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京都府 に該当する転職・求人一覧
勤務地 | 京都府京都市右京区西院溝崎町21 |
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年収 | 500万円~900万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値) |
業務内容 | ■パワーデバイスの『第3の矢』、GaNパワーデバイスの製造技術に関する業務をご担当いただきます。 ・世界でロームでしか作れない高ゲート耐圧構造のGaNデバイス事業を更に発展させるために、製造プロセスの安定化や品質改善、生産性向上、歩留り改... |
求める経験 | 【必須】 ・半導体プロセス または デバイスの設計、開発、製造、工程改善、品質向上、 歩留り改善、ライン立ち上げのいずれかに関わる業務経験(3年以上) 【歓迎】 ・化合物半導体に関する知識、開発、研究経験 ・半導体製造装置に関す... |
勤務地 | 京都府京都市右京区西院溝崎町21 |
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年収 | 500万円~900万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値) |
業務内容 | ■GaNデバイス向け新規パッケージ開発、GaNモジュール設計開発 GaN HEMTの特長を活かした商品を実現するため、 パッケージ技術者の視点で高放熱のディスクリートパッケージや 新規モジュール製品の開発、開発環境の構築、量産化対応な... |
求める経験 | 【必須】 ・半導体パッケージに関わる設計、開発業務経験 3年以上 上記に加え下記いずれかの専門性がある方 ・半導体パッケージに関する材料技術 ・製造プロセス技術 ・CAE解析 ・パワーモジュール設計 【歓迎】 ・リー... |
勤務地 | 京都府京都市右京区西院溝崎町21 |
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年収 | 500万円~900万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値) |
業務内容 | GaNパワーデバイス開発エンジニア(電源設計)の募集要項です。 ・GaNデバイスを用いた電源回路設計、評価 ・GaNデバイスの海外拡販 <GaNパワーデバイスとは> GaN(窒化ガリウム)とは、次世代パワーデバイスに用いられる半... |
求める経験 | 【必須】 ※下記いずれかのご経験 ・電源回路設計経験 ・半導体業界でGaNデバイスの研究開発経験 ・パワーモジュール設計経験 |
勤務地 | 京都府京都市右京区太秦巽町1番地 |
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年収 | 440万円~800万円 上記年収レンジは目安です。前職の給与・経験を考慮の上、当社規定で決定致します |
業務内容 | 【業務】自動車関連部品取引先の品質改善指導及び新規部品の生産準備支援業務 【詳細】 ・生産技術の視点でのサイマル活動、工程FMEA、取引先の品質改善指導、品質手引き ・品質管理の視点で、取引先の監査、指導、環境負荷物質監査 ※調達技... |
求める経験 | 【必須要件】 ■理系バックグラウンド ■社交性及び、コミュニケーション能力 【歓迎】 ■自動車業界の生産技術部門または品質管理部門の経験 ※基本は日本語での業務。但し、海外の購買取引先との調整・折衝やアライアンスパートナーとの... |
勤務地 | 京都府長岡京市神足木寺町27-4 |
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年収 | 450万円~800万円 ■賞与実績:年2回賞与支給有(昨年度実績4.0ヶ月) |
業務内容 | ◇排ガス除害装置の電気設計業務に従事していただきます。 ・当社除害装置用の電源開発 ・直流大容量電源 ・高周波電源 【製品】 ・主として半導体製造工場から排気されるガス(温室効果ガス等)の排出を抑制する装置 ・多くの製造業種... |
求める経験 | 【必須】■アナログ回路設計の経験がある方。■無線の電源回路設計の経験がある方。■電源に関わる業務経験をお持ちの方。(開発・設計・修理など)※技術者派遣での業務経験も歓迎です。 ■基本的なPCスキル(Excel、Word、PowerPoi... |
勤務地 | 東京都府中市住吉町2丁目30-7(府中事業所) |
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年収 | 600万円~1100万円 ※ご経験、能力に応じて個別に提示を致します。 |
