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光ファイバー に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 京都府宇治市大久保待ち西ノ端1-25 宇治ベンチャー企業育成工場6号 |
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| 年収 | 500万円～800万円 応相談（年俸を12で割った報酬額を毎月支給、報酬に固定残業代30時間/月を含む）＋SO（業績により判断） (平均35時間程度 ※30時間超過分は別途残業代お支払いします) |
| 業務内容 | プロジェクトメンバーとして以下を実施していただきます。 ・LiDAR光学モジュール開発 ・内部光学部品の選定 ・LiDAR光学特性評価のための適切な評価環境構築 ◎10km以上離れた空気の動きを観測するため、光の干渉性を使い、ビ... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・空間光学設計(ZEMAX等の光線シミュレータを用いた迷光量の見積もりなど) または、導波路設計(単一モード条件算出、偏波モード分散算出、etc) いずれかの経験 ・光学機器(レーザ、レーザ加工機、顕微鏡 etc)の開発 ... |
| 勤務地 | 神奈川県横浜市栄区金井町1 |
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| 年収 | 450万円 ～ 700万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当 ■その他手当 |
| 業務内容 | ■化合物半導体デバイスを開発・製造・販売している当社で、光ファイバ通信用光半導体レーザ素子開発業務をご担当頂きます。 【具体的には】 ■波長1.3～1.6μm光ファイバ通信用光半導体レーザ素子（チップ）開発 ■素子設計シュミレーション環境... |
| 求める経験 | 【必須】 ■レーザ素子開発に関する実務経験 【尚可】 ■日常会話レベルの語学力（英語、中国語） 【化合物半導体】 ■化合物半導体には、「ガリウム砒素」「インジウムリン」「窒化ガリウム」等の素材が使用されています。高速動作や受発光機 能、... |
| 勤務地 | 山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000 |
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| 年収 | 550万円 ～ 800万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当 ■その他手当 |
| 業務内容 | ■化合物半導体デバイスを開発・製造・販売している当社で、光ファイバー用の半導体レーザチップの特性評価をご担当頂きます。 【具体的には】 ■半導体レーザチップの電気的光学的特性検査 ■半導体レーザチップの検査装置の装置設計、導入、運用 ■半... |
| 求める経験 | 【必須】※下記いずれかに該当する方 ■半導体レーザチップの電気的光学的特性検査経験 ■半導体レーザチップの電気的光学的特性検査 装置の装置設計、導入、運用経験 ■半導体レーザチップの高温通電試験装置の設計、導入、運用経験 ■半導体レーザチッ... |
| 勤務地 | 東京都板橋区蓮沼町75-1 |
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| 年収 | 500万円 ～ 900万円 ■通勤手当 ■住宅手当 ■家族手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | 【具体的な業務内容】 ①同社スマートインフラ製品（LiDAR、レーザースキャナなど）の試作機の設計・開発 ②LiDARに搭載する光学モジュールの研究開発 ③最新技術の情報収集（展示会見学、学会聴講、特許調査、技術論文解読など） ④業務進捗管... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・LiDAR もしくは レーザー応用製品の光学モジュール試作およびそれの性能評価試験の経験2年以上 ・特許出願2件以上 【歓迎要件】 ・C++やPythonなどを用いて評価用アプリケーションソフト（自動化ツール）を開発した経... |
| 勤務地 | 東京都板橋区蓮沼町75-1 |
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| 年収 | 500万円 ～ 700万円 ■通勤手当 ■住宅手当 ■家族手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | 電気技術者担当として、次の業務を行っていただきます。 【具体的な業務内容】 ①技術コンセプトの原理確認・機能確認 - 新しい技術コンセプトの獲得のための最新技術の調査、製品化に向けたコア技術の仕様立案 ②試作品の設計・開発 - コア技術の... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・電気技術者としての技術開発(設計まはた原理・理論検討)の経験を3年以上有する ・光センシング、モータ制御、光源制御などのアナログ/デジタル混合設計における経験または知識を有する 【歓迎要件】 ■以下のような知識、ご経験をお... |
| 勤務地 | 千葉県市原市八幡海岸通6番地 |
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| 年収 | 400万円 ～ 1000万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | 〈【千葉】半導体関連 オープンポジション_0002〉 ■当ポジションで働くやりがい 世界的にも注目されている次世代通信技術やIOWN（アイオン）に向けたフォトニクス技術での新事業製品創出に携われます。設計、チップ作成、光モジュールの製作、... |
| 求める経験 | 【研究開発本部 フォトニクス研究所フォトニックデバイス開発部 先進デバイス技術開発課】 ■必須条件 ・半導体の設計もしくは製造の技術。 ■歓迎条件： ・半導体レーザなど光半導体の設計。 |