SiCパワーデバイス開発エンジニア 社名非公開
| 企業名 | 社名非公開 |
|---|---|
| 年収 | 1100万円 〜 1500万円 |
| 勤務地 |
愛媛県ひうち8-6
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| 職種 | SiCパワーデバイス開発エンジニア |
| 業種 | 半導体・電子・電気機器業界の生産・製造・プロセス技術（半導体） |
| ポイント | 同社は、マイコンに強みをもっており、世界で4割近くと圧倒的なNo.1シェアを有しています。強みの車載以外にも、AI・IoTなどに使われるマイコンも開発しています。社内公募制度も充実しており、AI・IoT領域から車載領域への異動等も可能です。 |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上英語を使う仕事フレックス勤務
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募集要項
| 仕事内容 |
■SiCパワーデバイス・プロセス開発業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■ウェハプロセス開発／インテグレーション 例：構想検討～量産技術確立 ■デバイス構造設計／インテグレーション ■他部門との連携 例：設計部、生産技術部、品質保証部など |
|---|---|
| 求める人材 | 【必須要件】下記いずれも必須 ■半導体デバイス構造設計もしくはプロセス開発経験（3年以上） 分野：化合物半導体（GaN、LED用途、高周波用途など）、シリコン半導体（メモリ、CMOSイメージセンサなど） ■ビジネスレベルの英語力 例：顧客とのオンライン会議、メール対応など 【歓迎要件】 ■パワーデバイス（IGBT、パワーMOS（Si,SiC）開発経験 ■半導体物理、半導体材料物性、半導体要素プロセスに関するご知見・ご経験 ■ウェハプロセス試作のご経験 ■TCADシミュレーションスキル ■TEGレイアウトスキル ■デバイス電気特性評価スキル ■海外との共同プロジェクト経験 ■パワーエレクトロニクス全般の基礎知識 |
給与・待遇
| 給与 | 600-1000万円 |
|---|---|
| 雇用・契約形態 | 正社員 |
| 募集ポジション | SiCパワーデバイス開発エンジニア |
| 待遇・福利厚生 |
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金 通勤手当、家賃補助（賃貸、32歳まで支給対象（条件あり））、時間外勤務手当 財形貯蓄制度、従業員持株会制度、育児支援制度、介護支援制度 |
勤務時間・休日
| 勤務時間 | 09:00 - 17:30（コアタイム：00:00 - 00:00） |
|---|---|
| 休日・休暇 | 年間125日／（内訳）完全週休2日制（土日）、年末年始、有給休暇、慶事休暇、GW休暇 |
その他
| 選考プロセス | 【面接回数】Teamsによるオンライン面接または対面での面接1～2回程度 |
|---|
企業情報
| 企業名 | 社名非公開 |
|---|---|
| 事業内容 | 【概要・特徴】 東証プライム上場の大手半導体メーカー。 半導体専業メーカーとして研究、設計、開発、製造、販売などを行なっており、世界シェアトップクラスの製品も多く開発しています。 【注力分野】 自動運転や運転支援機能付きの次世代自動車の導入に向けた製品の研究・開発を積極的に行なっています。 そのほか、家電やネットワークインフラ向けなど多くの半導体開発を行なっており、航空機のエンジン制御、人工衛星における通信システムなど幅広い領域で採用されています。 【人材育成】 グローバル競争力の強化を目的として、豊富な研修プログラムで職務能力を支援。 階層別研修や、エンジニア・営業などの機能別研修、海外業務研修・語学研修をはじめとしたグローバル研修など、さまざまな観点でプログラムを用意しています。 |
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