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セラミック素子開発 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 滋賀県 |
|---|---|
| 年収 | 500万円～850万円 経験と能力等を考慮し当社規定により優遇いたします。 ■昇給年１回（４月） 賞与年２回（６月・１２月） |
| 業務内容 | ■携わる商品 ・高周波電子および電源回路で使用されるインダクタ（マッチング用インダクタ、ノイズフィルタ） ・車載向け コモンモードチョークコイル 【職務内容】 ■概要 新製品化(小型チップインダクタ・数百μm～数ｍｍサ... |
| 求める経験 | 【必須条件】(いずれか必須) ・製造プロセス開発経験をお持ちの方(自動車、電気、電子部品、半導体など) ・製造設備開発経験をお持ちの方(設備設計構想、メーカーとの技術的な打ち合わせ、設備立上～技術評価など) ・製造ライン合理化、自動化... |
| 勤務地 | 愛知県 |
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| 年収 | 570万円～830万円 ※当社の規定に準じて決定していきます。 |
| 業務内容 | 【業務】自社製セラミックを応用した各種アンテナ開発設計 ・各種衛星通信用アンテナ開発・5G向けアンテナ開発 ・各種アクティブアンテナユニット商品開発設計 ・開発グループマネジメント 【魅力】 今後、世界的に需要が見込まれる衛星通信... |
| 求める経験 | 【必須条件】 ■高周波向け各種アンテナ開発経験 |
| 勤務地 | 東京都 |
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| 年収 | 500万円～900万円 ※ご経験、ご年齢を考慮して同社規定により決定いたします。 |
| 業務内容 | スマートセンシング先端開発_物理とアナログ電気担当として下記業務をお任せします。 ・当社スマートインフラ製品（LiDAR、レーザースキャナなど）の試作機のシステム設計開発と評価 ・レーザー距離計の信号処理技術開発（新規アルゴリズムの考案... |
| 求める経験 | 【必須】 ・製品のアナログ回路設計3年以上 【歓迎】 ・光学素子ドライバーの回路設計、電源回路設計、モーター駆動回路設計、高周波回路設計の経験 【活躍が期待できるスキル】 ・アナログ回路知識、物理系知識 ・アナログ回路設計技術 ... |
| 勤務地 | 大阪府 |
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| 年収 | 550万円～750万円 昇給年1回 賞与年2回 モデル年収想定 950万円／管理職（月給58万円） 750万円／係長（月給38万5500円＋諸手当） 550万円／一般社員（月給28万3400円＋諸手当） |
| 業務内容 | ●産業リレー技術部のミッション 世界の環境規制（脱炭素）により自動車の電動化の加速、情報通信（データ）の高速・大容量化、産業設備の自動化が進展する中、スイッチングデバイス・リレーへの要望はますます高まっています。 人とモノをつなぎエネル... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体関連のデバイス開発・設計の経験 ３年以上 ・半導体プロセスに関する知識（チップ実装、パッケージ構造、素子一般） 【歓迎】 ・高周波回路設計もしくは半導体回路設計の経験 ・解析スキル（構造・熱・流体） ・半導... |
| 勤務地 | 京都府 |
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| 年収 | 500万円～850万円 経験と能力等を考慮し当社規定により優遇いたします。 ■昇給年１回（４月） 賞与年２回（６月・１２月） |
| 業務内容 | ■概要 RF用積層誘電体フィルタの設計・開発を行っていただきます。 ■詳細 ・4G/5GやWiFi・UWB向けなどや、通信モジュールなど通信市場に用いられるRFフィルタ、コンポーネントを開発 ・シミュレーション(回路・構造)を用いて... |
| 求める経験 | 【必須】 ・アナログ回路設計の経験 【歓迎】 ・RFの部品を扱った経験 ・フィルタやカプラ、バランなどの設計経験のある方 ・シミュレータを用いて商品設計をされた経験のある方(※積層誘電体フィルタに限定せず、フィルタの種類も問いませ... |
| 勤務地 | 愛知県 |
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| 年収 | 420万円～510万円 ※ご経験や年齢によって当社規定に沿って決定いたします。 ※賞与年2回（6月・12月）※2023年度実績 4.97ヵ月分 |
| 業務内容 | 【業務】工程のシステム構築のためのレシピ作成、設備に付随するパソコンの維持管理、生産管理システムトラブル時の対応などをお任せいたします。 【具体的には】 ■生産管理システムの増強・改善・保守： ・新品番、工程変更に対するシステム仕様の... |
| 求める経験 | 【必須】 ■学校・独学で何らかのプログラミングを学習されていた方もしくはプログラミング実務経験をお持ちの方 【歓迎】 ・製造業でソフト系の生産技術を経験された方 ・データベース・シーケンス基礎知識・システムの仕様作成を経験された方 ... |
| 勤務地 | 京都府 |
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| 年収 | ～1200万円 ■昇給：毎年4月に改定、賞与：年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値) |
| 業務内容 | 以下の新規事業創出におけるプロジェクトメンバーを募集いたします。 ＜技術領域と担当＞ ・高周波GaN HEMTの素子開発 ・ミリ波以上の高周波領域における通信システム開発【職種の変更の範囲】当社業務全般 |
| 求める経験 | 【必須】 ■パワー半導体の研究・開発・製造のいずれかに関わった事がある方 ＜パワー半導体＞ Si (MOS 、SBD、IGBT）、SiC (MOS、SBD)、GaN HEMT その他 Ga2O3、ダイヤモンドなど ＜ご経験... |
| 勤務地 | 滋賀県 |
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| 年収 | 500万円～850万円 経験と能力等を考慮し当社規定により優遇いたします。 ■昇給年１回（４月） 賞与年２回（６月・１２月） |
| 業務内容 | 携わる商品：高周波回路用SAWデバイス/BAWデバイス 高周波回路用SAW/BAWデバイスの研究開発を行います。 ■SAW/BAWデバイスの新素子（構造/工法）の基礎調査～研究開発を行います。 ★連携地域…滋賀県野洲事業所、石川県金沢... |
| 求める経験 | 【必須】 電気/電子回路、または物性物理の基礎知識を有しており、高周波デバイス研究開発の経験がある方。 |