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powered by   2024/03/28 更新
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京都府 に該当する転職・求人一覧

勤務地 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 550 ~ 950 万円 ■賞与:年2回(6月・12月) ■経験/年齢/能力等を考慮の上、当社規定により決定します。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 【職務内容】 ■パワーデバイスの商品開発又は拡販業務 当部署ではMOSFETを産機市場や民生市場、車載市場向けに商品開発を行い拡販をしております。 具体的には、トランジスタ(MOSFET)の商品企画、プロセス評価、製品評価、信頼性評価...
求める経験 【必須要件】  ■基礎的な電気回路の理解 ■商品開発希望の場合:電子部品や半導体の商品開発経験 ■拡販業務希望の場合:Siの商品知識やディスクリート市場の理解 【歓迎】 ■Si半導体やMOSFETに関する知識 ■半導体物性の...
勤務地 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 600 ~ 1200 万円 ■賞与:年2回(6月・12月) なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 【期待する役割】 パワーデバイスの拡販と技術サポートをご担当いただきます。 パワーデバイスをベースとした回路シミュレーションを活用し技術的な提案や顧客の技術トラブル解決を行うことで、顧客設計・評価をスムーズに進め、デザインインとデザイン...
求める経験 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験をお持ちの方 ■半導体のマーケティング、またはFAE(技術営業)の経験 ■電化製品、情報機器などの設計経験(半導体の取り扱い経験者) 【歓迎要件】 ■英語力(メール対応やカンファレンス対応可...
勤務地 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 600 ~ 1200 万円 ■賞与:年2回(6月・12月) なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 【職務内容】 ・顧客アプリケーション技術サポート ・ローム製品提案 ・顧客需要に基づいた製品企画 ・海外FAEと本社事業部を繋ぎ技術指南 顧客アプリケーションサポートを顧客毎、エリア毎に担当します。 対象は電源分野となります...
求める経験 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験をお持ちの方 ■半導体のマーケティング、またはFAE(技術営業)の経験 ■電化製品、情報機器などの設計経験(半導体の取り扱い経験者) 【歓迎要件】 ■英語力(メール対応やカンファレンス対応可...

【京都】半導体デバイス解析

社名非公開 閲覧済み
勤務地 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 460 ~ 900 万円 ■賞与:年2回(6月・12月) なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 【職務内容】 ■品質管理 LSI、パワー半導体、Tr、Diの市場故障品の解析。 <具体的な業務内容> ・半導体デバイスの外観検査 ・X線検査 ・入出力端子特性 ・エミッション/オバーク解析 ・THMOS解析 ・樹脂開封(薬...
求める経験 【必須要件】 ■電気および電子工学に関する知識を持つ方 【歓迎要件】 ■電子部品や半導体製品の開発、設計、評価、解析、テストなどのご経験をお持ちの方 ■日常会話(海外旅行できる程度)の英会話力があれば尚可
勤務地 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 600 ~ 1200 万円 ■賞与:年2回(6月・12月) なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 ロームが現在注力している【車載】【民生】【産機】向けのフィールドアプリケーションエンジニアをご担当頂きます。 【車載分野】:完成車メーカーや部品メーカーなど、国内外を問わずオートモーティブ業界の最新動向など情報収集やニーズ把握がメインミッ...
求める経験 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験をお持ちの方 ■半導体のマーケティング、またはFAE(技術営業)の経験 ■電化製品、情報機器などの設計経験(半導体の取り扱い経験者) 【歓迎要件】 ■英語力(メール対応やカンファレンス対応可...
勤務地 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 500 ~ 950 万円 ■賞与:年2回(6月・12月) なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 ■仕事内容 パワーダイオードやMOSFETなどのSiデバイスの拡販、企画、設計、プロセス開発をご担当いただきます。 担当製品は面接を通して決定いたします。 ※ご経歴を拝見し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニア...
求める経験 【必須要件】 ・MOSFETの構造・動作特性の理解 ・半導体プロセスの理解 ・基礎的な電気回路の理解 【歓迎要件】 ・使用回路(モーター・DCDCなど)の理解と実回路における  MOSFETまたはダイオードの評価技術 ・回...
勤務地 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 500 ~ 850 万円 ■賞与:年2回(6月・12月) なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 ■仕事内容 ・SiCパワーデバイス開発・設計 ・SiCパワーデバイスプロセス開発/プロセスインテグレーション SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効...
求める経験 【必須要件】※下記いずれかのご経験をお持ちの方 ・半導体業界でSiCの研究開発経験 ・トランジスタ/ダイオード/LSI等のデバイス開発経験 ・半導体プロセス開発経験、プロセスインテグレーション経験
勤務地 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 450 ~ 800 万円 ■賞与:年2回(6月・12月) なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 ■仕事内容 ・今後伸長が見込める車載通信向けTVSの開発 ・ウェアラブルやヘルスケアでの需要が見込めるフォトダイオードの素子開発 顧客ヒアリングから要件整理~設計・開発~材料の選定検討~製造ラインとの調整~出荷、まで業務の幅は非常...
求める経験 【必須要件】 ・ダイオード、トランジスタ、またはフォトダイオードのいずれ  かの素子設計・評価経験(3年以上) ・TCAD(プロセスシミュレーション、デバイスシミュレーショ  ン)の業務経験(3年以上) 【歓迎要件】 ・車載...