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愛知県 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【業務内容】 車載/非車載分野（空モビリティ、産業機器、等）向けセンシングシステム、半導体製品の機能安全開発業務 ・非車載分野を含む機能安全国際規格の調査 ・機能安全国際規格に適合するための要求抽出と設計要件への反映 ・製品の機能... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■車載及び、非車載（産業機器、FA機器、物流システム、農建機、等）の製品開発経験 ■IEC61508、ISO26262等規格の知識 ■IEC61508、ISO13849等、非車載機能安全規格の知識、及び、製品適用経験 ... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【業務の概要】 半導体製品およびプリント基板上での実装も考慮したレイアウト設計環境開発、および、その付随業務 【職場紹介】 セミコンダクタ基盤開発部では、半導体製品設計に関わる設計環境開発を担当しています。高性能サーバーからツー... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■ASIC設計もしくはASIC設計環境構築もしくはPCB設計もしくはPCB設計環境構築の実務経験（３年以上） ■専門文書を読解できる英語力 |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上英語を使う仕事社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【業務の概要】 半導体製品の電気特性情報・熱情報・EMC情報をもとに多目的最適化する技術の開発、および、その付随業務 【職場紹介】 セミコンダクタ基盤開発部では、半導体製品設計に関わる設計環境開発を担当しています。高性能サーバー... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■ASIC設計もしくは熱・応力解析経験もしくは熱・応力解析向け設計環境構築の実務経験（３年以上） 【歓迎要件】 ■専門文書を読解できる英語力 |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【業務の概要】 電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOS＆Si-IGBT）に関する ・製品企画 ・戦略立案 ・仕様検討 ・技術動向調査 【職場紹介】 素子戦略室でSi, SiCパワー半... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■戦略立案、マーケティングに関する知識 ※パワー半導体の経験有無は問いません 【歓迎要件】 ■パワー半導体に関する知識を有すること ■半導体素子の設計やプロセスインテグレーション、ウエハ加工技術の開発経験（目... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【業務内容】 電動車向けインバータ用パワー半導体（SiCーMOSFET）のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術の研究開発及び試作品評価 ・パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計 ・パワーデバイス及びプロセスシミュレーショ... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体に関する知識を有すること ■半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験 （研究開発、量産経験は問いません） 【歓迎要件】 ■パワー半導体に関する知識を有すること ... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【業務内容】 電動車向けインバータ用パワー半導体及びパワーモジュールの分析、解析、信頼性評価業務及び技術開発 ・パワー半導体、パワーモジュールの分析、解析業務 （形状、厚さ、濃度、故障解析など） ・パワー半導体、パワーモジュールの... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体に関する知識を有すること ■半導体の分析・解析経験 ■分析・解析技術開発経験 ■半導体の信頼性評価 ■信頼性評価技術開発経験 【歓迎要件】 ■パワー半導体に関する知識を有すること ■パワー半導体... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【業務内容】 パワーエレクトロニクス回路、及び制御技術の研究開発 ・インバータ、コンバータ回路開発 ・SiC、GaNデバイス駆動回路開発 ・モータ制御、電源制御開発 ・耐EMC回路、解析技術開発 ・ロジック回路RTL設計、FP... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■電子回路、電気回路に関する知識を有すること（大学卒業レベル） ■パワーエレクトロニクス回路、または制御技術開発経験（3年以上） 【歓迎要件】 ■パワーエレクトロニクス回路、または制御技術開発経験（5年以上） ■... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【業務内容】 パワーデバイス材料研究、デバイス開発 ・SiCウェハガス成長法の研究開発 ・SiCエピタキシャル成長の研究開発 ・横型GaN-HEMTのデバイス開発 ・縦型GaN-MOSFETのデバイス開発 ・α酸化ガリウム半導... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル） ■半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること 【歓迎要件】 ■第... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【業務内容】 将来モビリティ向けセンサの研究開発 （電池監視センサ、慣性センサ、生体センサなど） ・市場/システムの動向や競合の製品＆技術分析 ・センサの企画＆仕様検討 ・センサの研究開発の推進 【募集背景】 モビリテ... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■電池監視センサ、慣性センサ、生体センサ又は、MEMS、アナログ回路、半導体に関する経験や知識を有すること 【歓迎要件】 ■車載センサに関する経験 ■プロジェクトリーダー経験者 ■英語力（TOEIC 600点以... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 500 ～ 800 万円 ※別途残業代あり ※賞与：年2回（7月、12月）（2018年度実績：年間6.21ヵ月分）、昇給年1回（4月） なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 同社にて、EPB（電動パーキングブレーキ）開発をご担当いただきます。 キャリパ一体式EPBの設計開発評価/海外展開をお任せします。 【具体的には】 ・顧客との要求調整、仕様合意 ・メカ設計業務全般 ・信頼性評価立案及び推進・調... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■機械工学・機械製図に関する知識 ■CATIA V-5の使用スキル ■CAE解析経験（強度） 【歓迎（WANT）】 ■自動車メーカーもしくは自動車部品メーカーでの機械設計経験（5年以上） ■Abaqus、Mar... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度
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