パワー半導体デバイス(SiC)に関する研究開発 三菱電機株式会社【先端技術総合研究所】
| 職種 | パワー半導体デバイス(SiC)に関する研究開発 |
|---|---|
| 社名 | 三菱電機株式会社【先端技術総合研究所】 |
| 業務内容 |
●職務内容 SiCデバイス(MOSFET/Diode)技術に関する研究開発を担っていただきます。評価や解析を中心に担当し、パワーデバイス製作所(伊丹/福岡/熊本)への報告も実施していただきます。 【変更の範囲】 会社の定める業務(※) (※)業務の都合によっては会社外の職務に従事するため出向又は転属を命じることがあります ●具体的には 具体的な職務は以下になります。 ・SiC結晶品質向上(基板評価およびエピタキシャル成長技術の開発) ・SiC-MOSFETの信頼性検証 ・パワーモジュールの耐環境信頼性検証 いずれも単独ではなくチームでの職務となります。弊課だけではなく、デバイス構造を担当する課やモジュールを担当する課と連携して職務にあたっていただきます。 勤務地は先端技術総合研究所(尼崎市)が主になります。出社勤務と在宅勤務のハイブリッドが可能です。 パワーデバイス製作所(伊丹市/福岡市/熊本県合志市)への報告や折衝も担当していただきます。 開発技術の社外発表(国際学会)もお願いする場合があります。 技術紹介(SiC) |
| 求める経験 | ●必須 ・半導体に関する基礎的な知識(理論、電気特性など)をお持ちの方。 ●歓迎 下記に関する知識、経験をお持ちの方 ・半導体デバイスの信頼性検証技術 ・結晶欠陥評価技術およびエピタキシャル成長技術 ・半導体デバイス設計技術およびプロセス技術 ・パワーエレクトロニクス機器の設計技術 |
| 勤務地 |
兵庫県
|
| 年収 | 400万円～1000万円 |
| 勤務時間 | 08:30～17:00 |
| 休日・休暇 | 週休2日制、祝日、労働祭、会社創立記念日、5月4日、8月第1、第2金曜日など 有給休暇（初年度20日、最高25日）結婚休暇、転任休暇、忌引休暇、チャージ休暇、セルフサポート休暇など |
| 福利厚生 |
健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険 【福利厚生】 独身寮、社宅、保養所、契約リゾート施設、テニスコ－ト・体育館・プールなどのスポ－ツ施設、財形貯蓄、住宅融資、社員持株会、社員互助会など時間外手当、扶養手当、外勤手当、通勤費補助など 【休職制度】 傷病休職、育児休職、介護休職、セカンドライフ支援休職 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 面接2回、一次面接→最終面接 |
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