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研究開発 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 茨城県那珂郡東海村大字白方2-4 常磐線「東海」駅より車で10分 |
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| 年収 | 年収:650万～810万程度 月給制：月額675000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:随時 昇給:なし |
| 業務内容 | 【職務概要】 プロジェクトの工程管理業務を担当します。 【職務詳細】 ・ITERプロジェクト戦略計画、コンサルティング、管理 ・日本が調達する機器の戦略的計画および管理（工程、予算、人員） 【この仕事の魅力】 核融合実験... |
| 求める経験 | 【必須】 ・英語（TOEIC900点相当） ・戦略的研究開発計画の立案、工程管理経験者 ・予算、人員の計画と執行経験 【尚可】 ・英語での交渉経験 ・国際紛争解決の知識 |
| 勤務地 | 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500JR東海道本線「茅ヶ崎」駅北口より車で10分 ※茅ケ崎駅から社員用バスあり ※車通勤可 |
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| 年収 | 年収:600万～800万程度 月給制：月額300000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6月、12月）※前年度実績6ヶ月 昇給:年1回（7月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社にてドライエッチング、またはCVD装置のハード開発・評価をご担当いただきます。具体的には装置コンポーネントの提案・開発に従事頂きます。 【職務詳細】 ■製品：ケミカル系装置（ドライエッチング、CVD装置） ■範... |
| 求める経験 | 【必須】 ・電気回路の知識(大学卒程度) ・プラズマ生成(または、プラズマ診断)に関する基本理解 【尚可】 ・ケミカル系装置の経験があるエンジニア ・産業装置の設計・開発の経験がある方 ・高周波プラズマに関する知識(大学卒程... |
| 勤務地 | 【東北】宮城県 黒川郡大和町仙台市営南北線「泉中央」駅より車で15分 ※無料シャトルバス運行 地下鉄南北線「泉中央」駅車で13分 |
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| 年収 | 年収:400万～900万程度 月給制：月額285710円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年２回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【業務内容】 半導体製造装置（エッチング装置）の研究開発（コンセプト決定、試作、実証）や既存装置のデジタル回路およびアナログ回路設計、各種制御システム設計、電気配線設計、電源設計、モーター設計など電気電子設計全般を行います。また制御機器間... |
| 求める経験 | 【必須】 ■高専・大学・大学院に在籍時、電気・電子工学関連の分野を専攻していた方 【尚可】以下の領域で実務経験・知見がある方。 □半導体／半導体装置 □工作機械 □搬送機・搬送装置 □高電力／高電圧な製品 □電源系（装置の経験不... |
| 勤務地 | 広島県福山市引野町5-6-10JR山陽本線「東福山」駅から徒歩1分 |
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| 年収 | 年収:400万～600万程度 年俸制：月額250020円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回(7月、12月 約3ヶ月分) 昇給:入社2年目の9月以降 |
| 業務内容 | 【職務概要】 液晶基板・半導体製造工程において使用される製造装置に搭載するプラズマ用高周波電源の設計を担当していただきます。入社後は、実際の製作工程を見ながら製品知識を習得していきます。経験のない方でも、電気技術の基礎研修や社内外のセミナ... |
| 求める経験 | 【必須】 ・高周波分野での電子回路設計経験（ソフト） 【尚可】 ・精密電子機器の電子回路設計経験 |
| 勤務地 | 山形県 鶴岡市大宝寺字日本国271－6 |
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| 年収 | 年収 450 ～ 800 万円 ■賞与：年2回（7月、12月）、年度毎の労使決定額に基づき支給 ※年収例（賞与／各種手当／時間外手当含む） （１）20代：450万円～600万円 （２）30代：500万円～750万円 （３）40代：... |
| 業務内容 | 「【山形/鶴岡】MEMSデバイスのプロセス技術者」のポジションの求人です 【担当する業務（概要）】 MEMSデバイスのプロセス開発業務 【担当する業務（詳細）】 開発部門にて、MEMSデバイスのプロセス・開発業務を担当していただ... |
