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powered by   2024/04/19 更新
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MOSFET に該当する転職・求人一覧

勤務地 京都府京都市右京区西院溝崎町21
年収 500万円~800万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値)
業務内容 ■産機・民生市場に向けた各種製品の拡販・顧客サポートを国内外で実施するフィールド・アプリケーション・エンジニア(モータアプリケーション)の募集です。 【配属部署のミッション】 ■産機・民生製品のモータドライバIC、電源IC、アプリに...
求める経験 【必須】 ・モータアプリケーションを習熟されている方(インバータ回路・モーター駆動回路など)の開発、設計又はFAE実務経験 ・海外拠点との業務経験、プロジェクト経験 (欧米・アジア・中国との密接な業務連携が必要なため) 【歓迎】...
勤務地 長野県諏訪郡富士見町富士見281 (富士見事業所)
年収 400万円~1000万円 年収は経験・スキルを考慮の上、決定されます。
業務内容 高耐圧・大電流駆動を必要とするパワーASICのアナログ設計業務を担当いただきます。 弊社では高耐圧・大電流に対応するDMOS(Double-Diffused MOSFET)にアナログ回路と論理回路を混載したICを商品展開しています。製品シ...
求める経験 【必須(MUST)】 一般的な電気回路の知識、半導体デバイスの知識 【歓迎(WANT)】 アナログIC設計経験 パワー回路の設計経験
勤務地 京都府京都市右京区西院溝崎町21
年収 400万円~800万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値)
業務内容 ■商品開発業務…商品企画やパッケージ展開を主とした顧客対応業務をご担当いただきます。 【具体的には】 顧客に開発した製品を持参し使い方の提案をしたり次の商品開発に向けての要望を聞き、デバイス開発担当にフィードバックを行います。製品の開発...
求める経験 【必須】 下記の知識と経験を保有されている方 ・半導体の基礎知識(MOSFETやIGBTについて) ・電気回路の基礎知識 【歓迎】 ・半導体のインテグレーション業務経験 ・半導体プロセス開発業務経験 ・半導体商品開発業務経...

【群馬】パワーデバイス 設計エンジニア

ルネサス エレクトロニクス株式会社 閲覧済み
勤務地 群馬県高崎市西横手町111番地 (高崎事業所)
年収 600万円~830万円 前職でのご経験、能力を考慮の上、同社規定により優遇いたします。
業務内容 1. 職務内容  【車載および産業用パワーデバイスの製品設計、製品開発】   ・対象製品: パワーデバイス (IGBT/FRD) ・主担当業務: パワーデバイス製品開発、デバイス設計、シミュレーション技術、試作評価、テスト開発 ...
求める経験 (1)Must要件 ・パワーデバイス(IGBT、FRD、MOSFET)の設計/開発/評価の業務経験 (3年以上) ・パワーデバイス(IGBT、FRD、MOSFET)の基礎知識 (2)Want要件 ・パワーデバイス(IGBT、FR...
勤務地 神奈川県横浜市港北区新横浜2-4-8
年収 550万円~1200万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値)
業務内容 ■フィールドアプリケーションエンジニア パワーデバイスの拡販と技術サポートをご担当いただきます。 パワーデバイスをベースとした回路シミュレーションを活用し技術的な提案や顧客の技術トラブル解決を行うことで、顧客設計・評価をスムーズに進め、...
求める経験 【必須】 ・強電あるいは弱電の電源設計あるいは評価業務の経験 (3年以上で、数kWクラス以上の電源であればベター) ・顧客への技術サポート経験 【歓迎】 ・電源に関するあらゆる特許(電源トポロジー、制御方法、保護回路など)の出...
勤務地 京都府京都市右京区西院溝崎町21
年収 500万円~800万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値)
業務内容 ■フィールドアプリケーションエンジニア パワーデバイスの拡販と技術サポートをご担当いただきます。 パワーデバイスをベースとした回路シミュレーションを活用し技術的な提案や顧客の技術トラブル解決を行うことで、顧客設計・評価をスムーズに進め、...
求める経験 【必須】 ・強電あるいは弱電の電源設計あるいは評価業務の経験 (3年以上で、数kWクラス以上の電源であればベター) ・顧客への技術サポート経験 【歓迎】 ・電源に関するあらゆる特許(電源トポロジー、制御方法、保護回路など)の出...

【京都本社】MOSFET、RF-GaN製品のマーケティング業務

ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社 閲覧済み
勤務地 京都府長岡京市神足焼町1(京都本社)
年収 450万円~1000万円
業務内容 同社主力製品である半導体デバイスのMOSFET、RF-GaNのマーケティング業務をご担当頂きます。 【詳細】 ・事業戦略立案 ・商品企画 ・プロジェクトマネージメント ・価格戦略 ・商品プロモーション ・顧客サービス ・...
求める経験 【必須】 半導体もしくは電子製品のマーケティング・開発・営業いずれかの経験

【京都本社】MOSFET製品の検査技術開発(テストエンジニア)

ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社 閲覧済み
勤務地 京都府長岡京市神足焼町1(京都本社)
年収 450万円~1000万円
業務内容 同社新商品開発の量産に伴う新規検査技術開発をお任せ致します。 検査プログラム及び新規設備導入等の仕様打合せ、何の検査をどのような工程で進めるのか等のプロセス開発まで 幅広くお任せ致します。 社内にはシステム、生技、画処理、プロセス...
求める経験 【必須】※以下いずれかのご経験 半導体検査開発(テストエンジニア)に関する業務経験 半導体プロセスエンジニアに関する業務経験 半導体デバイスの評価エンジニアに関する業務経験
勤務地 愛知県豊田市西広瀬町桐ヶ洞543 広瀬製作所
年収 500万円~1200万円 ※上記年収レンジは目安です。前職の給与・スキル・経験・等を考慮の上、当社規定で決定致します。【モデル年収(時間外0時間)】・年収800円/35歳 ・年収1150万円/45歳
業務内容 半導体製品(ウエハ工程、パッケージ工程)の品質保証活動、その仕組み構築 ・新製品の品質保証活動(品質監査) ・量産品クレーム対応、品質改善、顧客報告 ・クオリティゲートの仕組み改善 ■募集背景…電動化・モビリティ化で車載半導体の重要...
求める経験 [必須要件] ■大学卒業レベルの基礎知識 [歓迎要件] □TOEIC600相当以上 □自動車業界の業務経験、知識 □半導体に関する知識 □電子回路設計に関する知識 □品質監査業務の経験 もしくは上記に関連する知見をお持ちの方

【滋賀】半導体プロセスエンジニア

ローム株式会社 閲覧済み
勤務地 滋賀県大津市晴嵐2-8-1
年収 480万円~800万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値)
業務内容 プロセスまたはデバイスエンジニアとして、新規プロセスの開発業務に携わって頂きます。 ・MOSFET/IGBT/Diode/LSIのプロセスインテグレーション開発 ・歩留り、品質改善 ・設備導入
求める経験 【必須】 ・製造業の生産技術経験 【歓迎】 ・半導体のWET、DRYプロセスのご経験 ・製造ラインの自動化に関するご経験