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石川県 に該当する転職・求人一覧
勤務地 | 石川県加賀市宮町カ1-1JR北陸本線「加賀温泉」駅より車で約10分 車通勤可 |
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年収 | 年収:630万~820万程度 月給制:月額370000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回(7月、12月) 昇給:年1回 |
業務内容 | 【職務概要】 同社が展開する工作機械の部門にて、工作機械(放電加工機もしくはマシニングセンタ)のソフトウェア開発及び修繕業務をご担当していただきます。 【職務詳細】 ■NC装置のソフトウェア開発 ※制御(経験によってはUI)、コ... |
求める経験 | 【必須】 ・ソフトウェア開発業務10年以上もしくは相当の実績 ・要件定義から設計・開発・テスト・リリースまで一連の経験 ・プロジェクトリーダーとしての業務遂行経験(プロジェクト規模は不問) ・普通自動車免許 【尚可】 ・組み... |
勤務地 | 石川県小松市正蓮寺町 |
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年収 | 380万円 ~ 600万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当 ■資格手当 ■その他手当 |
業務内容 | 【業務概要】 半導体や液晶等を製造するための製造装置等に組み込まれ、高精度で薬品の供給を制御するために必要となる「流体制御機器(薬液バルブ)」の品質保証業務を担当頂きます。2024年4月に設立予定の新工場(北陸工場)の立ち上げメンバーとして... |
求める経験 | 【必須経験・スキル】 ・品質保証関連業務のご経験をお持ちの方(製品問わず) ※検査や分析なども含め、製品品質に関わる業務に親和性がある方が活躍しています ※業界未経験歓迎 |
勤務地 | 石川県能美市岩内町1-1 |
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年収 | 450万円 ~ 1000万円 ■通勤手当 ■住宅手当 ■家族手当 ■残業手当 |
業務内容 | 【業務内容】 ディスクリート半導体等の開発・生産・販売を手掛ける当社のエンジニアとして、パワーデバイスのプロセス開発及び装置開発業務をご担当いただきます。 【募集背景】 以下のような製品の開発体制を整えるための募集となります。 (1)需要... |
求める経験 | 【必須要件】 ・プロセス技術開発、生産技術、歩留改善、量産立ち上げいずれかのご経験がある方 【歓迎要件】 ・半導体デバイスメーカでプロセス開発に従事された経験がある方 ・半導体製造装置メーカで装置開発に従事された経験がある方 ・半導体ウェ... |
勤務地 | 石川県能美市岩内町1-1 |
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年収 | 450万円 ~ 1000万円 ■通勤手当 ■住宅手当 ■家族手当 ■残業手当 |
業務内容 | 【業務内容】 ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、 ・デバイス設計・シミュレーション(TCAD) ・試作・性能評価・解析 ・量産立上業務 ※... |
求める経験 | 【必須要件】 ・デバイス設計/プロセス技術/生産技術/歩留改善/パッケージ技術/材料開発/品質保証/評価・解析/製品テストいずれかの経験がある方 【歓迎要件】 ・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方 ・以下のディスクリート半... |
勤務地 | 石川県能美市岩内町1-1 |
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年収 | 450万円 ~ 1000万円 ■通勤手当 ■住宅手当 ■家族手当 ■残業手当 |
業務内容 | 【業務内容】 ディスクリート半導体(特にパワーデバイス)に関する、 ・シリコンパワーデバイスのプロセスインテグレーション ・評価分析 ・プロセスシミュレーション(TCAD)に関する業務 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘... |
求める経験 | 【必須要件】 ・プロセス技術開発、生産技術、歩留改善、量産立ち上げいずれかのご経験がある方 【歓迎要件】 ・半導体のプロセス・インテグレーション開発に従事された経験がある方 ・半導体のデバイス開発に従事された経験がある方 ・欠陥検査装置の... |
勤務地 | 石川県能美市岩内町1-1 |
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年収 | 450万円 ~ 1000万円 ■通勤手当 ■住宅手当 ■家族手当 ■残業手当 |
業務内容 | 【業務内容】 MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6~8名のチームを組み、以下業務をお任せいたします。 ・半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術 ・評価分析 ・プロセスシミュレーション(TC... |
求める経験 | 【必須要件】 ・学生時代の専攻が電気電子、物理、半導体デバイスに関する研究などの方 ※ご応募の際は、以下内容をご記載ください ・学生時代の専攻、研究内容 ・転職の理由 【歓迎要件】 ・半導体やディスプレイメーカーのプロセスインテグレーシ... |
勤務地 | 石川県能美市岩内町1-1 |
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年収 | 450万円 ~ 1000万円 ■通勤手当 ■住宅手当 ■家族手当 ■残業手当 |
業務内容 | 【業務内容】 MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス(成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング/ウェットエッチング、イオン注入など)の開発を進めていただきます。各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専... |
求める経験 | 【必須要件】 ・学生時代の専攻が機械系・化学系・電気電子・技術系などものづくりに関する方 ※ご応募の際は、以下内容をご記載ください ・学生時代の専攻、研究内容 ・転職の理由 【歓迎要件】 ・半導体に関する知識をお持ちの方 ・半導体のユニ... |
勤務地 | 石川県金沢市広岡3-1-1 金沢パークビル6階 |
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年収 | 450万円~700万円 ※上記年収レンジは参考です。前職の給与、スキル・能力等の判断の上、当社規定で決定致します |
業務内容 | 当組織は北陸の金沢市を拠点とし、アプリケーション開発からインフラ開発まで幅広くソリューションを提供しております。現在、10年後を見据えた成長戦略や業績拡大のための組織強化を必要としております。石川県の開発拠点に在籍しながら高度技術に携わるこ... |
求める経験 | [必須要件] ■何らかの業務システムまたはインフラの開発経験 [歓迎要件] □Webシステムやアプリケーションのユーザインタフェース開発経験(JavaScript/TypeScript/PHP/Java/Swift/C#/C++) ... |