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※2017年自社調べ
Top
10
パワー半導体領域の特許が強い企業TOP10
企業の持つ特許の競争優位性や異分野での展開力などを基にアスタミューゼが算出した
「総合特許力」。この分野をリードするTOP10企業のランキングです。
2018年06月26日
上場企業
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1位 |
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| 総合特許力 250,741点 | |
| 2016年インテリジェントパワーモジュール世界シェア第1位。民生・産業・電鉄/電力・自動車の4市場に注力。差別化の両輪として高効率パワー素子開発と市場ニーズにマッ... | |
| 主な技術 | インテリジェント... |
| 研究開発費 | 201,330 百万円 |
| 平均年収 | 795 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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2位 |
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| 総合特許力 247,717点 | |
| 2016年パワートランジスタ/サイリスタ世界シェア6位。産業・自動車分野に注力。将来の事業拡大に向け積極投資中。 | |
| 主な技術 | IGBT、SiC... |
| 研究開発費 | 34,910 百万円 |
| 平均年収 | 748 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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3位 |
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| 総合特許力 85,798点 | |
| 2016年パワートランジスタ/サイリスタ世界シェア5位。自動車向け需要増を睨んだパワー半導体事業で増産体制を整え、売上高ベースで年率５％の成長を目指す。 | |
| 主な技術 | パワーMOS-F... |
| 研究開発費 | 360,900 百万円 |
| 平均年収 | 709 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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4位 |
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| 総合特許力 78,547点 | |
| 絶縁材に酸窒化アルミニウムを用いた高電圧でも安定駆動できるGaNパワー半導体を開発。次世代高速通信「５Ｇ」向け基地局整備などで需要を見込む。 | |
| 主な技術 | GaNパワーデバ... |
| 研究開発費 | 436,100 百万円 |
| 平均年収 | 780 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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5位 |
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| 総合特許力 62,976点 | |
| パワーデバイスから、実装、制御回路に至るまで社内で開発を行い、高効率・小型・高機能のパワーモジュールを実現。 | |
| 主な技術 | ASIC（自動車... |
| 研究開発費 | 409,223 百万円 |
| 平均年収 | 826 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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6位 |
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| 総合特許力 57,773点 | |
| 車載・鉄道・産業・民生分野に注力。世界最高レベルの低損失・高耐圧IGBTの量産を推進すると共に、次世代素子として期待の高いSiCデバイスの実用化に向けて開発を加速。 | |
| 主な技術 | 高耐圧IGBT・... |
| 研究開発費 | 323,900 百万円 |
| 平均年収 | 849 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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7位 |
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| 総合特許力 53,296点 | |
| 2016年パワートランジスタ/サイリスタ世界シェア7位。マイコンとパワー半導体を協調させて高精度に効率良く制御する技術を得意とし、これを武器に中国のＥＶ市場でのト... | |
| 主な技術 | パワーMOS-F... |
| 研究開発費 | 78,100 百万円 |
| 平均年収 | 892 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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8位 |
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| 総合特許力 50,032点 | |
| 2014年に新素材SiCによる高効率パワー半導体を開発。2020年までにSiCパワー半導体を使った車両の量産を目標に掲げる。 | |
| 主な技術 | 次世代電池、Si... |
| 研究開発費 | 1,037,528 百万円 |
| 平均年収 | 851 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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9位 |
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| 総合特許力 37,877点 | |
| 2015年に産総研と共同で6インチSiC新ラインを稼働開始。SiCパワー半導体の実用化・本格普及による社会イノベーションの推進が期待される。 | |
| 主な技術 | 光データリンク/... |
| 研究開発費 | 115,155 百万円 |
| 平均年収 | 794 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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10位 |
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| 総合特許力 37,763点 | |
| 2010年に世界に先駆けてSiCを用いたパワー半導体の量産を開始。アナログ・パワー技術を強化して世界一を目指す。 | |
| 主な技術 | SiCパワーモジ... |
| 研究開発費 | 37,277 百万円 |
| 平均年収 | 683 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
未上場企業
