不揮発性半導体分野への転職は「不揮発性半導体転職ナビ」にお任せ下さい

powered by   2024/03/29 更新
  • サイト掲載求人数:400

デバイス開発 に該当する転職・求人一覧

勤務地 宮崎県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 550 ~ 900 万円 ■賞与:年2回(6月・12月) ■経験/年齢/能力等を考慮の上、当社規定により決定します。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 【業務内容】 ■SiCデバイスのライン設計・開発、量産移管 SiCデバイスの開発・量産移管を担当していただきます。 具体的にはデバイス設計、プロセス評価、特性評価、信頼性評価を担当いただきます。 技術背景に合わせてプロセス構築の部分...
求める経験 【必須要件】  ※下記いずれかのご経験 ■基礎的な電磁気学の知識 ■半導体物性の知識 ■電子部品や半導体製品の開発経験 【歓迎要件】 ■プロセスインテグレーションの経験 ■マスク設計経験 ■デバイスSimulation知...
勤務地 東京都港区
年収 年収 - 8,000,000円 ※スキル・経験によって相談に応じます。 ※法定外45時間分の固定時間外手当を含む 査定2回/年 交通費支給(上限月額5万円)
業務内容 Androidデバイスの組込み開発エンジニアとして車載専用Androidデバイス開発全般に従事していただきます。 ハードウェア開発グループでは、配車アプリや ドライブレコーダー等のAndroidデバイスの開発を行っており、メカ、電気、およ...
求める経験 ■必須の経験/能力 ・組み込みLinuxの開発経験 ・下記いずれかの言語を用いた詳細設計の実務経験  - C、 C++、Java ・JNI(Java Native Interface)、System Service に関する知識 ■望まし...
勤務地 京都府京都市右京区西院溝崎町21
年収 500万円 ~ 8500万円 ■通勤手当 ■住宅手当 ■家族手当 ■その他手当
業務内容 【仕事内容】 ■不揮発性メモリのアナログ回路設計と検証 業務の振り分けは、開発するメモリによって分業と選任とを分けて行っています。 規模の大きいメモリであれば、3~5名程度で業務を分担して分業で開発します。 また、逆に設計から評価まで一人で...
求める経験 【必須】 下記のいずれかの知識と経験を保有されている方 ・不揮発性メモリの設計(経験3年以上) ・アナログ回路設計(経験3年以上) 【歓迎】 ・TOEIC600点以上 ・不揮発性メモリの回路設計を一人で進められる力 【求める人物像】 ・...
勤務地 京都府京都市右京区西院溝崎町21
年収 500万円~850万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値)
業務内容 ■不揮発性メモリのアナログ回路設計と検証 業務の振り分けは、開発するメモリによって分業と選任とを分けて行っています。 規模の大きいメモリであれば、3~5名程度で業務を分担して分業で開発します。逆に設計から評価まで一人で行うこともあります...
求める経験 【必須】※下記のいずれかの知識と経験を保有されている方 ・不揮発性メモリの設計(経験3年以上) ・アナログ回路設計(経験3年以上) 【歓迎】 ・TOEIC600点以上 ・不揮発性メモリの回路設計を一人で進められる力

デバイスエンジニア<フラッシュメモリー>

ウエスタンデジタル合同会社 閲覧済み
勤務地 三重県四日市市山之一色町800番地
年収 470-1200万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合がございます。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 ※新卒初任給: 学部卒 470万円 、修士了 500万円 、博士了 570万円
業務内容 ■デバイスエンジニアとして次世代NANDフラッシュメモリーおよび次世代不揮発性メモリーデバイス開発業務に携わっていただきます。 【具体的には】 ・次世代NANDメモリーデバイス開発 ・ポストNANDメモリーデバイス開発 ・量産製品の立ち上...
求める経験 【必須要件】 ■半導体デバイスメーカー、ディスプレイメーカー等でデバイス開発やテストデバイス試作・評価業務経験 【歓迎要件】 ■英語力(基本は工場で完結する仕事が多いので、仕様書読解、英文メールのやり取りができるレベルの英語力を求められま...
勤務地 岩手県北上市北工業団地6-6
年収 470-1200万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合がございます。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 ※新卒初任給: 学部卒 470万円 、修士了 500万円 、博士了 570万円
業務内容 ■最先端デバイス開発におけるプロダクトエンジニアを担当していただきます。
求める経験 【必須要件】下記どちらかに該当する方 ■修士卒以上(電気・電子系、化学・物質工学系、物理・応用物理系、数学、機械、情報等)の理系バックグラウンドをお持ちの方 ※半導体業界未経験も可能です。 ■半導体、ディスプレイなどにおける何かしらのプロセ...

デバイス開発エンジニア<3D-NAND>

ウエスタンデジタル合同会社 閲覧済み
勤務地 神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1
年収 470-1200万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合があります。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。
業務内容 ■3D-NANDの製品・技術開発を担当して頂きます。 【具体的には】 ・主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセル、およびそれを駆動する周辺回路やトランジスタを電気的に測定・解析し、プロセス開発、製品の性能・信頼性を向上のための技...
求める経験 【必須要件】以下いずれも有する方 電気電子工学、物理学、材料工学を履修者、  または数年の半導体プロセス/デバイス/回路設計の経験があること。 ■日本語の会話に問題なく、英語での会話ができることがのぞましい。 【歓迎要件】 メモリプロセス...