不揮発性メモリ に該当する転職・求人一覧
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勤務地 | 神奈川県横浜市港北区新横浜2-3-12 新横浜スクエアビル9F JR各線「新横浜」駅から徒歩4分 |
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年収 | 年収:600万~1500万程度 月給制:月額400000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回(業績賞与あり) 昇給:年1回 |
業務内容 | 【職務概要】 デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発をお任せします。 【職務詳細】 1X、2Xnm世代のNAND設計開発を行っていただきます。 【同社の特徴・魅力】 1.安定した雇用 同社の事業戦略から安定... |
求める経験 | 【必須】 ・化学、工学、電気工学系専攻 ・英語での基礎的なコミュニケーション(会話)力 ・1Xまたは2XnmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験があり、以下に精通していること -I/O、論理回路、アナログ回路とメモリのレイアウ... |
正社員
完全週休二日制転勤無し年間休日120日以上英語を使う仕事U・Iターン歓迎
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勤務地 | 神奈川県 藤沢市桐原町1 |
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年収 | 年収 600 ~ 1300 万円 ※みなし残業時間30h/月相当分(89,730円~179,520円)含む ※管理監督職としての採用の場合はみなし残業を含まない ※別途、業績賞与制度あり なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があり... |
業務内容 | 「【神奈川/藤沢】ロジック回路設計エンジニア※車通勤可」のポジションの求人です ■NAND型フラッシュメモリLSIのロジック回路設計 ■セルアレイに付随するセンスアンプやワード線ドライバ、もしくはそれらに直接つながるスイッチング回路、デ... |
求める経験 | 【必須要件】 ■電気電子工学あるいはコンピュータサイエンスの知識をお持ちの方 ■アナログ回路又はロジック回路、もしくはその両方のLSI回路設計経験 (3年以上) ■基礎的な英語力 【歓迎要件】 ■不揮発性メモリ分野での設計経... |
正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度
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勤務地 | 神奈川県藤沢市桐原町1番地 |
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年収 | 600-1300万円 ※別途、業績賞与制度あり ※社内規定および経験・能力を考慮した上で決定 ※みなし残業時間30h/月相当分(110,340円~239,040円)含む(管理監督職としての採用の場合はみなし残業を含まない) |
業務内容 | 同社のデザインエンジニア(回路設計職)として、以下の業務を担当していただきます。 ※経験に応じて以下業務のいずれかをを担当していただきます。 【具体的には】 ■NAND型フラッシュメモリLSI回路設計、特に以下のうち1つもしくは複... |
求める経験 | 【必須要件】以下いずれも該当する方。 ■電気電子工学あるいはコンピュータサイエンスの知識をお持ちの方 ■アナログ回路又はロジック回路、もしくはその両方のLSI回路設計経験 (目安:3年以上) ■基礎的な半導体工学の知識をお持ちの方 ... |
正社員
完全週休二日制年間休日120日以上英語を使う仕事
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勤務地 | 神奈川県横浜市港北区新横浜2丁目3-12 |
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年収 | 600-1400万円 |
業務内容 | ■デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発を担当していただきます。 |
求める経験 | 【必須要件】 ■以下いずれかのご経験 ・ロジック半導体の設計経験 ・ロジック半導体の検証経験 【歓迎要件】 ■10または20nmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験があり、以下に精通していること ・I/O、論理回路、ア... |
正社員
転勤無し完全週休二日制年間休日120日以上英語を使う仕事フレックス勤務
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勤務地 | 神奈川県 |
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年収 | 600万円~1200万円 ※給与詳細は、経験・スキルを考慮の上決定致します。 ■昇給:年1回 ■賞与:年2回※業績賞与あり 記載金額は選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含みます。 |
業務内容 | デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・ 開発をお任せいたします。 1X、2Xnm世代のNAND設計開発を行っていただきます。 ・ 同社の特徴・ 魅力: ◇安定した雇用…当社の事業戦略から安定した業績を重ねているため、半導... |
求める経験 | 【必須】 (1)科学、工学、電気工学系専攻 (2)英語での基本的なコミュニケーションスキル(英語中級) (3)1Xまたは2XnmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験があり、以下に精通していること ・ I/O、論理回路、アナログ... |
正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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勤務地 | 神奈川県 |
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年収 | 600万円~1200万円 ※給与詳細は、経験・スキルを考慮の上決定致します。 ■昇給:年1回 ■賞与:年2回※業績賞与あり |
業務内容 | 【プログラム格納用メモリ世界トップクラスシェア/海外市場上場のグローバル企業/2000億円の売上/離職率3%/残業月20時間程度】 デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・ 開発をお任せいたします。 1X、2Xnm世代のNAND... |
求める経験 | 【必須】 (1)科学、工学、電気工学系専攻 (2)英語での基本的なコミュニケーションスキル (3)1Xまたは2XnmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験があり、以下に精通していること ・ I/O、論理回路、アナログ回路とメモリ... |
正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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勤務地 | 神奈川県 |
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年収 | 600万円~1300万円 ※経験・能力・前職を考慮の上、優遇。 |
業務内容 | ・ 仕事概要 ● NAND型フラッシュメモリLSIの回路設計 - セルアレイに付随するセンスアンプおよびワード線ドライバを含むコア回路設計 - 高速データパスおよびインターフェイス回路設計 - コマンドデコーダおよびコマンドに従って... |
求める経験 | 【必須】 ・ 電気電子工学あるいはコンピュータサイエンスの知識をお持ちの方 ・ アナログ、デジタルを問わずLSI設計もしくはそのCADの経験 ・ 基礎的な英語力 【尚可】 ・ 不揮発性メモリ分野での設計経験、もしくはDRAM、... |
正社員
英語を使う仕事フレックス勤務
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