【横浜】プロセス開発エンジニア（成膜） ※エピタキシャル成長装置 株式会社ニューフレアテクノロジー
| 企業名 | 株式会社ニューフレアテクノロジー |
|---|---|
| 年収 | 1200万円 〜 2000万円 |
| 勤務地 |
神奈川県
|
| 職種 | 【横浜】プロセス開発エンジニア（成膜） ※エピタキシャル成長装置 |
| 業種 | 半導体・電子・電気機器業界の生産技術・製造技術（化学） |
| ポイント | 【横浜】プロセス開発エンジニア（成膜） ※エピタキシャル成長装置 |
|
正社員
転勤無し年間休日120日以上フレックス勤務
|
|
募集要項
| 仕事内容 |
【職務内容】 エピタキシャル成長製造装置開発の成膜のプロセス開発を行っていただきます。 シリコン、GaN、SiC膜の成膜方法（レシピ）の開発と測定機による評価 装置の開発、客先でのデモンストレーション、メンテナンス、トラブル対応 プロセスに関する客先でのプロセス仕様打合せ、装置立上、客先でのプロセス支援 ※海外顧客の場合海外出張いただき、顧客先でレシピの調整を行います 【エピタキシャル成長製造装置の特徴】 1) ウェーハの高速回転による高速かつ均一性の高い成膜 2) 緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布 3) 高精度な面状ヒーターに非接触で配置することで高い温度均一性と高速昇降温特性 上記コア技術が実現することで高品質エピタキシャル成長層の形成を可能としております。 プロセス担当はこれらコア技術が顧客要望通り実現しているかを測定器などを使用して検証し、エラーの原因はレシピなのかハードなどかを突き詰め改善を行っていきます。 【業務で使用するツール】 測定機操作 (SEM、欠陥検査、膜厚、XRD等） 【入社... |
|---|---|
| 求める人材 | 【必須】 ・国内外への長期出張が可能な方 ・エピ成膜に興味がある方 【歓迎】 ・半導体の製造等において何らかの成膜経験がある方 ・半導体製造装置（CVD装置）を使用した成膜経験がある方 ・半導体製造装置（CVD装置）で使用されるガスや、真空装置の取り扱い経験がある方 ・英語でのコミュニケーションが可能な方 |
給与・待遇
| 年収 |
670万円～1500万円 ※経験、能力等を考慮し、同社規定により支給いたします |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員 |
| 募集ポジション | 【横浜】プロセス開発エンジニア（成膜） ※エピタキシャル成長装置 |
| 待遇・福利厚生 | 厚生年金 健康保険（東芝健康保険組合） 雇用保険 労災保険 介護保険通勤手当全額支給、家族手当、役職手当、35歳までの独身借上社宅制度・世帯向け借上社宅制度有り、厚生施設、社内食堂、財形貯蓄制度、持株制度、退職金制度 |
勤務時間・休日
| 勤務時間 | 08:45～17:30 |
|---|---|
| 休日・休暇 | 完全週休二日制（土日）、祝日、年次有給休暇（初年度 入社時1～19日（入社月による）※最大24日 繰り越し含め最大48日）、夏季休暇、特別休暇、育児・介護休暇制度 |
その他
| 選考プロセス | 面接2回、書類選考 ⇒ 1次面接 ⇒ SPI ⇒ 2次面接 ⇒ 内定 |
|---|
企業情報
| 企業名 | 株式会社ニューフレアテクノロジー |
|---|---|
| 設立 | 2002年8月 |
| 従業員数 | 799名 |
| 資本金 | 64億8600万円 |
| 事業内容 | ＜＜最先端半導体製造装置の設計、開発、製造、販売、保守サービス＞＞ ★半導体の未来をリードし続けます ◆電子ビームマスク描画装置：5nm先端マスク量産対応の電子ビームマスク描画装置 ◆マスク検査装置：最先端デバイスhp20nm以降世代の扉を開く技術を結集した最先端マスク検査装置 ◆エピタキシャル成長装置：数μmから150μｍ以上の膜厚まで高速で連続成膜が出来る高効率・省エネ型の画期的なエピタキシャル成長装置（パワー半導体の製造工程に使用されます） 【特長】 半導体デバイスの微細化技術をリードする最先端の電子ビームマスク描画装置(EBM)を設計、開発を中心とした半導体製造装置メーカ... |
この求人情報は、「株式会社メイテックネクスト」が取り扱っています
この情報を保有しているコンサルタントへ紹介を受けるには、マイナビスカウティングに会員登録が必要です。
応募登録いただくにあたり
にご同意いただき、マイナビスカウティングに応募情報を開示することをご了承の上登録ください。