求人の約80%を占める、一般には公開されない非公開求人もご紹介します。
公開求人数：332件 / 総求人数：2,272件（非公開求人を含む） / 注目求人：36件
リソグラフィ に該当する転職・求人一覧
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気になる求人 について相談したい |
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| 勤務地 | 石川県能美市 |
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| 年収 | ＜予定年収＞400万円～800万円＜賃金形態＞月給制補足事項なし＜賃金内訳＞月額（基本給）：200,000円～＜月給＞200,000円～＜昇給有無＞有＜残業手当＞有＜給与補足＞※経験・スキル・期待貢献に応じて、当社規定により決定します。■... |
| 業務内容 | ～日本の有機ELの未来を担う企業／パナソニック・ソニーの技術を集結／年間休日120日以上～■職務内容：印刷有機ELのTFT工程の生産性改善、歩留り改善、新機種立ち上げ等の開発改善業務もしくは、TFTデバイスの評価・工程改善に携わっていただ... |
| 求める経験 | ＜応募資格/応募条件＞■必須要件：※下記いずれかのご経験をお持ちの方・半導体・液晶・有機EL・電子部品などのデバイスの製造工程に関する業務経験・以上のデバイスの評価のご経験■歓迎要件：（1）フォトリソ工程の開発経験、または立上げ経験/（2... |
【理系第二新卒歓迎】有機ELパネル製造・開発／東証一部企業
(550〜650万円)
液晶製造装置やカーエレクトロニクス関連などの開発・製造・販売を行う当社で、液晶・パネル部門の開発業務をお任せします。 具体的には、要素技術開発やプロセス開発、また開発装置における各種評価から計測・分析までをお願いします。プラズマ技術や熱処理技術、真空装置などの…
半導体プロセスエンジニア【滋賀工場】社名非公開について相談したい |
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| 勤務地 | 滋賀県大津市 |
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| 年収 | 450万円〜850万円 |
| 業務内容 | プロセスまたはデバイスエンジニアとして、新規プロセスの開発業務に携わって頂きます。 ■MOSFET/IGBT/Diode/LSIのプロセスインテグレーション開発 ■歩留り、品質改善 【同社の商材】 顧客のニーズに対応した高付加価値の... |
| 求める経験 | ... L半導体プロセスまたはデバイスエンジニアの業務経験 L半導体ダイシング要素技術経験 L半導体フォトリソグラフィ要素技術経験 LMOSFET/IGBT/Diode等のパワーデバイス開発経験 |
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| 勤務地 | 岐阜県土岐市 |
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| 年収 | 520万円〜750万円 |
| 業務内容 | クリーンルーム内工程の製造技術・工程管理業務に携わって頂きます。 成膜工程（スパッタ成膜および蒸着成膜）、フォトリソ工程、剥離・洗浄工程などの工程作業を管理していただきます。 【業務一例】 ・工程改善、歩留まり改善 ・製造スタッフへの作業... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体製造工程での経験 【歓迎要件（あれば尚可）】 ・成膜装置（スパッタ装置および蒸着装置）の取扱いがある方 ※希望・適性に応じ配属となります。 |
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