| 求める経験 | 【必須要件】以下1つ以上当てはまる方 1.MEMSデバイスまたは半導体デバイスのプロセス開発業務経験 2.MEMSデバイスまたは半導体デバイスの評価業務経験 3.圧電PZT膜の開発業務経験 【歓迎要件】 ・CADを用いたフォト... |
| 勤務地 | 栃木県 芳賀郡 ※新幹線通勤可先進技術研究所 |
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| 年収 | 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 「新規材料研究（太陽電池領域）」のポジションの求人です 【募集の背景】 Hondaは、この地球上で人々が持続的に生活していくため、「環境負荷ゼロ」の循環型社会の実現をめざし、これまでの「Triple ZERO」を超えた、より高い取り組み... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■有機/無機材料いずれかの知識 【歓迎要件】 ■有機/無機材料いずれかの実務経験 ■放射光・中性子施設やTEM/SEMを活用した材料解析経験 ■半導体材料に関する知見 ■半導体デバイス設計経験 |
| 勤務地 | 山形県 鶴岡市大宝寺字日本国271-6 山形製作所 |
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| 年収 | 年収 450 ～ 800 万円 ■賞与：年2回（7月、12月）、年度毎の労使決定額に基づき支給 【その他】 入社に際して転居が必要な場合、当社規定により転居にかかる費用を負担いたします。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があ... |
| 業務内容 | 「【山形/鶴岡市】プロセス技術開発（MEMSデバイス関連）」のポジションの求人です ■募集背景：当社では、世にまだない新しいMEMSデバイスを創出し、社会に貢献することを目指しています。 今回募集するMEMSプロセス技術者は、その中でも... |
| 求める経験 | ■必須要件：下記一つでも当てはまる方 1.MEMSデバイスまたは半導体デバイスのプロセス開発業務経験 2.MEMSデバイスまたは半導体デバイスの評価業務経験 3.圧電PZT膜の開発業務経験 【歓迎スキル】 ・CADを用いたフォ... |
| 勤務地 | 山口県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1200 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【期待する役割】 プラズマ制御／膜構成等の最適化により、単結晶薄膜PZTの製造を行う同社において、顧客要望に合わせたカスタマイズを行うにあたり、成膜プロセスの検討や、デバイス試作を担い、リーダーとして開発プロジェクトの牽引役としてご活躍い... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■RFフィルターに対する知見を持っている方 ■半導体部品の設計開発経験 ■日常会話レベルの英語力 【歓迎要件】 ■MEMS、圧電材料に関する知識（物性および結晶学） ■大学等でRFフィルターの研究室にいた経験 ... |
| 勤務地 | 大阪府大阪市淀川区西中島 5-8-3 新大阪サンアールビル北館 10F |
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| 年収 | 700万円～900万円 賞与は、業績（会社・個人）に応じて支給 OnTarget の場合、トータル 45 万円～60 万円くらい |
| 業務内容 | 【担当業務】 ・半導体製造 CVD 成膜及びエッチング装置のハードウェア立上げ・技術サービス業務 【プラズマテクノロジー事業部とは】 オックスフォード・インストゥルメンツ（本社 UK）は極低温、高磁場、核磁気共鳴・X 線・電子・光... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体装置市場における装置立ち上げ経験 ・装置に関連する電気回路や、プロセスチャートフローなど、関連するハードウェア及びプロセス技術に関するデータを装置付帯ドキュメント等から読み解くことができること ・装置 UI に対する... |
| 勤務地 | 茨城県日立市幸町3-1-1 |
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| 年収 | 800万円～950万円 ※上記年収レンジは目安です。経験・年齢・能力を考慮し、規定により優遇します。 |
| 業務内容 | 【配属組織名】 原子力ビジネスユニット 原子力事業技術センタ 核融合・加速器部 【配属組織について（概要・ミッション）】 発電機や変圧器の製作で培った技術を基盤に、主に国家プロジェクトとして推進される核融合・研究用加速器分野の世界... |
| 求める経験 | 【必須条件】 [資格] 不問 [スキル] 開発品の構造設計(構造検討、図面作成、製作指示等)の業務経験 指導的コミュニケーション力 [知識] 材料力学、電気 に関する基礎知識 【歓迎条件】 [資格] 機械・... |