業務内容 | 【職務内容】 ・開発用ITシステム(個人用開発PC、サーバー、ネットワーク)の設計、調達、構築、運用、脆弱性対応など 部内の開発者が利用する開発用PCやサーバーのハードウェアおよびアプリケーションを管理します。 セキュリティ強... |
求める経験 | 【必須】 ・インフラ業務(主にネットワーク/サーバ/セキュリティいずれか)の設計、構築、運用などの 実務経験3年以上 【歓迎】 ・プログラミングの経験3年以上 ・セキュリティ業務の経験 ・システム監査業務の経験 【語学】 ... |
勤務地 | 京都府京都市上京区岩栖院町(がんすいんちょう)59 擁翠園 |
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年収 | 400万円~ 昇給 年1回(5月) 賞与 年2回(7月、12月) |
業務内容 | ?業務内容 本ポジションでは世界120か国以上で活躍している自社の体外診断用医薬品開発にまつわる業務及び、臨床検査手法の研究開発業務をお任せします。 製薬はもちろんのこと、特に「化学」に特化した側面での測定装置やデバイスの開発にも携... |
求める経験 | 【必須】 ■化学系の開発業務経験 【歓迎】 ・ご自身で試行錯誤をした開発をし、成功体験を持っている方(医療系に問わず) ・医療業界のご経験 ・生産移管のご経験 ・高分子化学あるいは、物理化学の専門知識/製剤あるいは化学分析の... |
勤務地 | 東京都府中市 府中事業所 |
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年収 | 680万円~1100万円 ※上記年収レンジは参考です。前職の給与、スキル・能力等の判断の上、当社規定で決定致します ※新卒初任給(2017年4月)参考/博士了:288000円、修士了:234500円、学士了:210500円 |
業務内容 | 国の安全保障に関する事業を担う事業部として、高品質なプロダクト開発・製造力と、システムインテグレーション力によるICTソリューションサービスを提供しています。 当組織は主に防衛省向けの通信ネットワーク技術を基盤とした新規事業創出、システム... |
求める経験 | [必須要件]※業界不問/製品不問 ■3年以上の無線及び有線通信NWシステム(防衛関連に限らず)の業務経験(SE・開発設計どちらでも可) ■顧客/社内関連部門/外注先等さまざまな関係者との折衝し、プロジェクトを推進し、問題・課題解決に向け... |
勤務地 | 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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年収 | 年収 500 ~ 900 万円 ※上記に別途、住宅・退職金等福利厚生あり 【賞与】年2回(7月、12月) なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
業務内容 | R&D部門、事業部門との協働の中で、新商品の開発に繋がる新素材、成分の探索をメインに行います。その中で多角的な成分分析(LCやGC等による分析)や素材の有用性の検証を行っていただきます。 ■募集背景 伸長するヘルスケア事業の中で、現... |
求める経験 | ※4/24応募締切 ※応募書類に写真添付をお願いします 【必須要件】 ・食品・製薬メーカー、化粧品、消費財、香料メーカー、や研究機関等でのLC、GC、NMR等の機器分析実務経験者 ・英文の学術論文を理解できる程度の英語力を有する方 ... |
勤務地 | 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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年収 | 年収 500 ~ 950 万円 ■賞与:年2回(6月・12月) なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
業務内容 | ■仕事内容 パワーダイオードやMOSFETなどのSiデバイスの拡販、企画、設計、プロセス開発をご担当いただきます。 担当製品は面接を通して決定いたします。 ※ご経歴を拝見し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニア... |
求める経験 | 【必須要件】 ・MOSFETの構造・動作特性の理解 ・半導体プロセスの理解 ・基礎的な電気回路の理解 【歓迎要件】 ・使用回路(モーター・DCDCなど)の理解と実回路における MOSFETまたはダイオードの評価技術 ・回... |