パワー半導体デバイス開発＜IGBT、SiC-MOSFET等＞ 富士電機
| 職種 | パワー半導体デバイス開発＜IGBT、SiC-MOSFET等＞ |
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| 社名 | 富士電機 |
| 業務内容 |
■同社の既存／次世代デバイス技術開発に関わる一連の業務（シミュレーション、設計、CAD、プロセスインテグレーション、評価と考察）を担当いただきます。 ※詳細に関しては面接の際にお伝えいたします。 【具体的には】 ■次世代Si-IGBTパワー半導体デバイスの開発 ■次世代SiC-MOSFETパワー半導体デバイスの開発 └T-CAD使ったシミュレーション、試作、追加の機能を載せていく。 【競合と比較した同社の強み】 産業・電装分野でSiパワー半導体の多くの実績を持ち、次世代SiCパワー半導体に置いても、積極的な事業拡大を行っております。 【やりがい・魅力】 ・海外競合との競争が激しい中で、パワー半導体業界トップ級の性能を担うチャレンジングな開発業務を担当できる →同社のなかでも再注力分野の1つのため、潤沢な投資のもと世界トップを目指したチャレンジが可能です。 |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体デバイスに関する設計もしくは評価の経験お持ちの方 ■半導体設計ツール（CAD／CAE）に関する経験 【歓迎要件】 ■プログラミング経験お持ちの方 |
| 勤務地 |
長野県/松本市/筑摩4丁目18番1号
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| 年収 |
500-900万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合がございます。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 |
| 勤務時間 | 09:00 - 17:45（コアタイム：12:45 - 14:45） |
| 休日・休暇 | 年間124日／（内訳）完全週休2日制（土日）、年間124日(2022年度実績）、夏期休暇、年末年始休暇、有給休暇、慶弔休暇、 |
| 福利厚生 |
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金 時間外手当、通勤手当 寮、社宅、財形貯蓄制度（401K）、社員持株制度、保養所、休職制度（育児、介護）、就業時間短縮制度（育児、介護）、リフレッシュ支援制度、企業年金、共済会（加入必須（個人負担あり））、各種体育施設、診療所 など |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 【筆記試験】無 【面接回数】1回 【選考フロー】 書類選考⇒最終面接 |
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