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半導体前工程プロセス/インテグレーションエンジニア  /  キオクシア(旧東芝メモリ株式会社)

ジョブNo.08-51035630
職種 半導体前工程プロセス/インテグレーションエンジニア
社名 キオクシア(旧東芝メモリ株式会社)
業務内容 【職種内容】
当社の三次元フラッシュメモリの更なる高積層化実現のためのエッチング技術/成膜技術/基板接合技術開発、プロセスインテグレーション技術開発。半導体製造装置メーカーの窓口として、折衝/交渉や共同研究なども担当していただきます。
将来的には、若手エンジニアの育成や組織づくり、外部機関との共同研究推進など、中長期的な戦略策定にも携わっていただきます。

【採用背景】
現在のフラッシュメモリ製造業界におけるトレンドは、高積層化技術開発です。当社では、現在96層構造を有した三次元フラッシュメモリ (BiCS FLASH)を量産化しており、更なる高積層化に向けての研究開発も進めております。その高積層化のカギを握るのは、エッチング技術、及び成膜技術/基板接合技術となります。
それぞれのプロセス技術の知見はもちろん、製造装置の基本的構造及び特性を熟知し、将来技術戦略の提案/策定/実行を進めるチームメンバーを求めています。
※三次元フラッシュメモリ:BiCS FLASHについて
https://business.toshiba-memory.com/ja-jp/product/memory/bics.html
求める経験 【必須要件】
・半導体前工程のエッチング技術/成膜技術/基板接合技術において、ハードウェア/プロセス/インテグレーション関連業務に携わったご経験をお持ちの方
※半導体製造装置メーカー/半導体デバイスメーカー出身者歓迎

【歓迎要件】
・プロジェクトをリードしたご経験をお持ちの方
・若手エンジニアの育成や組織づくりのご経験をお持ちの方
勤務地
三重県四日市市
年収 400万円〜1000万円
雇用形態 正社員

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