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不揮発性メモリ に該当する転職・求人一覧
勤務地 | 京都府京都市右京区西院溝崎町21 |
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年収 | 500万円~850万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値) |
業務内容 | ■不揮発性メモリのアナログ回路設計と検証 業務の振り分けは、開発するメモリによって分業と選任とを分けて行っています。 規模の大きいメモリであれば、3~5名程度で業務を分担して分業で開発します。逆に設計から評価まで一人で行うこともあります... |
求める経験 | 【必須】※下記のいずれかの知識と経験を保有されている方 ・不揮発性メモリの設計(経験3年以上) ・アナログ回路設計(経験3年以上) 【歓迎】 ・TOEIC600点以上 ・不揮発性メモリの回路設計を一人で進められる力 |
勤務地 | 神奈川県藤沢市 桐原町1 |
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年収 | 500万円~ ※経験・能力・前職を考慮の上、優遇。 |
業務内容 | ・NAND型フラッシュメモリの開発、及び、回路設計(特にロジック回路の設計及び検証) ・マイクロプロービング、メモリテスタによる、評価・回路デバッグ ・次世代品のアーキテクチャ開発及び評価 ・共同開発パートナーとUS本社とのインターフ... |
求める経験 | ■電気電子工学あるいはコンピュータサイエンスの知識をお持ちの方 ■アナログ、デジタルを問わずLSI設計の経験 ■基礎的な英語力 【尚可】 ■不揮発性メモリ分野での経験 ■量産レベルの製品開発経験 |
勤務地 | 京都府京都市右京区西院溝崎町21 |
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年収 | 500万円 ~ 8500万円 ■通勤手当 ■住宅手当 ■家族手当 ■その他手当 |
業務内容 | 【仕事内容】 ■不揮発性メモリのアナログ回路設計と検証 業務の振り分けは、開発するメモリによって分業と選任とを分けて行っています。 規模の大きいメモリであれば、3~5名程度で業務を分担して分業で開発します。 また、逆に設計から評価まで一人で... |
求める経験 | 【必須】 下記のいずれかの知識と経験を保有されている方 ・不揮発性メモリの設計(経験3年以上) ・アナログ回路設計(経験3年以上) 【歓迎】 ・TOEIC600点以上 ・不揮発性メモリの回路設計を一人で進められる力 【求める人物像】 ・... |
勤務地 | 神奈川県横浜市港北区新横浜2丁目3-12 |
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年収 | 600-1400万円 |
業務内容 | ■デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発を担当していただきます。 |
求める経験 | 【必須要件】 ■以下いずれかのご経験 ・ロジック半導体の設計経験 ・ロジック半導体の検証経験 【歓迎要件】 ■10または20nmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験があり、以下に精通していること ・I/O、論理回路、アナログ回路とメ... |
勤務地 | 三重県四日市市山之一色町800番地 |
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年収 | 470-1200万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合がございます。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 ※新卒初任給: 学部卒 470万円 、修士了 500万円 、博士了 570万円 |
業務内容 | ■デバイスエンジニアとして次世代NANDフラッシュメモリーおよび次世代不揮発性メモリーデバイス開発業務に携わっていただきます。 【具体的には】 ・次世代NANDメモリーデバイス開発 ・ポストNANDメモリーデバイス開発 ・量産製品の立ち上... |
求める経験 | 【必須要件】 ■半導体デバイスメーカー、ディスプレイメーカー等でデバイス開発やテストデバイス試作・評価業務経験 【歓迎要件】 ■英語力(基本は工場で完結する仕事が多いので、仕様書読解、英文メールのやり取りができるレベルの英語力を求められま... |
勤務地 | 神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1 |
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年収 | 470-1400万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合があります。詳しくは、コンサルタントまでお問い合わせ下さい。 |
業務内容 | 同社の回路設計(デザインエンジニア)として、以下の業務を担当していただきます。 【具体的には】 ■NAND型フラッシュメモリLSIの回路設計 - セルアレイに付随するセンスアンプおよびワード線ドライバ - 昇圧回路発信回路等のアナログ回路 ... |
求める経験 | 【必須要件】 ■ポテンシャル枠 ・回路設計のご経験(アナログ・デジタル問わず)※半導体経験は問いません。 ■即戦力枠 簡単なレベルの英語力を有し、以下の経験を有する方 ・LSI開発におけるロジック設計やDFT設計の経験 ※仕様書からRTL... |