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IGBT に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 茨城県茨城県ひたちなか市堀口751 （那珂事業所） |
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| 年収 | 500万円～1000万円 前職でのご経験、能力を考慮の上、同社規定により優遇いたします。 |
| 業務内容 | ■職務内容 ▼パワーデバイス・プロセス開発 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア ・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築 ・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 ３年以上 （半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験） ・期待する行動役割など(求める人物像) パワーデバイス未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに... |
| 勤務地 | 山梨県甲斐市 （山梨工場） |
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| 年収 | 500万円～1000万円 前職でのご経験、能力を考慮の上、同社規定により優遇いたします。 |
| 業務内容 | ■職務内容 ▼パワーデバイス・プロセス開発 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア ・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築 ・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 ３年以上 （半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験） ・期待する行動役割など(求める人物像) パワーデバイス未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに... |
| 勤務地 | 愛媛県西条市ひうち8-6 （西条事業所） |
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| 年収 | 500万円～1000万円 前職でのご経験、能力を考慮の上、同社規定により優遇いたします。 |
| 業務内容 | ■職務内容 ▼パワーデバイス・プロセス開発 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア ・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築 ・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 ３年以上 （半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験） ・期待する行動役割など(求める人物像) パワーデバイス未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに... |
| 勤務地 | 東京都港区東新橋1-9-3 |
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| 年収 | 550万円～1000万円 給与は経験・スキルにより、決定されます。 |
| 業務内容 | ＜職務内容＞ EV急速充電器や産業機器電源などに搭載される電源ユニットの構想設計から量産設計までをご担当いただきます。 同社新規プロジェクトの技術担当として、デジタル電源制御方式を用いた各種(DSP)パラメータ検討や、パワエレ回路の構想... |
| 求める経験 | 【必須条件 リーダークラス】 ・数k～数10kWのパワエレ機器開発の設計／評価の経験 ・電源回路に関わる開発/設計/評価の経験(3年以上) 【必須条件 メンバークラス】 ・数k～数10kWのパワエレ機器開発の設計／評価の経験 (... |
| 勤務地 | 広島県安芸郡府中町新地3-1 |
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| 年収 | 400万円～900万円 昇給年1回 賞与年2回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 モデルベース開発を用いた電気駆動システムの制御技術開発、実研を実施いただきます。 【職務詳細】 以下のいずれかの業務を担当いただきます。 ・電気駆動システムの最適機能配分によるシステム構築および高密度高効率インバー... |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下いずれかを複数満たす方 ・組み込み系の開発経験のある方 ・電気工学系（電磁設計/電気回路設計/パワーエレクトロニクス/制御など）の高専・大学卒以上もしくは同等の基礎知識をお持ちの方 ※入社後に自動車製品やインバータの... |
| 勤務地 | 神奈川県厚木市酒井1601 |
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| 年収 | 500万円～800万円 |
| 業務内容 | ■半導体事業部での生産管理業務をお任せ致します。 【具体的には】 ・製品出荷指示 ・インボイス作成 ・海外拠点のカスタマーサポートとの納期調整 ・後工程担当者や倉庫作業者との調整作業等 ※半導体事業は神奈川県厚木市で設計開発を行い、... |
| 求める経験 | 【必須】 ■生産管理業務のご経験 【歓迎】 ■半導体製造に関する知識 |
| 勤務地 | 愛知県豊田市西広瀬町桐ヶ洞543 広瀬製作所 |
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| 年収 | 500万円～1200万円 ※上記年収レンジは目安です。前職の給与・スキル・経験・等を考慮の上、当社規定で決定致します。【モデル年収（時間外０時間）】・年収800円／35歳 ・年収1150万円／45歳 |
| 業務内容 | 電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOS＆Si-IGBT）の企画/開発/設計業務 ・車載用パワー半導体素子の製品企画/仕様検討、技術動向調査 ・プロセス・デバイスシミュレーション設計、素子試作評価、分... |
| 求める経験 | [必須要件] ■半導体素子の設計やプロセスインテグレーション、ウエハ加工技術の開発経験または知識を有すること ※パワー半導体の経験有無は問いません [歓迎要件] □パワー半導体に関する知識を有すること □半導体素子の設計やプロ... |
| 勤務地 | 愛知県安城市里町長根2-1 安城製作所 |
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| 年収 | 500万円～1200万円 ※上記年収レンジは目安です。前職の給与・スキル・経験・等を考慮の上、当社規定で決定致します。 【モデル年収：時間外０時間】年収800円／35歳 ・年収1150万円／45歳 |
| 業務内容 | 電動車（HEV/PHEV、BEV、FCV）向けの量産インバータ開発設計業務 ◆インバータは機電一体製品であり、構成部品も「アルミケース、樹脂/ゴム部品、電気部品（コンデンサ/電流センサ）」など多岐に渡っております。 社内外関係者とのネッ... |
| 求める経験 | [必須要件] ※近しいご経験/製品/領域であればポテンシャルを加味して選考致します。 ■パワーエレクトロニクスに関する知識があること（パワーデバイス、インバータ回路、冷却、制御、駆動技術に関するいずれかの知識） ■電気回路製品、または... |
| 勤務地 | 大阪府大阪市淀川区宮原四丁目2-10 |
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| 年収 | 450万円～1000万円 給与は経験・スキルにより、決定されます。 |
| 業務内容 | ■EV急速充電器や太陽光発電などのパワコンなどに搭載されるハイパワー電源ユニットの構想設計から量産設計までをご担当頂きます。 同社新規プロジェクトの技術担当・技術リーダーとして、デジタル電源制御方式を用いた各種(DSP)パラメータ検討や、... |
| 求める経験 | 【必須】 ■数k～数10kWのパワエレ機器の設計経験 (太陽光発電のパワーコンディショナーなど) ■電源回路に関わる開発/設計/評価の経験(3年以上) 【歓迎】 ■パワー半導体(SiC/IGBT)使用経験 ■パワーデバイス関連知識... |
| 勤務地 | 京都府京都市右京区西院溝崎町21 |
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| 年収 | ～1200万円 ■昇給：毎年4月に改定、賞与：年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値) |
| 業務内容 | 以下の新規事業創出におけるプロジェクトメンバーを募集いたします。 ＜技術領域と担当＞ ・高周波GaN HEMTの素子開発 ・ミリ波以上の高周波領域における通信システム開発 |
| 求める経験 | 【必須】 ■パワー半導体の研究・開発・製造のいずれかに関わった事がある方 ＜パワー半導体＞ Si (MOS 、SBD、IGBT）、SiC (MOS、SBD)、GaN HEMT その他 Ga2O3、ダイヤモンドなど ＜ご経験... |