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1位 |
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| 総合特許力 73,819点 | |
| 先進車両制御システムの製品群が主力。自動運転製品を成長ドライバーとし、より高付加価値なエレクトロニクス製品の比率拡大を目指す。 | |
| 突出した 特許 |
電力変換装置、半... |
| 主な技術 | エンジンパワート... |
| 平均年収 | 599 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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2位 |
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| 総合特許力 28,599点 | |
| アモルファスシリコンを用いた太陽電池の開発。酸化物半導体に着目し、エレクトロニクスの省電力化を可能にする技術を開拓している。 | |
| 突出した 特許 |
酸化物半導体膜の... |
| 主な技術 | 結晶性酸化物半導... |
| 平均年収 | 544 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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3位 |
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| 総合特許力 11,257点 | |
| 自動車関連技術の研究開発を目的としてトヨタグループにより設立された。知能化などの要素技術から社会システム、ヒューマンサイエンスまで幅広く手掛ける。 | |
| 突出した 特許 |
電力変換器の制御... |
| 主な技術 | SBL構造パワー... |
| 平均年収 | 1,010 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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4位 |
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| 総合特許力 9,112点 | |
| ミストCVD法による酸化ガリウムのパワーデバイス応用を展開する京大発ベンチャー | |
| 突出した 特許 |
半導体装置、酸化... |
| 主な技術 | ミストドライ技術... |
| 平均年収 | 303 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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5位 |
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| 総合特許力 7,212点 | |
| 産業用電機機械分野を軸として省エネルギー、ドライブ制御、FAなどに取り組む | |
| 突出した 特許 |
電力変換装置、パ... |
| 主な技術 | IoT/M2Mコ... |
| 平均年収 | 563 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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6位 |
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| 総合特許力 6,967点 | |
| 高効率のパワー半導体モジュール向け放熱基板を開発。通信向けに適したタイプや金属ダイヤモンドを素材とした次世代タイプの開発も進めている。 | |
| 突出した 特許 |
放熱基板と、それ... |
| 主な技術 | パワー半導体モジ... |
| 平均年収 | 544 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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7位 |
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| 総合特許力 6,429点 | |
| 光通信コンポーネントと無線通信用高出力マイクロ波デバイス製品で世界トップレベルのシェア。化合物半導体技術を活かして通信インフラ用デバイス世界トップを目指している。 | |
| 突出した 特許 |
半導体装置及びそ... |
| 主な技術 | 電子デバイス、光... |
| 平均年収 | 421 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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8位 |
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| 総合特許力 5,146点 | |
| EV・HVシステムの先駆者としてゼロ・エミッション、コネクティッドサービスの製品化に取り組んでいる | |
| 突出した 特許 |
放電制御装置、電... |
| 主な技術 | オートマチックト... |
| 平均年収 | 575 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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9位 |
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| 総合特許力 4,030点 | |
| 100mm口径の多数枚載置、窒化物半導体MOCVD装置を独自に開発。GaN, AlGaN, GaInN, AlGaInNを含む各種デバイス構造の開発製造を行う。 | |
| 突出した 特許 |
ＧａＮ系半導体素... |
| 主な技術 | エピウエハ |
| 平均年収 | 404 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
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10位 |
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| 総合特許力 3,370点 | |
| ナノコンポジット微粒子を用いた次世代の接合剤（NFP）を開発、パワー半導体やIoT対応素子などに用途展開している。 | |
| 突出した 特許 |
電子装置、半導体... |
| 主な技術 | ナノコンポジット... |
| 平均年収 | - 万円 |
| 詳細情報はこちら | |
総合特許力について
企業の保有技術/特許の競争優位性を分析・評価するために用いるアスタミューゼ独自の指標です。
その企業が所有する特許の他社牽制性や競合企業数、多角化展開性などを基に算出しています。
- 在職中でも、自分のペースにあわせた効率的な転職活動
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- 一方的に電話がかかってきたり、本意でない転職を無理強いされたりしないか不安です
- お客様のご希望を無視したしつこいご連絡や無理強いは一切いたしません。お客様にとってご納得いただけるプロセスで転職活動を進めていただくことが第一と考えております。
