【筑波】化合物半導体GaN結晶製造および生産技術開発 三菱ケミカル株式会社
| 職種 | 【筑波】化合物半導体GaN結晶製造および生産技術開発 |
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| 社名 | 三菱ケミカル株式会社 |
| 業務内容 |
「【筑波】化合物半導体GaN結晶製造および生産技術開発」のポジションの求人です 【職務内容】 化合物半導体の製造及び技術検討を担当いただきます。 具体的には以下業務を担当いただきます。 ・GaN結晶成長工程の生産性向上や新規技術の開発 ・GaN結晶成長工程の生産計画作成や進捗管理等の生産管理 ・GaN結晶設備の保全管理 ※三菱ケミカルグループ（株）のグループ各社への在籍出向あり 【募集背景】 GaN基板需要増に伴う業務拡大及び加速 【配属部署の年齢層】 所属員21名_平均年齢 約50歳 （MCC男性19名＋派遣社員男性2名） 【配属部署の紹介】 高速モバイル通信用高周波デバイスなどに欠かせない窒化ガリウム基板の製造及び技術検討に携わり、デジタル社会基盤の構築に貢献できる仕事です。当社はGaN基板の技術を世界的にリードするプレイヤーのひとつで、学会発表や論文も常に注目を浴びています。基礎的な検討から、量産技術検討まで、単結晶を基板に仕上がるまで、多様な工程、技術を多様な技術背景を持った技術者が協力して作り上げます。製造工程で日々の工技術改善に一体で取り組み、更なる量産化へ向けた進化を続けています。 |
| 求める経験 | ※応募時には履歴書に代わり選考登録用紙を提出頂きます。詳細はアドバイザーにお問い合わせください※ 【必須要件】 ・化合物半導体材料等の結晶成長技術の開発経験者 ・化合物半導体材料（GaN＞＞Si/サファイア/SiC他 脆性材料）の結晶成長技術検討または製造管理経験者 ・半導体材料の結晶成長技術の専門知識を有する ・製造スタッフとして運転員の管理・指導ができる 【歓迎要件】 ・専攻：物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学 ・化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーション ・語学力：英語 |
| 勤務地 |
茨城県
牛久市東猯穴町1000
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| 年収 |
年収 628 ～ 1048 万円 ※上記は残業20H/月込参考年収となります。 ※ベース参考年収：5,641,600～9,408,400円 ※等級・グレードによっては時間外管理監督外となるため残業代の支給はございません。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 勤務時間 | 08:30～17:15 |
| 休日・休暇 | 完全週休二日（土日）土日、国民の祝日、年末年始、年次有給休暇、特別休暇（忌引、結婚等）、積立年次有給休暇 等 |
| 募集背景 | 増員のための募集になります。詳細につきましてはご面談時にお伝え致します。 |
| 雇用形態 | 正社員 |
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