- サイト掲載求人数：3,599件
半導体 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 京都府京都市右京区西院溝崎町21 |
|---|---|
| 年収 | 500万円～900万円 ■昇給：毎年4月に改定、賞与：年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値) |
| 業務内容 | GaNパワーデバイス開発エンジニア（電源設計）の募集要項です。 ・GaNデバイスを用いた電源回路設計、評価 ・GaNデバイスの海外拡販 ＜GaNパワーデバイスとは＞ GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる半... |
| 求める経験 | 【必須】 ※下記いずれかのご経験 ・電源回路設計経験 ・半導体業界でGaNデバイスの研究開発経験 ・パワーモジュール設計経験 |
| 勤務地 | 群馬県高崎市西横手町111番地 （高崎事業所） |
|---|---|
| 年収 | 600万円～830万円 前職でのご経験、能力を考慮の上、同社規定により優遇いたします。 |
| 業務内容 | １. 職務内容 【車載および産業用パワーデバイスの製品設計、製品開発】 ・対象製品： パワーデバイス （IGBT/FRD） ・主担当業務： パワーデバイス製品開発、デバイス設計、シミュレーション技術、試作評価、テスト開発 ... |
| 求める経験 | （１）Must要件 ・パワーデバイス(IGBT、FRD、MOSFET)の設計/開発/評価の業務経験 (3年以上) ・パワーデバイス（IGBT、FRD、MOSFET）の基礎知識 （２）Want要件 ・パワーデバイス(IGBT、FR... |
| 勤務地 | 兵庫県伊丹市昆陽北1-1-1 |
|---|---|
| 年収 | 450万円～800万円 ※経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。※昇給年1回（4月）、賞与年2回（6月、12月） |
| 業務内容 | 職務内容 ・パワー半導体用SiCウエハー製品、 及び、パワー半導体デバイス製品の 車載レベルでの品質保証・品質管理に関わる業務 具体的内容 ・ 自動車のEV化、モビリティ化加速の流れを受け、 2027年の... |
| 求める経験 | ・半導体材料製品（結晶およびエピタキシャル基板）に関わる 品質保証部門、開発部門、製造部門の経験者 ・パワーデバイス製品（デバイス製品、モジュール製品）に 関わる品質保証部門、開発部門、製造部門の経験者 |
| 勤務地 | 群馬県高崎市西横手町111番地 （高崎事業所） |
|---|---|
| 年収 | 500万円～1000万円 前職でのご経験、能力を考慮の上、同社規定により優遇いたします。 |
| 業務内容 | ■職務内容 ▼パワーデバイス・プロセス開発 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア ・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築 ・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 ３年以上 （半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験） ・期待する行動役割など(求める人物像) パワーデバイス未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに... |
| 勤務地 | 茨城県茨城県ひたちなか市堀口751 （那珂事業所） |
|---|---|
| 年収 | 500万円～1000万円 前職でのご経験、能力を考慮の上、同社規定により優遇いたします。 |
| 業務内容 | ■職務内容 ▼パワーデバイス・プロセス開発 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア ・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築 ・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 ３年以上 （半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験） ・期待する行動役割など(求める人物像) パワーデバイス未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに... |
| 勤務地 | 山梨県甲斐市 （山梨工場） |
|---|---|
| 年収 | 500万円～1000万円 前職でのご経験、能力を考慮の上、同社規定により優遇いたします。 |
| 業務内容 | ■職務内容 ▼パワーデバイス・プロセス開発 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア ・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築 ・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 ３年以上 （半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験） ・期待する行動役割など(求める人物像) パワーデバイス未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに... |
| 勤務地 | 愛媛県西条市ひうち8-6 （西条事業所） |
|---|---|
| 年収 | 500万円～1000万円 前職でのご経験、能力を考慮の上、同社規定により優遇いたします。 |
| 業務内容 | ■職務内容 ▼パワーデバイス・プロセス開発 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア ・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築 ・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 ３年以上 （半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験） ・期待する行動役割など(求める人物像) パワーデバイス未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに... |
| 勤務地 | 東京都港区東新橋1-9-3 |
|---|---|
| 年収 | 550万円～1000万円 給与は経験・スキルにより、決定されます。 |
| 業務内容 | ＜職務内容＞ EV急速充電器や産業機器電源などに搭載される電源ユニットの構想設計から量産設計までをご担当いただきます。 同社新規プロジェクトの技術担当として、デジタル電源制御方式を用いた各種(DSP)パラメータ検討や、パワエレ回路の構想... |
| 求める経験 | 【必須条件 リーダークラス】 ・数k～数10kWのパワエレ機器開発の設計／評価の経験 ・電源回路に関わる開発/設計/評価の経験(3年以上) 【必須条件 メンバークラス】 ・数k～数10kWのパワエレ機器開発の設計／評価の経験 (... |
| 勤務地 | 栃木県芳賀郡芳賀町大字下高根沢4630 |
|---|---|
| 年収 | 450万円～1000万円 月給例：25歳大卒 23万5000円 30歳大卒 26万0000円 33歳大卒 32万5000円 （手当除く） |
| 業務内容 | 【募集の背景】 Hondaは、環境負荷ゼロ社会の実現に向け、CO2排出ゼロに重点を置き、自由な移動の喜びの提供と持続可能な社会の実現を目指しています。 そのような中で、カーボンニュートラルを実現するため、電動化の実現するために、必要不可... |
| 求める経験 | 【求める経験、スキル】 ●半導体開発の経験をお持ちの方 (材料開発/デバイス設計・試作・評価/データ解析経験) 【上記に加え、あれば望ましい経験・スキル】 ●量産移管の経験や、ファウンドリーやOSATとの折衝経験 ●パワー半導... |
| 勤務地 | 京都府長岡京市神足焼町1（京都本社） |
|---|---|
| 年収 | 450万円～1000万円 |
| 業務内容 | 車載HMI、イメージセンサ(2D/3D)、高速I/F、マイコン、ICカードなど、幅広い製品のDFT回路設計を行います。また、検査データの分析から、品質やコストの改善活動を通じて、新たな技術開発を行います。 １）RTL（Verilog-... |
| 求める経験 | 【必須】※以下いずれのご経験を有する方 デジタル回路設計および検証業務経験 DFT設計および検証業務経験 |