成膜 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 千葉県 |
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| 年収 | 660万円～1050万円 ※前職の給与を考慮の上、当社規定で決定します。 |
| 業務内容 | 【業務内容】 ・ 光学酸化物薄膜のスパッタリング成膜 ・ 新スパッタリング装置の装置構成構想 ・ 光学酸化薄膜の構造解析，光学特性測定 *実際の成膜・ 解析・ 測定業務は海外子会社で子会社メンバーが行います。日本では，成膜された膜の... |
| 求める経験 | 【必須】 ・ スパッタリングを中心とする成膜技術 ・ XRD、TEMなどを用いた材料解析 ・ 英語力に抵抗のない方 ※海外の社内事業部との技術資料のやり取りや進捗状況の打合せにおいて使用いただきます。 |
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正社員
年間休日120日以上
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| 勤務地 | 大阪府 |
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| 年収 | 420万円～820万円 昇給：年1回（7月）※係長クラス以上は評価による洗い替え方式 賞与：年2回（6月、12月） 記載金額は選考を通じて上下する可能性があります。月給(月額)は固定手当を含みます。 |
| 業務内容 | 【配属先部門の担う役割】 最先端の産業で利用される「真空機械」について、お客様のニーズに応え信頼を向上させることで、シェアの拡大を目指していきます。 【入社後の具体的な仕事内容】 スマートフォンやタブレット等のディスプレイに使用さ... |
| 求める経験 | ＜必須条件＞ ・ 産業機械の設計経験 ・ 3D CADまたは2D CADによる図面作成経験 ＜歓迎条件＞ ・ 3D CAD（iCAD SX）での図面作成経験 ・ 蒸着やスパッタリングなどの真空装置の設計経験 |
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正社員
年間休日120日以上
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| 勤務地 | 長崎県 |
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| 年収 | 350万円～550万円 ご年齢、ご経験を考慮し当社規定に基づき決定 |
| 業務内容 | テスト利用済みのシリコンウェハ上に成膜され付着した化学物質。ウェハの再利用を目的に、化学的な薬液処理による膜の除去、物理的な研磨加工（CMPを利用）、検査（ICP-MSを利用）等を行います。その再生加工工程のプロセスの策定、改善するエンジニ... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・ 化学系学部出身の方（専攻不問） もしくは、製造業での就業経験があり、再生加工ビジネスに興味がある方。 【キャリアステップについて】配属先の技術部は、技術開発それに関連する設備、その他ユーティリティなども管轄する部署... |
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正社員
転勤無し
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| 勤務地 | 愛知県 |
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| 年収 | 420万円～800万円 スペシャリスト以上…固定残業手当制/月額給に30時間相当の固定残業代6.2万円～9.9万円を含む。 |
| 業務内容 | 【業務】 小牧市にある本社にて、下記の業務を担当していただきます。 業務内容は希望や適性を考慮して決定いたします。 【詳細】 ・ 光学成膜装置の生産性改善 ・ 真空プロセスの改良・ 分析 ・ 成膜装置のプロセス改善 ・ 蒸着... |
| 求める経験 | 【必須条件】 ・ 真空技術・ 装置取扱の経験（目安2年以上） |
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正社員
転勤無し
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| 勤務地 | 滋賀県 |
|---|---|
| 年収 | 500万円～850万円 経験と能力等を考慮し当社規定により優遇いたします。 ■昇給年１回（４月） 賞与年２回（６月・１２月） |
| 業務内容 | ・ 携わる商品 SAWフィルタ、BAWフィルタなど半導体プロセスを用いた商品 ・ 概要 SAW/BAWデバイス新規商品の構想段階から立ち上げまでのプロセス開発を行っていただきます。 ・ 詳細：SAW/BAWデバイスの新構造開発... |
| 求める経験 | 【必須要件】 以下いずれかのご経験（製品不問） ・ 薄膜微細加工の開発経験 ・ パッケージプロセスの開発経験 【歓迎条件】 SAW・ BAWデバイス開発及び、その他デバイスの薄膜微細加工・ パッケージプロセス開発経験 |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 滋賀県 |
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| 年収 | 500万円～850万円 経験と能力等を考慮し当社規定により優遇いたします。 ■昇給年１回（４月） 賞与年２回（６月・１２月） |
| 業務内容 | ・ 携わる商品 半導体、回路部品などの電子部品(コンデンサ、MEMSなどの受動部品) ・ 概要 当社の半導体前工程開発において、成膜プロセス技術の最前線で活躍していただきます。特にCVD(Chemical Vapor Depos... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・ 有機化学または無機化学分野での研究・ 開発またはプリカーサー設計・ 開発経験 ・ CVD/ALD関連業務での開発経験 ・ 薄膜材料特性評価の基礎知識 【歓迎条件】 ・ 半導体製造装置を使ったデバイス・ プロセス技... |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 岐阜県 |
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| 年収 | 650万円～930万円 |
| 業務内容 | 成膜工程（スパッタ成膜および蒸着成膜）、フォトリソ工程、剥離・ 洗浄工程などの工程改善・ 管理業務。 ・ 各工程のプロセスの見直し、改善提案、歩留まり改善 ・ 工程異常、クレーム等の原因調査や分析 ・ 各工程の自動化の提案、設備の... |
| 求める経験 | 【必須条件】 ・ 半導体作業現場でのリーダー経験 |
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正社員
年間休日120日以上
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| 勤務地 | 三重県 |
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| 年収 | 500万円～1000万円 ※経験・能力・前職を考慮の上、優遇。 |
| 業務内容 | 最先端メモリデバイス開発における微細加工や成膜工程のプロセス、装置改善業務、要素開発業務を担当頂きます。 【次のいずれかの工程を担当】 ・ ドライエッチング ・ ウェットエッチング（洗浄） ・ CMP（平坦化） ・ P... |
| 求める経験 | 【必須】 ・ 下記のような理系バックグラウンドをお持ちの方で、半導体に関わるプロセス業務に関わる経験 電気・ 電子系、化学・ 物質工学系、物理・ 応用物理系、数学、機械、情報 |
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正社員
フレックス勤務
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| 勤務地 | 岩手県 |
|---|---|
| 年収 | 500万円～1000万円 ※経験・能力・前職を考慮の上、優遇。 |
| 業務内容 | 最先端メモリデバイス開発における微細加工や成膜工程のプロセス、装置改善業務、要素開発業務を担当頂きます。 【次のいずれかの工程を担当】 ・ ドライエッチング ・ ウェットエッチング（洗浄） ・ CMP（平坦化） ・ PE-... |
| 求める経験 | 【必須】 ・ 半導体プロセス業務に関する何かしらの実務経験 【歓迎】 ・ 基礎的な英語力 ※製品自体に興味がある方は、インテグレーション、プロダクトエンジニアがおすすめです |
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正社員
フレックス勤務
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| 勤務地 | 石川県 |
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| 年収 | 450万円～1000万円 ※上記年収レンジは目安です。前職の給与・スキル・経験・等を考慮の上、当社規定で決定致します。 ※24年度新卒月額例：学部卒232000円／修士卒257000円／博士卒306500円 |
| 業務内容 | MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発を進めていただきます。 各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を... |
| 求める経験 | [必須要件※以下いずれかのご経験] ・ 半導体のユニットプロセス技術経験者 または、 ・ 半導体装置メーカ、半導体材料メーカ等、半導体関連メーカに在籍され、ユニットプロセスの知見 または、 ・ 半導体に関連する研究を専攻されていた方 |
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正社員
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