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結晶成長 に該当する転職・求人一覧
勤務地 | 茨城県古河市鴻巣758 |
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年収 | 450万円~750万円 |
業務内容 | 同社の次世代半導体基板(GaN基板、SiC基板など)の研究開発職として以下の業務をお任せ致します。 ■次世代半導体基板(GaN基板、SiC基板など)の新規基板加工技術開発 ■次世代半導体基板の加工品質評価・分析 ■開発技術の特許出... |
求める経験 | 【必須】 ・物理、化学、機械のいずれかに関する知識 ・材料分析、精密加工、材料工学のいずれかに関する知識 【歓迎】 ・次世代半導体基板(GaN基板、SiC基板など)や化合物半導体基板の結晶加工、 結晶評価、結晶成長に関する技術開... |
勤務地 | 茨城県茨城県牛久市東猯穴町1000 |
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年収 | 650万円~910万円 ※これまでの経験、スキルなどを基に決定致します。 ※残業20H/月込参考年収:730万円~1010万円 ※等級・グレードによっては時間外管理監督外となるため残業代の支給はございません。 |
業務内容 | 化合物半導体の製造プロセスの開発を担当いただきます。 【具体的には】 ・化合物半導体の結晶成長技術の開発、プロセスおよび装置の設計 ・化合物半導体の結晶成長プロセスのモデリング技術開発、最適化 ・化合物半導体の評価データ、プロセスデ... |
求める経験 | 【必須】 ■半導体材料等の結晶成長技術の開発経験者 【歓迎】 ■化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーション経験 ■英語力をお持ちの方 |
勤務地 | 富山県魚津市東山800番地 |
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年収 | 400万円~900万円 モデル年収/参考(20残込):20代450-550万 30代550-700万 40代700万以上 |
業務内容 | ■5G基地局向けRF-GaNデバイスの製品化・量産化に向けた結晶成長技術開発、ウェハプロセス開発、工程設計、量産技術開発、評価 解析等を担当して頂きます。 ■GaN系デバイスの結晶成長技術開発 ・MOCVD法を用いた薄膜成長技術... |
求める経験 | 【必須】※応募時には顔写真データも必要となります ・結晶成長技術に興味関心のある方 ・GaNのプロセス開発に興味のある方 【歓迎】 ・化合物半導体材料の知識 ・化合物半導体の結晶成長技術経験、ウェハプロセス開発経験 ・半... |
勤務地 | 宮城県名取市高舘熊野堂字余方上5-1 |
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年収 | 400万円~1000万円 スキル、経験、前職給与を考慮し、当社規定に基づき個別に決定します。賞与年2回(7月、12月) |
業務内容 | ■職務内容 MOCVD法を用いた新しい材料設計、評価技術、結晶成長(エピタキシャル成長)技術を使ったデバイス開発 ■募集背景 新材料を用いたデバイスの実用化を目指し研究開発中のプロジェクトの増員のため |
求める経験 | 必須条件 ・材料物性を知識を有すること ・有機金属気相成長法(MOCVD)の知識を有する技術者 ・光半導体/化合物半導体デバイス開発経験者 歓迎条件 ・半導体プロセス技術者 |
勤務地 | 新潟県長岡市深沢町2085-16 |
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年収 | 500万円 ~ 750万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当 |
業務内容 | 次世代半導体基板に関する研究開発業務をご担当いただきます。 長岡のオフィスで勤務いただき、将来的に弊社古河(茨城)への転勤の可能性がございます。 【具体的には】 ■次世代半導体基板(GaN基板、SiC基板など)の新規基板加工技術開発 ■次... |
求める経験 | 【必須】 ■物理、化学、機械のいずれかに関する知識 ■材料分析、精密加工、材料工学のいずれかに関する知識 【歓迎】 ■次世代半導体基板(GaN基板、SiC基板など)や化合物半導体基板の結晶加工、結晶評価、結晶成長に関する技術開発経験 ■... |