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半導体素子 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 大阪府門真市大字門真1006番 京都本線「西三荘」駅より徒歩11分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:550万～750万程度 月給制：月額300000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（7月・12月） 昇給:年1回（4月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社にて、半導体デバイスの製品企画・開発をお任せします。 【職務詳細】 次世代製品の調査・企画・構想・開発を担う部署のメンバーとして活躍頂きます。 社内外の技術開発連携、調査および活用も視野に技術ノウハウの蓄積と技... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体関連のデバイス開発・設計の経験 ３年以上 ・半導体プロセスに関する知識（チップ実装、パッケージ構造、素子一般） 【尚可】 ・高周波回路設計もしくは半導体回路設計の経験 ・解析スキル（構造・熱・流体） ・半導... |
| 勤務地 | 愛知県 |
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| 年収 | 年収:400万～1200万程度 月給制：月額208000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 電動車用インバータシステム向けパワーモジュールの企画／開発／設計業務をおまかせします。 【職務詳細】 ・顧客（車両メーカ＆社内システム部署）への製品提案＆技術折衝 ・市場／システム／電力変換技術の動向や競合の製品＆... |
| 求める経験 | 【必須】 ・インバータ／コンバータなど電力変換機器に内蔵される半導体モジュールまたは半導体デバイスに関する経験または知識を有すること 【尚可】 ■電力変換機器用パワーモジュール関連の下記いずれかの経験者 ・パワーモジュール開発＆... |
| 勤務地 | 愛知県 |
|---|---|
| 年収 | 年収:500万～1200万程度 月給制：月額208000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社にて、電動車向けパワーモジュールの企画・開発・設計をお任せします。 【職務詳細】 ・顧客(車両メーカ＆社内システム部署)への製品提案＆技術折衝 ・市場／システム／電力変換技術の動向や競合の製品＆技術調査＆分析 ... |
| 求める経験 | 【必須】 ・インバータ／コンバータなど電力変換機器に内蔵される半導体モジュールまたは半導体デバイスに関する経験または知識 【尚可】 ※電力変換機器用パワーモジュール関連の下記いずれかの経験者 ・パワーモジュール開発＆設計 ・モ... |
| 勤務地 | 愛知県 安城市里町長根２－１ 安城製作所 |
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| 年収 | 年収 500 ～ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 「電動車向けパワーモジュールの企画/開発/設計《入社実績多数》」のポジションの求人です 電動車用インバータシステム向けパワーモジュールの企画/開発/設計業務 【職務内容】 ・顧客（車両メーカ＆社内システム部署）への製品提案＆技術折... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■インバータ/コンバータなど電力変換機器に内蔵される半導体モジュールまたは半導体デバイスに関する経験または知識を有すること 【歓迎要件】 ■電力変換機器用パワーモジュール関連の下記いずれかの経験者 ・パワーモジュー... |
| 勤務地 | 大阪府/門真市/門真1006番地 |
|---|---|
| 年収 | 550-750万円 ※経験やスキルによって決定します。 |
| 業務内容 | ■次世代製品の調査・企画・構想・開発を担う部署のメンバーとして活躍頂きます。 【具体的には】 ・社内外の技術開発連携、調査および活用も視野に技術ノウハウの蓄積と技術検証、技術の製造拠点への移管 ・関連部署（営業、品質、製造）を巻き込み新た... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※いずれも必須 ・半導体関連のデバイス開発・設計の経験3年以上 ・半導体プロセスに関する知識（チップ実装、パッケージ構造、素子一般） 【歓迎要件】 ・高周波回路設計もしくは半導体回路設計の経験 ・解析スキル（構造・熱・流体）... |
| 勤務地 | 宮崎県/宮崎市/清武町木原727 |
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| 年収 | 400-850万円 ※固定残業手当は月、20時間0分該当分、57,000円（年収400万円の場合）?120,000円（年収750万円の場合）を支給。 |
| 業務内容 | 同社の半導体の前工程プロセスエンジニア担当として、以下の業務を担当いただきます 【具体的には】 ・SiCパワー半導体の生産性改善や新規設備立上げ業務 ・欠陥率低減、均一性改善業務 【同社のパワー半導体について】 同社では、SiCパワー半... |
| 求める経験 | 【必須要件】 半導体前工程プロセスのご経験 【歓迎要件】 ・プラズマエッチングプロセス経験者、または薄膜プロセス経験者 ・SiCのエピタキシャルプロセスや成長装置に関するご経験 ・マネジメント経験 |