【茨城】SiCパワーデバイス開発エンジニア ルネサスエレクトロニクス株式会社
| 企業名 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
|---|---|
| 年収 | 650万円 〜 900万円 |
| 勤務地 |
茨城県
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| 職種 | 【茨城】SiCパワーデバイス開発エンジニア |
| 業種 | 半導体・電子・電気機器業界の基礎・応用研究・技術開発（化学） |
| ポイント | 【茨城】SiCパワーデバイス開発エンジニア |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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募集要項
| 仕事内容 |
当社では、SiやSiCのパワーMOS、IGBTなどのパワーデバイス事業拡大を計画しています。これらの次世代プロセス開発や生産能力増強（大口径化や生産委託）などのプロジェクトを推進するリーダー候補となる人材を募集します。 他社様と比較して、マイコン、SoC、アナログ半導体、パワー半導体など幅広い製品ラインナップを揃えており、マイコンは世界トップクラスのシェアです。パワー半導体においても世界トップクラスの性能を有するパワーMOSやIGBTを開発・製品化しています。それらを支えるデバイス・プロセス技術を、多岐にわたるエンジニア集団が構造、工程設計のアイデアを創出して総合力で実現しています。人材育成を重視し、非常にやりがいのあるソリューション提案型の開発業務です。 ▼パワーデバイス・プロセス開発 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア ・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築 ・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門との連携 ルネサスは「人々の暮らしを楽（ラク）にする」技術で持続可能な将来を築いてい... |
|---|---|
| 求める人材 | 【必須】 ・半導体デバイス構造設計や付随するプロセス開発経験 （半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験） 【歓迎】 ・パワーデバイス（IGBT、パワーMOS(Si、SiC）、FRD)開発経験 ・TCADシミュレーションスキル ・TEGレイアウトスキル ・デバイス電気特性評価スキル ・海外との共同プロジェクト経験 ・パワーエレクトロニクス全般の基礎知識 |
給与・待遇
| 給与 |
670万円～830万円 前職でのご経験、能力を考慮の上、同社規定により優遇いたします。 |
|---|---|
| 雇用・契約形態 | 正社員 |
| 募集ポジション | 【茨城】SiCパワーデバイス開発エンジニア |
| 待遇・福利厚生 | 健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険通勤手当 住宅手当 残業手当 財形貯蓄制度 持株会制度 企業年金制度 など |
勤務時間・休日
| 勤務時間 | 09:00～17:30 |
|---|---|
| 休日・休暇 | 完全週休2日制 慶弔休暇 年末年始 夏期休暇 有給休暇 出産予定・育児休職 |
その他
| 選考プロセス | 面接2回、Teamsによるオンライン面接またはFtoFでの面接1-2回程度 |
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企業情報
| 企業名 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 2002年11月 |
| 従業員数 | 21204名 |
| 資本金 | 1532億900万円 |
| 売上高 | 1兆4697億円 |
| 事業内容 |
≪車載マイコン世界シェアトップ/世界有数の半導体メーカー/海外売上比率68 % /グローバルに活躍できます≫ 「自動車」「産業」「インフラ」「IoT」の4分野で事業を展開しており、特に車載向けマイコンは世界シェア3割でトップです。 当社は年間35億個以上のMCUを出荷しており、約50%が自動車向けで、自動車には約20個のルネサス製MCUが搭載されています。残り50%は、産業、IoT、インフラストラクチャなどの主要市場向けです。8ビット、16ビット、および32ビットデバイスで幅広いポートフォリオを持ち、16ビットおよび32ビットMCUのNo.1サプライヤです。ルネサスは、大部分の... |
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