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プロセス改善 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 山形県鶴岡市大宝寺字日本国271-6 JR羽越本線「鶴岡」駅より車で6分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:500万～750万程度 月給制：月額280000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:業績による 昇給:年1回（成果による） |
| 業務内容 | 【担当する業務（概要）】 レーザー開発におけるMOCVDを活用した結晶成長あるいは素子化開発、その評価を担当頂きます。 【担当する業務（詳細）】 新規の可視光レーザー開発。具体的には可視光VCSELおよびPCSELの研究・開発とな... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体結晶成長または素子化プロセスの知識・経験 ・実務経験2年以上 以下いずれか必須 ・光学評価（PL,EL）、電気的評価（I-V、Hall、C-V）、結晶評価（XRD、SIMS、TEM）の知識・経験 ・光デバイスシミ... |
| 勤務地 | 群馬県伊勢崎市粕川町1671番地1 東武伊勢崎線「新伊勢崎」駅より徒歩21分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:450万～1200万程度 月給制：月額220000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6月、12月） 昇給:年1回（6月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社にて新機種製品開発に伴う生産工程設計、新規設備導入、設備改造や既存ラインの工程改善や生産ラインの統廃合、IoT技術を活用した生産工程のDX推進業務を主にご担当いただきます。 【職務詳細】 ・生産ラインの工程設計業... |
| 求める経験 | 【必須】 ・生産技術並びに製造技術における何らかの業務経験をお持ちの方 ※下記いずれかのご経験に該当する方歓迎※ ・生産技術業務(ソフト／ハード問わず) └生産プロセス設計、作業設計、設備導入・立上げ └表面実装技術、はん... |
| 勤務地 | 茨城県 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:400万～600万程度 月給制：月額280000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 研究開発職として次世代半導体基板加工技術開発を担当します。 【職務詳細】 ・次世代半導体基板（GaN基板、SiC基板など）の新規基板加工技術開発 ・次世代半導体基板の加工品質評価・分析 ・開発技術の特許出願 ・... |
| 求める経験 | 【必須】 ・物理、化学、機械のいずれかに関する知識 ・材料分析、精密加工、材料工学のいずれかに関する知識 【尚可】 ・次世代半導体基板（GaN基板、SiC基板など）や化合物半導体基板の結晶加工、結晶評価、結晶成長に関する技術開発... |
| 勤務地 | 茨城県 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:400万～550万程度 月給制：月額280000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 生産技術職（次世代半導体基板加工技術開発）担当として下記業務を担当します。 【職務詳細】 ・基板加工プロセスの歩留まり・生産性改善 ・基板加工装置の改善・改造 ■魅力 ・同社の主な製品は自動車用配管ですが、... |
| 求める経験 | 【必須】下記いずれかを満たす方 ・プロセス改善 ・設備設計【歓迎要件】 ・次世代半導体基板（GaN基板、SiC基板など）や化合物半導体基板の結晶加工、結晶評価、結晶成長に関する技術開発経験 【尚可】 ・英語力（TOEIC600... |
| 勤務地 | 神奈川県 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:500万～750万程度 月給制：月額280000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:業績による 昇給:年1回（成果による） |
| 業務内容 | 【職務概要】 研究開発部門にて、MEMSデバイスの設計・開発業務を担当していただきます。各種アプリケーションからの要求事項をデバイス仕様に反映させ、設計・製造・評価を経て実現可能性、量産可能性を検証することが主なミッションとなります。 ... |
| 求める経験 | 【必須】下記いずれか1つ以上のご経験 1.MEMSデバイスの構造設計業務経験 2.MEMSデバイスまたは半導体デバイスの作製業務経験 3.MEMSデバイスまたは半導体デバイスの評価業務経験 【尚可】 ・有限要素法解析（FEM）... |
| 勤務地 | 神奈川県秦野市曽屋400 小田急小田原線「渋沢」駅より車で10分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:450万～800万程度 月給制：月額230000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:業績により 昇給:年1回（成果により） |
| 業務内容 | 【職務概要】 MEMSデバイスの量産設計を担当していただきます 【担当する業務】 開発業務は、MEMSデバイス構造設計、デバイス製造技術、デバイス評価技術のいずれか、もしくは全てになります。 研究開発部門から技術の移管を受け、量... |
| 求める経験 | 【必須】以下1つ以上当てはまる方 ・MEMSデバイスの構造設計経験のある方 ・MEMSデバイスまたは半導体デバイスの作製業務経験のある方 ・MEMSデバイスまたは半導体デバイスの評価業務経験のある方 【尚可】 ・CADを用いた... |
| 勤務地 | 神奈川県秦野市曽屋400 小田急小田原線「渋沢」駅より車で10分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:450万～800万程度 月給制：月額230000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:業績による 昇給:年1回（成果により） |
| 業務内容 | 【職務概要】 レーザー開発におけるMOCVDを活用した結晶成長あるいは素子化開発、その評価を担当頂きます。 【職務詳細】 新規の可視光レーザー開発。具体的には可視光VCSELおよびPCSELの研究・開発となります。 具体的には下... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体結晶成長または素子化プロセスの知識・経験 ・実務経験2年以上 以下いずれか必須 ・光学評価（PL,EL）、電気的評価（I-V、Hall、C-V）、結晶評価（XRD、SIMS、TEM）の知識・経験 ・光デバイスシミ... |
| 勤務地 | 神奈川県 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:450万～900万程度 月給制：月額320000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6・12月）※平均基準賃金月額4～5ヶ月分 昇給:年1回（4月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 レーザ加工装置、半導体製造装置、レーザドリル装置、レーザを用いた計測装置の機械設計関連の開発、設計業務を担当します。 【職務詳細】 ■製品：レーザ加工装置、半導体製造装置、レーザドリル装置、レーザを用いた計測装置 ... |
| 求める経験 | 【必須】 ・装置関連設計のご経験 ・機械設計のご経験（3年以上） 【尚可】 ・レーザ加工装置、半導体製造装置、検査装置などの設計・制御のご経験 ・ロボットやメカトロ関連の設計経験 ・PLCプログラミング知識 ・光学設計技術... |
| 勤務地 | 埼玉県新座市野火止7-21-33 東武東上線「志木」駅より車で７分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:400万～600万程度 月給制：月額250000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社にて研究開発業務をお任せします。 【職務詳細】 ■製品：先端マスク及びナノインプリント ■範囲：材料開発～技術移管 【具体的には】 ■先端マスク、特にEUVマスク向けの材料、プロセス、後工程装置の研究開... |
| 求める経験 | 【必須】 ・研究開発業務経験者・研究開発業務に興味がある方 ・チーム内及び他部署との連携スムーズに行える方 ・海外と関わりのある業務に積極的、少なくとも抵抗が無い方。 【尚可】 TOEIC500点以上 |
| 勤務地 | 滋賀県 勤務地変更の範囲：勤務地からの変更はなし |
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| 年収 | 年収:500万～950万程度 月給制：月額230000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6月、12月） 昇給:年1回（4月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 新製品化(小型チップインダクタ・数百μm～数ｍｍサイズ）のためのプロセス開発や生産ライン構築のための技術・設備開発を担当いただきます。 【職務詳細】 ※設備設計・製作を行う部門ではありません。設備メーカ、材料メーカな... |
| 求める経験 | 【必須】 下記いずれかのご経験がある方 ・製造プロセス開発経験(自動車、電気、電子部品、半導体など) ・製造設備開発経験 (設備設計構想、メーカーとの技術的な打ち合わせ、 設備立上～技術評価など) ・製造ライン合理化、自動化経... |