高周波パッケージ開発・生産技術｜東証プライム上場グループ／事業好調／寮社宅完備【神奈川県】 住友電工デバイス・イノベーション株式会社
| 企業名 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 |
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| 年収 | 1000万円 〜 1300万円 |
| 勤務地 |
神奈川県横浜市栄区金井町1番地
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| 職種 | 高周波パッケージ開発・生産技術｜東証プライム上場グループ／事業好調／寮社宅完備【神奈川県】 |
| 業種 | 半導体／LED・発光デバイス・光半導体 |
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正社員
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募集要項
| 仕事内容 |
【業務内容】 高周波デバイス、増幅器開発、高周波パッケージの開発業務と一部生産技術業務をお任せ致します。 【詳細】 ■携帯電話基地局向けGaN－HEMT向け高周波パッケージ開発、および生産技術 ■パッケージ技術開発、試作、製造立上 ■製造工程の問題に対する改善検討 ※ご経験・スキルに合わせ業務をお任せ致します。 【会社の魅力】 連結売上3.6兆円・営業利益2，300憶円・ROE8%の超優良グローバル企業である住友電工の100％出資会社で事業が安定しています。 携帯電話基地局の無線通信装置に使われているGaN半導体デバイスは5G、IoT技術に寄与し、国内外で需要が非常に伸びています。5Gに対応できるGaAs FETなどの化合物半導体デバイスはを量産供給できるメーカーが数社しかなく、基地局用GaNトランジスタ等は今後更にシェアを拡大していく見込みです。 5G、動画配信、テレワークなどを支える最先端のデバイス（電子デバイス・光デバイス）を取り扱っており、今後の社会変革に必須であるため将来性が期待できます。 【働き方データ】 ■年間休日：120日 ■残業時間：平均16.1時間／月 ■有給取得日数：平均17.1日／年（入社初年度より20日／年付与） ■平均勤続年数：18.6年 ■入社時の引っ越し費用を企業側で全額負担、両社宅完備など、福利厚生が充実しています。 |
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| 求める人材 | 【必須スキル】 以下いずれかのご経験がある方 ■高周波、高出力トランジスタ用パッケージの開発または製造技術経験 ■パッケージ製造装置の選定／導入／立上げ経験 ■CAD等による作図経験 ■機構部品の信頼性試験、解析 |
給与・待遇
| 給与 |
550万円 ～ 800万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当 ■その他手当 |
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| 雇用・契約形態 | 正社員 |
| 募集ポジション | 高周波パッケージ開発・生産技術｜東証プライム上場グループ／事業好調／寮社宅完備【神奈川県】 |
| 待遇・福利厚生 |
■各種社会保険完備 ■財形貯蓄制度 ■退職金制度 ■企業年金制度 ■社員持株会制度 ■借り上げ社宅制度 ■社員寮 ■社員寮 |
勤務時間・休日
| 勤務時間 | 8:30～17:15 |
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| 休日・休暇 | ■完全週休2日制（土・日）■祝日■夏季休暇■年末年始休暇■年次有給休暇■出産・育児休暇■介護休暇■その他休暇 |
その他
| 選考プロセス | 書類選考⇒1次面接（WEB）⇒最終面接（対面）⇒内定 |
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| 企業会社特徴 | 【設立】 当社は、住友電気工業株式会社と富士通株式会社の折半出資会社のユーディナデバイス株式会社として、2004年4月に設立されました。 その後、2009年4月の住友電気工業株式会社による完全子会社化を経て、同社の光伝送デバイス事業を統合再編し同年8月発足されました。 【会社の特徴】 ■住友電工では、自動車・情報通信・エレクトロニクス・環境エネルギー・産業素材といった5つのバランスのとれたポートフォリオで安定して利益をあげています。その中でも住友電工デバイス・イノベーションは、住友電工100%出資の情報通信事業を担う重要なグループ会社です。 ■電子デバイス・光デバイスの開発・製造を行っており、中でも、携帯電話基地局の無線通信装置に使われているGaN半導体デバイスは5G、IoT技術に寄与しており、国内外で需要が非常に伸びています。5Gに対応できるGaAs FETなどの化合物半導体デバイスは量産供給できるメー カーが数社しかなく、今後さらなる需要が見込まれています。特に基地局用GaNトランジスタはシェアを拡大しています。 |
企業情報
| 企業名 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 1984年5月 |
| 資本金 | 150億円 |
| 事業内容 | 【事業内容】 化合物半導体を使用した電子デバイスや光デバイス、並びに応用製品の開発から販売までを一貫して行っています。 【取扱製品群】 化合物半導体を材料とするデバイス及びその応用製品の開発・製造・販売を行っています。具体的には、「光通信網に用いられる光素子などのデバイスや光トランシーバなどのモジュールに関わる事業」と「移動体通信、衛星通信、車載レーダなどに用いられるHEMTやMMICなどの無線通信デバイスに関わる事業」を展開しており、それぞれの事業において、グローバルマーケットで上位を争うシェアを占めています。 【化合物半導体の特徴】 化合物半導体には、ガリウム砒素、インジウムリン、窒化ガリウムなどの素材が使用されており、シリコン等と比べて、高速動作・受発光機能・熱や放射線に強いなどの特性があり、大容量かつ高速の情報処理が可能です。消費電力も少なく、小型化も容易なため、情報通信関連分野は勿論、自動車関連や民生エレクトロニクスなど、より幅広い産業分野での利用が進んでいます。 |
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