パワー半導体のデバイス、プロセス研究開発 社名非公開
| 職種 | パワー半導体のデバイス、プロセス研究開発 |
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| 社名 | 社名非公開 |
| 業務内容 |
【業務内容】 電動車向けインバータ用パワー半導体（SiCーMOSFET）のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術の研究開発及び試作品評価 ・パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計 ・パワーデバイス及びプロセスシミュレーション設計、技術動向調査 ・パワーデバイスのプロセスインテグレーションおよびプロセス加工技術の開発 ・パワーデバイスの構造、プロセス加工技術の要素技術開発 ・試作品の評価、分析、解析 【募集背景】 地球環境問題は重要な課題であり、そのためにモビリティの電動化を急速に進めて行く必要があります。パワー半導体は、電動車のモータを駆動するための重要なキーデバイスです。我々は、より低損失で小型化に向けたパワー半導体（SiCーMOS）の研究開発を行っております。SiCパワー半導体は、燃費（電費）の向上、電池搭載量削減、航続距離向上が図れるため、Siに変わる次世代半導体として競争が急激に激化しています。電動化を進めていくには、良品廉価で低損失化しつつ、且つ高い信頼性を有するSiCパワー半導体をスピーディに開発、製品化することが求められています。一緒にSiC-MOSのデバイス開発に取組み、世界の電動化をリード、新しいモビリティの付加価値を創出していく、チャレンジ意欲がある人材を求めています。 ※技術系としての採用となります。 ※同社の社員として某社に出向いただきます。 |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体に関する知識を有すること ■半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験 （研究開発、量産経験は問いません） 【歓迎要件】 ■パワー半導体に関する知識を有すること ■半導体デバイス設計、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（3年以上） ■プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者 |
| 勤務地 |
愛知県
詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
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| 年収 |
年収 600 ～ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 勤務時間 | 08:40～17:40 |
| 休日・休暇 | 完全週休二日（土日）GW・夏季・年末年始各10日程度・その他年次有給休暇・特別休暇など |
| 募集背景 | 増員のための募集になります。詳細につきましてはご面談時にお伝え致します。 |
| 雇用形態 | 正社員 |
この求人情報は、「株式会社パソナ」が取り扱っています
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