従って信号... |
| 求める経験 | 【必須】 ■電気電子工学あるいはコンピュータサイエンスの知識をお持ちの方 ■アナログ、デジタルを問わずLSI設計の経験 ■基礎的な英語力 【尚可】 ■不揮発性メモリ分野での経験 ■量産レベルの製品開発経験 |
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正社員
英語を使う仕事フレックス勤務
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