SiCパワーデバイス開発エンジニア 社名非公開
| 職種 | SiCパワーデバイス開発エンジニア |
|---|---|
| 社名 | 社名非公開 |
| 業務内容 |
■SiCパワーデバイス・プロセス開発業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■ウェハプロセス開発／インテグレーション 例：構想検討?量産技術確立 ■デバイス構造設計／インテグレーション ■他部門との連携 例：設計部、生産技術部、品質保証部など |
| 求める経験 | 【必須要件】下記いずれも必須 ■半導体デバイス構造設計もしくはプロセス開発経験（3年以上） 分野：化合物半導体（GaN、LED用途、高周波用途など）、シリコン半導体（メモリ、CMOSイメージセンサなど） ■ビジネスレベルの英語力 例：顧客とのオンライン会議、メール対応など 【歓迎要件】 ■パワーデバイス（IGBT、パワーMOS（Si,SiC）開発経験 ■半導体物理、半導体材料物性、半導体要素プロセスに関するご知見・ご経験 ■ウェハプロセス試作のご経験 ■TCADシミュレーションスキル ■TEGレイアウトスキル ■デバイス電気特性評価スキル ■海外との共同プロジェクト経験 ■パワーエレクトロニクス全般の基礎知識 |
| 勤務地 |
茨城県/ひたちなか市/堀口730
|
| 年収 | 500-1000万円 |
| 勤務時間 | 09:00 - 17:30（コアタイム：00:00 - 00:00） |
| 休日・休暇 | 年間125日／（内訳）完全週休2日制（土日）、年末年始、有給休暇、慶事休暇、GW休暇 |
| 福利厚生 |
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金 通勤手当、家賃補助（賃貸、32歳まで支給対象（条件あり））、時間外勤務手当 財形貯蓄制度、従業員持株会制度、育児支援制度、介護支援制度 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 【面接回数】Teamsによるオンライン面接または対面での面接1?2回程度 |
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